LED产业动态分析

结论： 产业获利谷底已过，景气朝向复苏发展。 朝向高亮度LED发展，其中以白光LED成长性最大。     

第二届超高亮度发光二极管（LED）和半导体照明产业发展与应用论坛征文启事

半导体照明技术将使照明光源发生巨大变革，世界照明史正在翻开新的一页。面对超高亮度发光二极管市场的巨大需求与商机，我国政府相关部委积极引导推动，反响巨大。企业团体积极应对，成绩斐然。     

高亮度和超高亮度LED方兴未艾

普通发光二极管(LED)早已成为大众化的产品,但高亮度和超高亮度LED方兴未艾。 早在1922年,O.W洛赛夫就发现碳化硅(SiC)的PN结会产生发光现象。1968年,美国孟山都公司率先推出了磷砷红色发光二极管,这是光电子领域中的一项重大突破。发光二极管(LED)的心脏是芯片中的半导体PN结。LED是一种半导体PN结施加正向电压通过电流时能够发光的电子显示器件。进入80年代以后,LED以惊人的速度向前发展。自90年代以来,LED器件的总发展趋势是向低成本和高亮度化、全色化发展。其     

中国LED产业现状及市场前景

介绍中国LED产业现状,及LED在全彩显示屏、交通讯号灯和白色照明光源的市场前景。     

超亮LED应急灯

现在的应急灯大都采用普通灯泡或日光灯，但若改用高亮度发光二极管．则可使效率大为提高，而且更明亮．电池寿命亦大为延长，见附图：     

繁荣的LED市场展现出无限美好的前景

按照美国光电子学长远战略规划负责人Robert Steele的说法,1995年到1999年之间,高亮度发光二极管(LED)的市场销售量平均每年增长53.7%,从1995年的1.2亿美元增加到1999年的6.8亿美元.而且到2004年可望能达到17.4亿美元.今年二月份,在由该长远战略规划部门组织的有200多位光电企业界人士参加的有关先进LED商业机遇的讨论会上,人们讨论了这些常规的和预计的增长因素,同时还讨论了潜在的技术发展战略,这将使LED市场的增长指数超过现有的这些预见.Steele说,和高亮度LED相对照,所有LED总的市场销售量在1999年是23亿美元,在过去的7年内,年平均增长率只有11.4%.在这23亿美元的销售量中,其中有     

我国LED显示系统产业刍议

LED显示有三个主要应用领域，在市场和技术发展方向各具特点。笔者就我国LED显示行业的现状和前景发表一些个人的观点。     

中国LED显示屏产业发展状况综述

综述中国LED显示屏产业发展的历程、现状和将来的发展方向。     

OIDA提出高亮度LED技术规划

美国光电子工业发展协会（OIDA）总裁兼总经理（CEO）MichealLebby于2007年2月在NorthCarolinaStateUniversity发表的1篇演讲中，论述了该协会对高亮度发光二极管（LED）技术的看法。他在演讲中阐明了OIDA的观点．对全球高亮度LED技术进行了回顾和对未来光电子应用，例如宽带、纳米光子、激光二极管、太阳能电池、图像传感器、光互连网、数据通信和40Gb／s组件和系统等市场的发展趋势进行了展望。     

LED产业熠熠生辉——LED商机浮现全球厂商竞逐照明市场庞大商机

随着发光二极管(LED；Light Emitting Diode)的技术发展日渐成熟．价格持续降低。使得LED从特殊应用走向泛用市场。目前LED已逐渐被广泛应用在手机、汽车、室内设计，甚至建筑物外观上，业界人士更指出，白光LED具备成为室内照明主流的潜力。各式各样的应用使得LED的发展备受瞩目。另外。OSRAM日前宣布授权多家亚洲新兴LED厂商白光LED专利。一般预测将促使LED竞争加剧。也使LED主要供货商之一的日亚化学承受极大的压力。此事件的后续效应也将是本专题探讨的重点之一。     

Emerging trend for LED wafer level packaging

Currently most light emitting diode (LED)components are made with individual chip packaging technology.The main manufacturing processes follow conventional chip-based IC packaging.In the past several y...     

采用MEMS工艺制作封装载体的LED封装技术

针对SiC衬底的白光LED技术研究和智能化半导体照明技术发展的需求,基于Si材料的功能特性和物理特性,研究了将Si作为SiC基LED封装载体的相关技术.采用MEMS的加工工艺,设计了精确尺寸的芯片安装腔体和高效率的反射层,抑制了Si本体材料对光的吸收,提高了芯片侧向光的导出效率.通过分析光窗形貌及封装胶折射率对白光LED光效的影响,给出了一个全新的SiC衬底的白光LED封装的技术路线,为LED芯片与驱动一体化封装的实现奠定了技术基础.实现了完整的加工过程和样品制备,测试表明光效大于130 lm/W,热阻小于4.6℃/W.     

