基于测试向量中不确定位的漏电流优化技术

众所周知,CMOS电路测试时由漏电流引起的漏电流功耗在测试功耗中处于重要地位.降低测试时的漏电流对于延长需要周期性自测试的便携式系统电池寿命、提高测试的可靠性和降低测试成本都至关重要.文章首先分析了漏电流的组成,和与之相关的晶体管的堆栈效应.然后,我们提出了一种基于测试向量中不确定位(X位)、使用遗传算法优化集成电路测试时漏电流的方法.实验结果证明在组合电路和时序电路测试中该方法能够在不影响故障覆盖率的条件下,有效优化测试时电路的漏电流.     

基于直流漏电流检测的光伏汇流箱系统

以C8051F020型单片机为控制中心,采用一种通过检测光伏直流系统对地漏电流来探测光伏回路正负极接地电阻和判断光伏回路接地故障支路的新方法,研制出新的光伏直流接地探测系统。利用光伏汇流的电流检测功能,寻找出光伏阵列电流数值不同的支路,结合探测光伏回路正负极接地电阻,从而发现光伏阵列回路的对地故障。该方法无须给光伏支路施加任何信号,对光伏系统无任何不良影响,检测结果不受分布电容的影响,检测电路相对简单。     

CCD图像传感器电极间漏电流自动化测试系统设计

CCD图像传感器电极间漏电流是反映CCD器件可靠性的一个关键参数,在CCD图像传感器的生产过程中,对其电极间漏电流测试是一个重要的检测筛选环节。基于一种漏电流自动化测试方法,设计了一种CCD电极间漏电流自动化测试系统。该系统可根据不同种类CCD器件,自定义被测信号名称、测试通道地址和测试判据,通过计算机软件控制自动循环扫描,自动采集漏电电流数据,形成标准测试报表。该系统具有设置灵活、操作方便、自动化测试等优点,可有效提升CCD生产检查筛选过程中的测试效率和测试设备的通用性。     

铝电解电容器漏电流回升现象的研究

漏电流回升是铝电解电容器常见的早期失效。研究其失效机理后发现,除工艺等方面的因素外,国内许多公司在产品老练分选中对漏电流内控过宽是造成这一早期失效的重要原因。在产品可靠性研究的基础上提出了严格内控减小漏电流回升的措施。     

基于扩展卡尔曼滤波的低压配电网漏电流监测

针对传统低压配电网漏电流监测方法中存在的监测误差较大且监测耗时较长等问题,提出基于扩展卡尔曼滤波的低压配电网漏电流监测方法.采用小波变换方法提取漏电流低频信息,将小波变换离散化处理,降低提取特征的冗余程度,完成低压配电网漏电流高频特征提取;采用一阶泰勒展开式扩展卡尔曼滤波技术,将其转变为线性空间方程,引入前馈控制概念,...     

电容漏电流测试仪直流测试电压测量不确定度评定示例

文章从标准器和被校电容漏电流两方面,以某一测量点为例来评估测电容漏电流测试仪直流测试电压的量不确定度.     

基于漏电流补偿技术的超低漏电模拟开关

为满足各种现代设备控制系统的超高精度信号采集需求,基于新型PN结漏电补偿技术设计了一种超低漏电模拟开关电路。该电路在传统CMOS模拟开关的基础上创新性地引入了新型全温区PN漏电采样和补偿电路,对CMOS模拟开关输入、输出漏电流进行全温区漏电补偿,大幅降低了输入、输出端口漏电流,实现亚纳安级端口漏电流。基于40 V高压CMOS工艺进行电路设计和仿真验证,实测结果显示,在-55～125℃,输入、输出端口漏电流不大于0.75 nA,温漂约为6 pA/℃。     

忆阻器堆叠交叉阵列漏电流问题研究进展

忆阻器是一种新型的非易失性存储器,具有结构简单、功耗低、集成密度高、类突触性质等特点。忆阻器主要以交叉阵列的形式作为人工突触,被用于构造人工神经网络,然而,忆阻器的交叉阵列面临着潜在的通路漏电流问题,这阻碍了忆阻器的进一步应用。文章简要分析了忆阻器堆叠交叉阵列产生漏电流的原因,主要介绍了二极管-忆阻器、选通器-忆阻器、晶体管-忆阻器等多种抑制漏电流的方案,总结并展望了超大规模集成忆阻器的应用前景。     

漏电保护器测试系统的设计

漏电保护器的性能对人身触电提供的安全保护起着重要作用.而漏电保护器的性能由它的漏电动作特性参数决定.随着对漏电保护的可靠性提高,对漏电保护器的漏电动作特性参数的测试提出了更高的要求.采用ARMLPC2132设计的漏电保护器动作特性自动测试系统,能自动对漏电保护器特性参数进行测试,为漏电保护器的性能研究、质量检验及生产提...     

