温度效应对MRD动力性能影响的仿真及试验

探究一种温度效应对磁流变减振器（MRD）阻尼动力学性能的影响规律。基于Bingham力学模型和磁路等效原理,建立MRD样机的参数化模型,利用ANSYS仿真研究温度对MRD阻尼力特性、可调系数和响应时间的影响机理和规律;搭建MRD温度-动力学测控试验平台,开展不同输入电流、激振频率和振幅下温度效应对MRD动力学性能影响的试验,分析研究阻尼力-位移特性、可调系数及响应时间的动态变化规律。结果表明：温度对阻尼力和响应时间的影响呈负相关,对可调系数的影响呈正相关,仿真与试验结果保持一致。研究结果对MRD的温度补偿设计和性能优化具有参考价值。     

大行程直线电机的磁流变阻尼器优化设计

对应用于大行程直线电机的磁流变阻尼器结构进行了探讨,并应用ANSYS电磁场有限元分析和ANSYS优化设计计算和优化了阻尼器磁路和结构.     

一种新型复合MR阻尼器的设计与磁路仿真分析

针对土木工程的特点,从保证磁流变阻尼器的阻尼性能、节省控制系统的能耗和提高阻尼器的安全稳定性能出发,设计了一种具有较好的被动和半主动控制功能的新型复合结构磁流变阻尼器,并建立了这种磁流变阻尼器的力学模型.根据电磁场理论,设计了具有永磁体与通电线圈的复合结构磁流变阻尼器的磁路,再利用ANSYS软件对该磁路与结构参数进行仿真分析,结果表明复合结构MR阻尼器比传统普通结构MR阻尼器具有更优越的可控性及安全稳定性能,为设计具有适当力值需求的复合磁流变阻尼器提供有效手段.     

磁流变弹性体阻尼器的设计及磁路分析

针对高速切削加工过程中产生振动的情况,基于剪切模式,设计了一种磁流变弹性体阻尼器,针对磁流变弹性体阻尼器的典型磁路结构,阐述了磁路设计原理,研究了磁路计算方法,并利用ANSYS软件对其磁路结构进行了分析验证。仿真结果的分析有助于优化磁路结构,使所设计的磁流变弹性体阻尼器的磁场效能得到最大的发挥。     

基于遗传算法对液压阀用磁流变液阻尼器的优化设计

为了保证所设计的液压阀用磁流变液阻尼器(MRD)能够实现降低、调节换向阀换向时所带来的液压冲击的设计目标,根据其使用工况和设计要求对MRD进行了结构优化。首先在MATLAB软件里利用遗传算法工具箱对影响其输出阻尼力大小的两个关键结构参数——阻尼间隙宽度和有效阻尼通道长度进行优化;然后利用优化结果对各个MRD在Maxwell软件里进行电磁场仿真分析,再利用电磁场仿真分析所得的结果在Simulink软件建立各个MRD的阻尼力模型计算;最后根据计算结果选择最符合设计要求的MRD。     

基于三维磁场有限元分析的磁流变阻尼器(MRD)磁路优化分析

对设计的MRD磁路结构进行了三维磁场有限元分析,查找到MRD磁路结构存在着阻尼间隙磁感应强度偏小的问题,并分析了产生该现象的原因.而后基于理论分析和磁场有限元分析的结果,对MRD的磁路结构进行了优化设计,使MRD阻尼间隙处磁感应强度提高了0.2T.经过仿真分析和试验对比,验证了优化设计的合理性.     

基于ANSYS的磁流变阻尼器设计技术研究

利用磁流变阻尼器具有响应快、稳定性好、阻尼力连续可调的优点,作为理想的气动控制元件。设计了一种新型阻尼器。建立了阻尼器力学模型与磁路结构,并用ANSYS软件对其结构参数进行了仿真。结果表明,合理地选择阻尼器结构参数可使之达到较好的控制效果。     

基于ANSYS的磁流变阻尼器磁路优化设计

介绍了运用ANSYS自带的APDL参数化语言应用于磁流变阻尼器磁路优化设计中,并在磁路的优化计算中实现了自动划分网格、施加单位电流密度等功能.通过对磁路计算的后处理,得到了优化后改善的磁路状况.分析结果显示,将APDL语言面向对象软件设计应用于磁路设计是一种有效的方法.     

一种列车垂向磁流变减振器结构优化设计方法

阻尼器是列车减振降噪的关键设备,良好的阻尼器可以显著提高列车乘坐的舒适性。提出了一种基于列车整车阻尼比与磁流变阻尼器出力模型的优化设计方法。将列车模型简化为单自由度系统,使用阻尼比公式计算列车模型垂向减振磁流变阻尼器的最大阻尼力。以最大阻尼力为优化性能约束条件,以使磁流变阻尼器的可调范围最大为目标值,使用Matlab优化工具箱得到磁流变阻尼器的结构参数。以某型列车模型为例,优化设计了用于此模型垂向减振的磁流变阻尼器的参数,证明了方法的可行性。     

内置永磁体的磁流变阻尼器多目标优化设计方法

为增加磁流变阻尼器(MRD)实用性,提出一种内置永磁体的MRD结构。依据SG-MRD60内部结构尺寸,通过离散化结构参数,获得全部设计方案;以提高复合结构MRD综合性能为优化目标,建立性能评价体系;根据等效磁路模型,整理性能指标函数,结合模糊综合评价法,筛选最优设计方案。仿真结果表明,新复合结构MRD在2 A电流且无永磁体磁场工况下,平均力学性能提高9.6%;在零电流工况下阻尼间隙磁感应强度为0.296 T,磁场分布均匀。±2 A电流对阻尼间隙磁感应强度调节范围为-58.4%到+59.1%,满足工程应用需要。