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相似文献
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1.
Eu3+激活的碱土金属钼酸盐荧光粉合成及其发光性质   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用高温固相反应法制备了CaMoO4:Eu,A(A=Li,Na,K)系列和MMoO4:Eu,Li(M=Ca,Sr,Ba,Mg)系列的发光材料,并采用X射线衍射,荧光光谱对这2个系列发光材料的结构及其发光性质进行了对比研究.结果表明,CaMoO4:Eu,A(A=Li,Na,K)系列荧光粉具有相同的结构,均属于四方晶系,具有相似的光谱性质,碱金属离子为Li时发光性能最好.MMoO4:Eu,Li(M=Ca,Sr,Ba,Mg)系列荧光粉中,MgMoO4:Li,Eu为单斜晶系,底心结构,其他3种荧光粉为四方晶系,体心结构.在395nm近紫外光激发下,CaMoO4:Eu,Li发光性能最好.  相似文献   

2.
采用高温固相法合成氯硅酸镁钙荧光粉CaxMg9-x(SiO4)4Cl2∶0.08 Eu2+.首先借助X射线衍射对发光粉体晶格结构进行分析.分析结果表明:该荧光粉体具有面心立方晶系结构,钙镁配比的改变对晶体的结构没有产生较大影响.其次研究其荧光光谱和发光特性,研究结果表明:CaxMg9-x(SiO4)4Cl2∶0.08Eu2+荧光粉的激发光谱均为宽带激发,激发带位置范围为260-460nm,发射光谱发射峰的位置位于505 nm,归属于Eu2+产生的d-f跃迁发射.同时讨论不同钙镁离子配比对荧光粉发光性能的影响,当Ca/Mg离子配比为6~7.5时,荧光粉的发光强度有较大幅度的提高.  相似文献   

3.
采用高温固相法制备(Ba,Ca)2SiO4∶Eu2+,Mn2+和不同Mg/Ca、Mg/Ba比例的(Ba,Ca)2-xMgxSiO4∶Eu2+,Mn2+白光荧光粉.研究改变Mg/Ca和Mg/Ba比例对荧光粉光谱特性的影响.所有荧光粉的发射光谱是由蓝绿光和红光组成的宽波带;激发光谱也是宽波带,在340~415nm之间具有较强吸收,适合于近紫外光InGaN芯片(350~410 nm)激发.随着Mg/Ca比例的改变,色温依次增加,可起到规律调节白光荧光粉色温的作用.  相似文献   

4.
采用高温固相法合成单相白色荧光粉Ba1.31Ca0.64-xSiO4:0.02Eu2+,0.03Mn2+,xRe3+(Re3+ =La3+,Sm3+),研究掺杂La3+,Sm3+的荧光粉的光谱特性.XRD结果表明合成的样品具有Ba1.31 Ca0.69SiO4晶相结构.荧光粉的发射光谱由蓝绿光波带(430~550 nm)和橙红光波带(560 ~650 nm)组成,分别归属于Eu2+取代Ba2+ (Ca2+)格位的5d-4f跃迁和Mn2+取代Ca2+格位的4T1-6A1跃迁.La3+和Sm3+能够提高荧光粉的发光强度,且La3+效果较好.合成的白光荧光粉具有较好的光色参数,色温Tc=4 478~5 753 K,显色指数Ra均大于80.0.  相似文献   

5.
采用水热合成法制备红色荧光粉Ca0.70Sr0.18-0.15xMoO4:0.08Eu3+,xY3+.用XRD、荧光分光光度计、SEM对其物相、发光性能以及形貌进行测试和表征.结果表明:荧光粉为CaMoO4物相结构.荧光粉粒径小且粒度分布均匀.荧光粉在395 nm和465 nm的吸收分别与紫外光和蓝光LED芯片输出波长相匹配.分别采用395 nm的近紫外光和465 nm的可见光激发样品,Ca0.70Sr0.18-0.15xMoO4:0.08Eu3+,xY3+荧光粉发红光,主发射峰位于616 nm.Y3+的引入,把自身吸收的能量和基质吸收的部分能量传递给发光中心,使Eu3+发光强度进一步增强.红色荧光粉Ca0.70Sr0.09MoO4:0.08Eu3+,0.06Y3+色坐标比商用的Y2O3:Eu3+红色荧光材料更接近于标准红色色坐标.  相似文献   

