用非晶态合金作中间层对Si_3N_4陶瓷进行扩散焊连接

研制了两种非晶态物质Ｃｕ_（５０）Ｔｉ_（５０），Ｃｕ_（５０）Ｔｉ_（５０）Ｂ作为对Ｓｉ_３Ｎ_４扩散焊连接的中间层材料．研究结果表明：用非晶态作为中间层可改善工艺条件，降低扩散焊温度；非晶态中间层接头比其相应晶态中间层接头的剪切强度有明显提高．其中硼对提高接头剪切强度贡献很大．用非晶态Ｃｕ_（５０）Ｔｉ_（５０）Ｂ作中间层时，接头强度最高可达３４０ＭＰａ用晶态和非晶态Ｃｕ_（５０）Ｔｉ_（５０），Ｃｕ_（５０）Ｔｉ_（５０）Ｂ作中间层对Ｓｉ_３Ｎ_４进行扩散焊连接的机制是：活性元素Ｔｉ向陶瓷界面扩散和富集并与Ｓｉ_３Ｎ_４发生反应生成界面相ＴｉＮ，ＴｉＳｉ_２等．从而实现连接．     

原位合成TiB/Ti基复合材料增强体的生长机制

利用Ｔｉ与Ｂ之间的自蔓延高温合成反应,经非自耗电弧熔炼工艺制备了ＴｉＢ增强的钛基复合材料,借助Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）,扫描电镜和透射电镜分析了复合材料的物相和增强体的形态,结果表明：只存在ＴｉＢ增强体和α－Ｔｉ。原位合成增强体ＴｉＢ的形貌与其Ｂ２７晶体结构密切相关,ＴｉＢ增强体容易沿（０１０）方向生长而生成柱状短纤维,其柱面由（１００）,（１０１）和（１０１）组成。     

自生复合材料（Al－TiB_2－TiC）的燃烧合成研究

本文研究了Ａｌ－Ｔｉ－Ｂ４Ｃ体系的燃烧合成过程，用粉末（Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ４Ｃ）通过燃烧方法，来制备复合材料（Ａｌ－ＴｉＢ２－ＴｉＣ）．采用ＤＴＡ、ＸＲＤ和ＳＥＭ技术对复合材料的形成和结果进行了分析研究，得到如下结果：分别用８０％Ａｌ＋２０％（３Ｔｉ＋Ｂ４Ｃ），９０％Ａｌ＋１０％＋１０％（３Ｔｉ＋Ｂ４Ｃ）原料粉末，通过快速加热可得到Ａｌ－ＴｉＢ２－ＴｉＣ，在制备过程中会产生少量的ＴｉＡｌ３．     

自生复合材料（Al—TiB2—TiC）的燃烧合成研究

本文研究了Ａｌ－Ｔｉ－Ｂ４Ｃ体系的燃烧合成过程，用粉末（Ａｌ，Ｔｉ，Ｂ４Ｃ）通过燃烧方法，来制备复合材料（Ａｌ－ＴｉＢ２－ＴｉＣ）。采用ＤＴＡ、ＸＲＤ和ＳＥＭ译复合材料的形成和结果进行了分析研究，得到如下结果：分别用８０％Ａｌ＋２０％（３Ｔｉ＋Ｂ４Ｃ），９０％Ａｌ＋１０％（３Ｔｉ＋Ｂ４Ｃ）原料粉末，通过忆热可得到Ａｌ－ＴｉＢ２－ＴｉＣ，在制备过程中会产生少量的ＴｉＡｌ３．     

氯化物熔体中电化学合成硼化钛

硼化钛是近年来很受重视的特种陶瓷材料，其特点是耐高温、抗腐蚀、导电性好，因而被认为是一种在结构材料和功能材料领域中都很有发展前途的材料。该论文通过对ＫＣｌＮａＣｌＫ２ＴｉＦ６ＫＢＦ４体系中Ｔｉ（Ⅳ）、Ｂ（Ⅲ）的阴极电极过程及电化学合成ＴｉＢ２的研究，探讨了该体系中Ｔｉ（Ⅳ）、Ｂ（Ⅲ）的阴极放电机理，确定了熔盐电解法制备ＴｉＢ２的优化操作条件。     