不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流

研究了不同厚度的超薄栅1.9nm到3.0nm器件在恒压应力下的栅电流变化.实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的.     

不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流

研究了不同厚度的超薄栅1.9nm到3.0 nm器件在恒压应力下的栅电流变化.实验结果显示应力诱导漏电流包括两个部分,一部分是由界面陷阱辅助隧穿引起的,另一部分是氧化物陷阱辅助隧穿引起的.     

半导体整流管高温负荷漏电流测试台的设计

本文是针对半导体整流器件高温性能负荷试验后，如何进行其准确的漏电流测试设备的研制进行简析。     

基于漏电流在线监测与实时图像技术的ADSS光缆电腐蚀研究

本文介绍了应用漏电流在线监测与实时图像技术对ADSS线路进行监测，应用在ADSS电腐蚀易发区域，安装试验装置进行监控，收集有效数据和图像资料构建电腐蚀发生模型，检验ADSS抗电腐蚀技术研究的理论成果。     

低漏电流、抑制NBTI效应的多米诺电路

NBTI导致的晶体管老化成为影响电路稳定性的主导因素,同时,降低电路的泄漏功耗是电路设计的目标之一。多米诺电路广泛应用在高性能集成电路中。本文提出了一种多米诺电路用来抑制NBTI引起的多米诺电路衰退并同时降低待机模式下的泄漏电流。在待机模式下,利用2个晶体管将标准多米诺电路的动态节点和输出节点同时上拉为电源电平,从而将保持器和输出反相器中的pMOS晶体管同时置为NBTI的恢复模式。使用全0输入向量和其中增加的一个晶体管的堆栈效应降低待机模式下多米诺电路的泄漏电流。实验表明针对NBTI效应,该方法降低了最多33%的性能衰退,并同时减少了最多79%的泄漏电流。     

钝化处理对GaN基LED反向漏电流特性的改善

通过采用硫代乙酰胺(CH3CSNH2)溶液浸泡和沉积SiNx薄膜对干法刻蚀后的GaN基LED进行了处理.处理后,LED器件在-5V直流电压偏置下的漏电流下降到约1/6.X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,CH3CSNH2溶液处理能阻止GaN表面吸附O杂质,起到钝化的作用.沉积SiNx介质薄膜能有效隔绝LED器件和周围的环境.因此,这种两步方法能钝化干法刻蚀后GaN的侧壁,有效地减小LED器件的漏电流.     

一种考虑漏电流最低损耗的控制器电子模块设计与实现

漏电流损耗占电路能耗的大部分,属于实时变化的动态过程,传统控制器采用堆栈方法,通过对输入信号的控制实现对漏电流损耗的控制,无法适应漏电流的动态变化,不能实现最低损耗控制。为此,设计一种考虑漏电流最低损耗的控制器电子模块,通过模拟电路与CPLD相结合的方法对漏电流最低损耗控制器电子模块进行设计,给出设计的总体结构。通过霍尔传感器对漏电流进行检测,利用比较器将检测的实际漏电流与参考漏电流进行比较,用CPLD形成对应的斩波驱动信号,发送至电压控制器,通过电压控制器对主开关器件的导通和断开进行控制,实现漏电流最低损耗的控制。软件设计中,设计一个调试软件,给出电流最低损耗控制程序和交替斩波程序。实验结果表明,所设计控制器电子模块的漏电流损耗很低,且运行效率高。     

Hg1-xCdxTe光伏探测器的表面漏电流机制及其钝化

表面漏电流能对Hg1-xCdxTe光伏探测器性能产生很大的影响,因此选择合适的钝化工艺尤其重要。本文主要论述了Hg1-xCdxTe光伏探测器表面漏电流机制及其钝化技术的发展状况。