微波功率FET大信号负载牵引测试技术研究

本文介绍大信号负载牵引测试简况、负载牵引测试的目的和意义,并重点提出以调配器为核心组建负载牵引自动测试系统的技术方案,较好地解决了微波功率FET的大信号测试问题.     

GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系

采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠的GaAs微波功率FET一定具有高性能的功率特性。在器件工艺中对表面态密度和陷阱能级密度严格控制是实现GaAs微波功率FET的高功率特性和高可靠性的关键。     

4～8GHz倍频程GaAs FET VCO

本文叙述了采用单变容管调谐的4～8GHz共漏反沟道GaAs FET VCO的设计和研究结果。振荡器的直接输出功率大于16.5dBm,功率平坦度为±2dBm,线性度优于3:1(电调灵敏度之比)。并给出了振荡器其他性能。     

Ku频段GaAs—FET低噪声放大器

本文对Ku频段GaAs-FET低噪声放大器的设计调试作了介绍,并对研制的Ku频段低噪声放大器的性能、结构和使用情况作了简单说明。     

大功率GaAs FET偏置电路设计中的有关问题

现代雷达的发展方向是多功能化、小型化,固态发射机以工作寿命长、可靠性高、体积小等优点被广泛使用.本文主要总结了固态发射机设计中部分大功率GaAs FET偏置电路的设计经验.     

Ku波段高功率GaAs FET

报导Ｋｕ波段高功率ＧａＡｓＦＥＴ的制造技术，包括全离子注入、０．５μｍ自对准栅、高可靠欧姆接触、干法生长和刻蚀、背面通孔、内匹配和合成技术。器件由两个９．６ｍｍ栅宽的芯片组成，在１１．２～１１．７ＧＨｚ频带内，一分口增益压缩输出功率８Ｗ，增益６ｄＢ，功率附加效率２４％。     

微波功率FET小信号等效电路参数提取方法

文章针对Ｓ参数提取微波功率ＦＥＴ小信号等效电路参数方法,着重论述二种改进的算法,并应用于我所研制的微波功率２１００μｍ栅宽的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯的小信号等效电路１３只元件参数计算,计算得出的Ｓ参数与实验数据相吻合,提高了计算速度和精度。     

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。     

通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管可靠性的方法, 利用该方法对ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管ＣＸ５６２ 进行可靠性评估     

S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能

对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz的整个S频段均能满意地工作。     

A low-noise 1.2–1.8 GHz cooled GaAs FET amplifier

A low-noise 1.2–1.8 GHz cooled GaAs FET amplifier with mixer bias circuit is reported. The amplifier noise temperature obtained at an ambient temperature of 20 K in the frequency range of 1.2–1.7 GHz is 10K. The lowest noise temperature is 4K. The gain is about 30 dB. An automatic measuring instrument for noise temperature was designed. The noise effect of the input cable and the error analysis of the total measurement were made. The total measurement error is 2 K.     

C波段4W砷化镓功率场效应晶体管

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。     

12 GHz GaAs/InGaAs异质结双栅功率场效应晶体管

报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，最大输出功率≥130mW，增益≥12dB，功率附加效率≥30％。     

GaAs MESFET可靠性及快速评价新方法的研究

提出了一种快速评价GaAsFET可靠性寿命的新方法.利用GaAsFET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,及温度斜坡法在线快速提取器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而进一步求出器件的失效激活能等相关的可靠性物理参数.     

GaAs功率MESFET热阻测试与分析

通过对ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的热阻分析、测试及相关热试验，促进芯片结构的优化设计和工艺控制，能有效地提高ＧａＡｓ器件的可靠性，以延长通讯卫星及微波电子整机的使用寿命。