肖特基势垒红外焦平面阵列

介绍肖特基势垒IRCCD的结构和工作原理,制作工艺,目前国内外发展的状况和提高器件性能的各种措施.     

肖特基势垒红外焦平面技术研制动态

肖特基势垒红外焦平面阵列(SB-IRFPA)技术具有一系列独特的优点,其发展速度是目前各种焦平面阵列技术中最快的,本文综合评述肖特基势垒红外焦平面阵列技术的特点、结构形式、工作机理、目前在短波、中波和长波器件方面取得的进展,在量子效率改善方面采取的有效措施和阵列技术未来的发展趋势。     

PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列器件的发展与应用

概述军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒外焦平面阵列器件的新近发展与应用。     

硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列技术

本文讨论了硅化铱肖特基势垒红外探测器(IrSi-SBIRD)的典型结构和其制作技术;评述了硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列(IrSi-SBIRFPA)的现状。     

高性能PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵

本文介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵(PtSi-SBIRFPA)的工作原理,阐述了肖特基势垒探测器的优化结构,分析了器件的优异性能,并给出了量子效率、灵敏度、暗电流、噪声等效温差和转移效率的典型曲线,评述了国内外PtSi-SBIRFPA的发展。     

高性能128×128元PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵

设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。     

单片式PtSi肖特基势垒IR—ITCCD焦平面列阵

本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵的发展,重点阐述了已制成的64×64、128×128元PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵的结构与设计思想。     

扩展长波红外探测的铱硅化物硅肖特基势垒的研究

通过制备铱硅化物—硅肖特基势垒,分析了衍射相,讨论了铱硅化物成膜工艺及其与薄膜方块电阻的关系,测量并分析了势垒高度,红外光吸收率。研究结果表明,铱硅化物—硅是一种有希望扩展肖特基势垒红外探测范围的新型势垒结构。     

红外焦平面列阵

红外焦平面列阵（ＩＲＦＰＡ）是新发展起来的一种红外探测技术。本文对ＩＲＦＰＡ的技术、在世界各国的发展现状以及其面临的困难作了个概略性的介绍。     

高密度肖特基势垒红外CCD传感器的遥感应用

用于卫星刷式扫描多光谱成象的1～3.5μm短波长红外硅化钯(Pd_2Si)肖特基势垒传感器(SWIR)正在研制中。该传感器采用肖特基势垒红外电荷耦合器件(IRCCD)技术来实现双带集成电路。集成电路的两列线阵各含512元探测器。象元中心到中心的间隔为30μm,填充因数为80～90％,从而为拼接成大型多片焦平面阵列提供了可能性。迄今,单片32×64和64×128元硅化钯隔行转移的IRCCD器件业已研制成功。这些器件呈现出低的响应不均匀性,其量子效率的改善取决于硅化钯探测器的不同结构参数的最佳化。硅化钯探测器在120～125K条件下测得的暗电流为2nA/cm~2。这一工作温度被2×512器件刷扫工作时每一探测器18μW的低功耗所补偿。上述技术参数将允许具有上千元探测器件的星载被动致冷双带焦平面阵列的实现,并证明双带器件的噪声等效△反射率(NE△ρ)满足地球资源特性的精确分类的要求。     

提高PtSi-SBIRCCD焦平面阵列性能的有效途径探讨

本文叙述了研制硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR-CCD)焦平面阵列时,控制金属硅化物厚度,对器件结构的改进,抗反射保护膜的选择以及发展新的光学技术等有效途径,以改善器件性能。     

单片式红外焦平面阵列的进展

本文着重介绍金属硅化物肖特基势垒红外探测器阵列（MSSBIRDA），碲汞电荷注入器件（HgCdTeCID)，电荷成像矩阵（CIM），锑化铟电荷注入器件（InSbCID)以及砷化镓／砷铝镓（GaAs/GaAlAs)多量子阱单片式红外焦平面阵列的现状。     

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析

本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。     

长波红外焦平面阵列的进展

本文着重介绍HgCdTe、IrSi、Ce_xSi_(1-x)/p-Si和GaAs/AlGaAs多重量子阱长波红外焦平面阵列的现状及发展趋势。     

高性能PtSi凝视红外焦平面列阵的研究与进展

本文叙述了国内外ＰｔＳｉ凝视红外焦平面列阵（ＦＰＡ）的研究发展状况。详细介绍了提高ＰｔＳｉ肖特基势垒探测器（ＳＢＤ）灵敏度的研究工作。这些ＳＢＤ工作温度约为８０Ｋ，应用于中红外波段（３～５μｍ）。象素数达５１２×５１２，１０２４×１０２４的凝视列阵已见报道。ＰｔＳｉＳＢＤＦＰＡ能在３００Ｋ实现热成象，其噪声等效温差（ＮＥａｒ）达到０．０３Ｋ。文中还介绍了我国研制的１２８×１２８元，２５６×２５６元ＰｔＳｉ凝视红外焦平面，并讨论了凝视ＦＰＡ的设计选择，最后对其特性进行了简要总结。