Si基ZnO缓冲层溅射Ga2O3氨化反应生长GaN薄膜

利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长.     

氮化ZnO/Ga2O3薄膜合成GaN纳米管

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.     

射频溅射ZnO作为GaN厚膜生长缓冲层的工艺研究

采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能。实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带。     

以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜

用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响。     

PZT/ZnO薄膜制备及其结构特性研究

利用固相反应制备的ZnO-Li_(2.2%)陶瓷靶和RF射频磁控溅射技术在Si(100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD和电性能分析表明掺杂Li离子改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度对ZnO薄膜结构与取向的影响;然后采用sol-gel前驱单体薄膜制备方法,以ZnO为过渡层淀积PZT薄膜,探讨高度c轴(002)择优取向ZnO薄膜对PZT薄膜结构与性能的影响,实验发现在PZT/ZnO异质结构中,致密、均匀和高度c轴择优取向的ZnO可作为晶核,促进PZT钙钛矿结构转化、晶粒(110)择优取向生长,相应降低PZT薄膜的退火温度.     

室温沉积Cu/ZnO薄膜的光电性能的研究

以ZnO陶瓷靶和金属Cu靶为基础在室温条件下利用直流磁控溅射和射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了ZnO/Cu多层透明导电薄膜。通过改变溅射金属Cu层的时间等工艺参数,并采用紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)分光光度计和霍尔测试仪对ZnO/Cu多层结构薄膜的光电性质等进行了分析和研究。ZnO/Cu多层透明导电薄膜的导电性随金属层溅射时间增加有很大的提高,从薄膜的透射谱中发现,Cu层的引入降低了多层结构的可见光透光率。随着多层结构薄膜载流子浓度的增加薄膜的光学带隙Eg下降。     

ZnO薄膜的晶体性能的分析

在硅基上制备出了c轴取向高度一致的ZnO薄膜 ,这将有可能成为新型GaN单晶薄膜的过渡层。对ZnO薄膜的晶体性能进行了分析 ,研究不同衬底和不同衬底温度对ZnO薄膜的结晶状况的影响 ,并着重用TEM研究了硅基ZnO薄膜的晶体性能。     

ZnO缓冲层退火温度对Ti02∶Eu/ZnO薄膜光致发光性能的影响

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响.结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强;XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱.     

RF磁控溅射法制备ZnO薄膜的XRD分析

采用RF磁控溅射法，在玻璃村底上制备多晶ZnO薄膜，并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度（350～600℃）的退火处理和600℃时N2气氛中的退火处理。利用X射线衍射分析了溅射参数如溅射功率、溅射氧分压、衬底温度以及退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响。结果表明，合适的衬底温度和退火处理能够提高ZnO薄膜的结晶质量。     

ZnO薄膜结构表征的研究现状

ZnO薄膜是继GaN材料之后的另一种具有应用前景的直接宽带隙半导体材料.针对目前对ZnO薄膜结构的分析,综述了ZnO薄膜结构表征的常用方法,着重分析了XRD在ZnO薄膜结构方面的应用.     

P型ZnO薄膜及ZnO基LED研究进展

本文介绍了氧化锌的光电性质以及与其它相近的半导体材料相比的优点，分析了p型氧化锌难以实现的原因，综述了p型掺杂和LED的研究进展。     

掺铝ZnO半导体厚膜对TMA的敏感特性

研究掺铝ＺnＯ厚膜对三甲胺气体的敏感性，并讨论用于检验海产品鲜度的可能性。     

氧化锌薄膜制备技术的评价

详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法 ,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原子层外延生长法。阐述了这些方法的机理、沉积条件、所需的反应物以及制得的薄膜的性质。讨论并比较了各种方法的优缺点和应用于器件及工业生产的可能性     

ZnO薄膜的择优取向生长

ZnO薄膜是一种具有广泛用途的材料,近来成为了研究的热点.高度c轴择优取向是优质ZnO薄膜的重要特点.在已开发的众多生长技术中,磁控溅射、金属有机物气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、电子束反应蒸镀法是生长出高度c轴择优取向优质薄膜的主要方法.介绍了这些方法及其研究进展,同时介绍了目前ZnO薄膜主要研究方面.     

透明导电氧化锌薄膜的制备

简单回顾了透明导电氧化锌薄膜的发展历程，着重介绍了各种氧化锌薄膜的制备方法和各自的优缺点，以及改进方案和在实际生产中的应用，分析了透明导电氧化锌薄膜存在的问题和解决问题的思路，最后对于氧化锌这种极具替力的材料进行了展望。     

氧化锌薄膜研究进展

本文介绍了制备ＺｎＯ薄膜的常见方法和影响薄膜结构的主要因素，并已在Ｓｉ衬底上利用直流反应磁控溅射法制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ薄膜     

掺杂ZnO功能薄膜研究新进展

结合当前掺杂ZnO功能薄膜的制备方法、工艺条件,综述了不同掺杂元素对ZnO薄膜的结构、电学、光学性能、气敏特性以及应用领域等方面的影响,并展望了ZnO功能薄膜的发展趋势.     

溶胶-凝胶法与射频磁控溅射法制备ZnO薄膜及其表征对比

分别对溶胶-凝胶法和磁控溅射法制备ZnO进行了详细的介绍,并借助X射线衍射、原子力显微镜、拉曼光谱分析、紫外吸收等检测手段对这两种方法生长的薄膜进行了分析比较.分析显示:相同石英基底,相同退火温度下生长ZnO薄膜,磁控溅射法生长的ZnO薄膜要比溶胶-凝胶法生长的ZnO薄膜有更优异的c轴取向特性,生长的薄膜结晶更加均匀、致密.     

球状氧化锌薄膜的超疏水性能研究

为了获得具有超疏水的功能表面,以石墨为基底,先用纳秒激光构建粗糙表面,然后采用水热法,以甲酰胺与锌片建立反应体系,甲酰胺浓度为10％,温度为70℃,时间为24h.采用扫描电子显微镜(SEM)表征其形貌,采用光学接触角测量仪(OCA)测定其接触角.实验结果表明,在粗糙的石墨表面制备的氧化锌为球状结构,类似蒲公英,与水的接触角为155°.实验结论为:球状结构的氧化锌使粗糙的石墨表面产生了超水性.     

ZnO纳米晶薄膜的制备及特性分析

在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶,用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜,XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构;SEM与AFM表明,纳米晶薄膜在300％退火后薄膜的厚度明显减小到130nm,表面粗糙度降低到3．27nm,粒径明显增大;紫外-可见吸收和透射比光谱表明,随着退火温度的增加,吸收边发生了红移,吸收肩更明显,薄膜具有高的透射率（75—85％）;薄膜方阻随温度增加而增大,300℃以下退火方阻增加很小（小于8．5Ω／sq）,400℃以上退火方阻大幅增加（大于21．1Ω／sq）,因此,ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。