提高发光二极管出光效率的新方法

利用高分子共混物的微相分离和自组装原理,制备出具有纳米微孔的PMMA薄膜,以此为掩膜对发光二极管(LED)表面进行湿法腐蚀,得到表面微结构,并研究了腐蚀时间对表面形貌的影响.测试结果表明,当微孔直径在500 nm左右、腐蚀深度约140 nm时,所得到的表面微结构能使LED在20 mA的注入电流下光功率平均提高18%.     

全球LED产业技术专利检索分析

选择"七国两组织"专利数据库,采集1985年1月1日至2008年12月31日期间的全球LED技术专利文献,建立专利数据库.再选择广东专利信息服务平台分析系统分别从专利申请总量、重点专利技术和重点专利持有人等方面,对LED产业技术专利进行了深入分析,并分析了国际LED产业技术专利现状,提出了发展我国LED专利的策略.     

基于顺向电压法的LED接面温度自动测量系统

采用顺向电压法测量LED的接面温度。通过使用数据采集卡,建立高功率LED的自动化接面温度测量系统,并以市场上现有的高功率LED为例进行了测量与对比,建立了高功率LED的I-V特性曲线及其电流—接面温度曲线,最后对测量结果与特性曲线进行了分析讨论。     

基于功率型LED的在体整体荧光光学成像

用发光二极管（LED）替代常用的荧光激发光源汞灯,以实现基于LED的整体荧光光学成像（简称整体成像）。首先通过光谱计算分析,探讨了在不同波段与汞灯激发的荧光量相当时LED需要输出的光通量。以此为依据选择LED,构建了基于功率型LED的整体成像系统,用其动态监测绿色荧光蛋白（GFP）标记的肿瘤在裸鼠体内生长和药物治疗过程。实验表明,功率型LED可在类似于整体成像需要较大光功率的场合中应用。光源替代时,若两光源的光谱在选择的波段内分布不一样,则有必要考虑不同波长的光激发荧光效率差异的影响。     

大功率LED伏安特性模型研究

研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED 芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函 数,构建出了大功率LED芯片的伏安特性新 模型和优化模型,模型中的系数采用最小二乘法进行确定。对大功率LED芯片的实测 伏安特性数据表明,本文构建出的优化模型比经典的PN结模型更能准确表征LED的伏安特性 ,与实测的伏安特性数据一致性更高,更具实用价值。     

液晶显示器NVIS高亮LED背光源研究

提出了一种满足液晶显示器NVIS的高亮LED背光设计方法。介绍了白灯LED+OGB LED背光阵列优化设计,降低混光距离比、提高均匀度的方法,并通过试差法,对配色后测量结果进行分析,求出最佳配色方案;模拟与实验结果表明,该设计方法完全能够满足夜航要求。     

实现台灯照明高均匀性的LED配光设计与仿真

针对台灯照明的高均匀性要求,设计一个自由曲面透镜对LED光源进行二次光学配光。根据非成像光学理论,在已知入射光强分布与所需配光效果的前提下,建立关于透镜自由曲面面型的偏微分方程,并采用相应的数值解法,得到自由曲面面型数据。通过在建模软件Rhinoceros中建立光学透镜的模型,并在Tracepro中进行光学仿真,得出仿真结果,验证此设计方法的可行性。     

基于峰值电流可调的PWM调光方法减小LED漂移

荧光粉和发光二极管(LED)芯片的发光性质受 电流和结温影响,其变化使白光LED调光时产生 色漂移。通过对白光LED在线性调光和脉冲宽度调制(PWM)调光下色度学参数的 测试分析发现, PWM调光具有更优异的色稳定性;温度升高导致荧光粉转换效率降低;峰值电流增大 致使蓝光与荧 光粉的匹配程度降低。为了进一步降低PWM调光过程中的色漂移,采用峰值电流可调 的PWM调光方 案,当相关色温CCT大于设定值时,可通过降低峰值电流增加占空比的方法 降低CCT,反之则通过增 加峰值电流降低占空比的方法增加CCT。实验结果表明,通过调整峰值电流可补 偿因荧光粉转换效 率变化造成的色漂移,在预设调光范围内的CCT变化小于33 K。对目标 CCT与色稳定范围的关系进行了探讨。