6.
采用高温固相法结合电荷补偿方式2Sr2+→Eu3++Na+,合成了适合白光LED的红色荧光材料NaxSr1-2xMoO4∶Eux^3+(x=0.1、0.15、0.2,0.25、0.3)系列样品.对样品分别进行了X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱的测定.测试结果表明,NaxSr1-2xMoO4∶Eu3x+荧光粉可以被近紫外光(UV)(393 nm)和蓝光(463 nm)有效激发.通过探讨Na+和Eu3+的掺杂浓度对发光强度的影响,得出NaxSr1-2xMoO4∶Eux3+系列样品的发光强度比SrMoO4:Eu3+明显增加,且当掺杂量x=0.2时,NaxSr1-2xMoO4∶Eux3+系列样品在616 nm处的发光强度最大.分析了NaxSr1-2xMoO4∶Eux3+系列样品在380 nm紫外光激发下的色坐标,当Na+和Eu3+的掺杂量x=0.15时,样品的红色显色最强.  相似文献   

7.
以MB6O10为基质发光材料的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
总结了近年来有关采取高温固相方法合成的以MB6O10为基质(M=Mg、Ca、Sr、Ba、Cd、Zn)、由Pb2+、Sn2+、Mn2+、Bi3+、Ce3+、Tb3+、Eu2+、Sm2+、Dy3+等离子掺杂的发光材料,并讨论了在空气条件下合成MB6O10系列发光材料的规律及基质与激活剂的关系.  相似文献   

8.
利用水热法在低温下制备了CaMoO4:Eu3+发光材料,考察了不同稀土掺杂浓度等条件对产物性能的影响,并利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)等手段对样品的微观结构和光谱性能进行了表征。结果表明:160℃下水热法制备的CaMoO4为纳米颗粒组装成的球状结构;当Eu3+掺杂质量分数为9%时,CaMoO4:Eu3+荧光粉呈现出2条较强发射峰,其中在615nm处的发光强度最强,红橙比(R/O)为6.5/1。  相似文献   

9.
采用高温固相法制备不同含量Gd3+敏化的白光荧光粉Ba1.3Ca0.65-xSiO4:0.02Eu2+,0.03Mn2+,xGd3+(x=0~6%).XRD结果表明:合成的荧光粉是六方晶系Ba1.3Ca0.7SiO4结构.荧光光谱测试表明:荧光粉在近紫外光275~410 nm具有较强吸收;且发射光谱由蓝绿光波带(425~560 nm)和橙红光波带(560~650 nm)组成.Gd3+的掺杂能够明显提高其发射强度,其中较佳Gd3+掺杂量为2%.Ba1.3Ca0.63SiO4:0.02Eu2+,0.03Mn2+,0.02Gd3+荧光粉的色坐标CIE为(0.343 1,0.331 8),色温Tc=5 010 K,显色指数Ra=81.7,是一种适合于近紫外光芯片InGaN激发的WLED用全色荧光粉.  相似文献   

10.
采用高温固相反应法制备了系列稀土掺杂蓝色荧光粉Ba1.92B5O9Cl:Eu20.+06,Ln30.+02(Ln=Dy,Er,Ho).用X射线粉末衍射仪(XRD)对样品晶相进行了测试,用荧光光谱仪表征了样品的光致发光特性.结果表明:共掺不同稀土元素Ln3+(Ln=Dy,Er,Ho)的Ba2B5O9Cl:Eu2+样品为四方晶系;除了发光强度不同外,其激发、发射光谱的峰位置和峰形基本没有改变.通过研究荧光材料的余辉衰减曲线和热释光谱发现,Ba2B5O9Cl:Eu2+掺入的Ln3+能够延长荧光粉的余辉时间和增强初始亮度,并能不同程度地增强热释光强度,其中Dy3+是最理想掺杂稀土离子.  相似文献   

11.
采用反应条件温和的水热法制备LI十掺杂的YBO3:Eu3+荧光粉。通过掺入不同量的L|+研究其对荧光粉YBO3:Eu3+的物相结构、微观形貌及光致发光特性的影响。用X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FEsEM),荧光分光光度计及X射线能量色散谱仪(EDS)等手段表征材料性能。结果表明:Li+掺杂能够提高荧光粉YBO3:Eu3+的发光强度,最大能提高近20%。发光增强与Li+掺杂量的多少有关,同时也可能与Li+改变YBO3晶体场环境有一定关系。  相似文献   

12.
采用高温固相法在1 200℃下制备了Ca3(PO4)2∶Eu3+红色荧光粉,并通过X射线衍射分析和荧光光谱分析表征,考察荧光粉的物相、发光性质以及激活剂Eu3+的最佳掺杂浓度,研究结果发现Eu3+取代Ca2+占据八面体中心格位,由于离子半径差异,产生大量晶格缺陷,影响其发光性能.为了进一步提高其发光强度,在荧光粉中引入了电荷补偿剂Na+.通过研究Na+浓度对荧光粉发光性质的影响,发现电荷补偿后荧光粉的发射强度是电荷补偿前发射强度的2.9倍左右,得到荧光粉最佳化学组成为Ca2.3Na0.4(PO4)2∶0.3Eu3+.根据缺陷的生成和反应原理,并结合晶体场环境的中心对称性变化,提出电荷补偿的微观机制主要包括缺陷反应以消除晶格畸变和降低晶格中心对称性以增强红光发射.  相似文献   

13.
以硅酸盐为基质,通过低温燃烧法合成了Sr2SiO4:Dy3+高亮度白光LED用荧光粉。利用XRD和荧光光谱研究合成的荧光粉的结构特性和发光性能。结果表明:合成的荧光粉为斜方晶系,物相较纯。随着Dy3+掺杂浓度的增加,荧光粉的结构没有发生破坏,光谱的形状也没有发生改变。当Dy3+的掺杂浓度为2%,电荷补给剂LiOH的掺杂浓度为5%时,合成的荧光粉发光性能最佳。荧光粉可被352nm的紫外光有效激发,同时发出蓝光和橙光,混合后获得白光。  相似文献   

14.
采用高温动态球磨固相法,利用Na2CO3、K2CO3和Li2CO3为助熔剂(一种或几种),制备了具有低维结构的红色LED荧光粉体CaxSr1-x-1.5yMoO4:yEu3+.研究了助熔剂用量和种类、基质材料中Ca2+的含量、合成的温度、反应时间及发光中心Eu3+浓度对荧光材料晶体结构和发光性能的影响.研究结果表明最佳工艺条件为:助熔剂0.24 Na2CO3-0.38K2CO3-0.38Li2CO3的较佳用量摩尔分数为6 mol%、Eu3+浓度8 mol%、Ca2+摩尔分数60 mol%、反应温度900 ℃和反应时间2 h.光谱测试结果表明,该荧光材料可被311 nm、395 nm和465 nm有效激发,发射峰在616 nm处.395 nm和465 nm与当前广泛应用的紫外和蓝光LED芯片的输出光波长相匹配.  相似文献   

15.
采用高温固相法结合电荷补偿方式2Sr2+→Eu3+ +Na+,合成了适合白光LED的红色荧光材料NaxSr1-2x MoO4:Eu3+x(x=0.1、0.15、0.2,0.25、0.3)系列样品.对样品分别进行了X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱的测定.测试结果表明,NaxSr1-2xMoO4:Eu3+x荧光粉可以被近紫外光(UV)(393 nm)和蓝光(463 nm)有效激发.通过探讨Na+和Eu3+的掺杂浓度对发光强度的影响,得出NaxSr1-2xMoO4:Eu3+x系列样品的发光强度比SrMoO4:Eu3+明显增加,且当掺杂量x=0.2时,NaxSr1-2xMoo4:Eu3+x系列样品在616 nm处的发光强度最大.分析了NaxSr1-2xMoO4:Eu3+x系列样品在380 nm紫外光激发下的色坐标,当Na+和Eu3+的掺杂量x=0.15时,样品的红色显色最强.  相似文献   

16.
利用溶胶-凝胶法制备Eu2+掺杂的Ca2MgSiO5荧光粉.通过X射线衍射仪、荧光光谱仪和激光粒度分析仪对所合成样品的结构和发光性能进行表征.考察制备过程中加入表面活性剂和预烧温度对样品的晶型、粒径分布范围及发光性能的影响.结果表明:加入少量表面活性剂没有改变Ca1.98MgSiO5:Eu^2+0.02荧光粉的晶型.添加表面活性剂(CTAB,三乙醇胺)使样品粒径分布范围变窄,相应地增强了荧光粉的发光强度.加入表面活性剂后预烧温度为700℃时粒径分布范围最窄.  相似文献   

17.
采用高温固相法合成系列Cao.7Sro.18-1.5x(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu^3+,xTb^3+红色荧光粉,对其晶体结构和荧光性质进行X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)表征.确定荧光粉的合成条件,同时研究共激活剂Tb^3+和助熔剂H3BO3对荧光粉光谱性能的影响.结果表明:900℃焙烧2h荧光粉发光性能较好,共激活剂Tb^3+和助熔剂H,BO,较明显增大荧光粉的发光强度.所制备的荧光粉均可以被近紫外光(395nm)和蓝光(465nm)有效激发,发射峰位于616nm(Eu^3+的5D0→7F2跃迁).  相似文献   

18.
采用高温固相法合成系列Cao.7Sro.18-1.5x(WO4)0.5(MoO4)0.5:0.08Eu^3+,xTb^3+红色荧光粉,对其晶体结构和荧光性质进行X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)表征.确定荧光粉的合成条件,同时研究共激活剂Tb^3+和助熔剂H3BO3对荧光粉光谱性能的影响.结果表明:900℃焙烧2h荧光粉发光性能较好,共激活剂Tb^3+和助熔剂H,BO,较明显增大荧光粉的发光强度.所制备的荧光粉均可以被近紫外光(395nm)和蓝光(465nm)有效激发,发射峰位于616nm(Eu^3+的5D0→7F2跃迁).  相似文献   

19.
采用水热辅助溶胶凝胶法在较低温度下合成了Y(P,V)O4:Eu3+荧光粉。通过综合热分析、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和光谱分析等手段对试样进行表征.结果表明:对前驱体进行水热处理能使YPO4:Eu^3+和YVO4:Eu^3+更好地固溶,提高了其结晶性能和发光性能.制备的样品呈分散性好的球形颗粒,粒度分布均匀,平均粒径为1μm.对前驱体的水热处理提高了Y(P,V)O4:Eu3+荧光粉的发光性能.  相似文献   

20.
采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP)制备了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,研究了甘氨酸和金属离子的摩尔比(G/M)对Sr Al2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料结构与性能的影响.结果表明:随着G/M的增加,产物的晶粒尺寸和发射强度增大,发射光谱红移,而初始亮度呈现先增后减的规律;G/M为3∶1时,得到的产物为纯Sr Al2O4晶相,平均晶粒尺寸为75 nm,初始亮度最大;采用GNP合成的Sr Al2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料的发射光谱为宽谱带发光光谱,其发射主峰位为508 nm左右,是典型的Eu2+的4 f 5 d→4 f的特征发射。  相似文献   

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