颗粒TiC增强铸造Fe—Cr—Ni基复合材料的制备工艺和显微组织

用液态反应合成法制备了颗粒ＴｉＣ增强铸造Ｆｅ－２８Ｃｒ－１２Ｎｉ基复合材料，探讨了工艺参数对显微组织的影响，结果表明，该复合材料由０．２￣５μｍ的多面体形ＴｉＣ颗粒和α－Ｆｅ基体组成，ＴｉＣ分布均匀弥散，无连接现象。     

原位合成TiC和TiB增强钛基复合材料的微观结构与力学性能

利用钛与Ｂ４Ｃ之间的自蔓延高温合成反应经普通的熔钐工艺原位合成制备了ＴｉＣ、ＴｉＢ增强的钛基复合材料。光学金相、ＥＰＭＡ、ＴＥＭ和Ｘ射线衍射的研究结果表明：存在匠两种不同形状的增强体,即短纤维状ＴｉＢ晶须和等轴、近似等轴状ＴｉＣ粒子。ＴｉＢ、Ｔｉ基体界面洁净,没有明显的界面反应,而ＴｉＣ、Ｔｉ基体界面有非化学配比的ＴｉＣ过度层存在。由于增强体承受载荷,基体合金晶粒细化以及高密度位错的存在,制备钛基     

Ti（Ⅳ）在氯化物熔体中的电化学还原

研究了ＫＣｌＬｉＣｌ熔体中Ｔｉ（Ⅳ）的电化学还原机理和钛沉积及沉积动力学,计算了各还原步骤传递的电子数。结果表明,Ｔｉ（Ⅳ）的电化学还原为三步电荷传递反应,即：Ｔｉ４＋→Ｔｉ３＋→Ｔｉ２＋→Ｔｉ。Ｔｉ（Ⅳ）的电化学还原速度由离子扩散速度来控制。在一定熔体组成及温度下,沉积物的性质依赖于电解时间及电解电位。在ＫＣｌＬｉＣｌ熔体中阴极电位为５００ｍＶ（相对钼电极）,电解时间为４ｈ时,可获得粘附性能好的钛沉积物,并观察到沉积物为细小结晶堆积起来的多孔体。钛的纯度可达９９．９％。     

Al_2O_3／TiB_2和Al_2O_3／TiB_2／SiC_W陶瓷复合材料在

研究了热压烧结工艺制备的Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２和Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２／ＳｉＣＷ陶瓷复合材料在１３００℃的氧化行为用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ／ＥＤＳＡ分析了材料氧化后的相组成及显微结构．结果表明：两种材料在１３００℃空气中氧化３０ｈ内的氧化增重符合抛物线规律，ＳｉＣ晶须的加入可明显改善Ａｌ２Ｏ３／ＴｉＢ２材料的高温抗氧化性．     

高压原位合成高致密TiCp／Ni3Al复合材料

采用高温高压（１．５－６．５Ｇａ，１０７３－１４７３Ｋ）方法，由Ｔｉ，Ｃ，Ｎｉ，Ａｌ四种元素娄末原料原位合成了ＴｉＣ颗粒增强Ｎｉ３Ａｌ金属间化合物基复合材料，其密度大于９８％理论值。其中ＴｉＣ颗业尺寸为纳米级，并讨论了ＴｉＣ晶粒尺寸与合成压力的关系，及对复合材料显微硬度的影响。     

颗粒TiC增强铸造Fe－Cr－Ni基复合材料的制备工艺和显微组织

用液态反应合成法制备了颗状ＴｉＣ增强铸造Ｆｅ－２８Ｃｒ－１２Ｎｉ基复合材料，探讨了工艺参数对显微组织的影响。结果表明，该复合材料由０．２～５μｍ的多面体形ＴｉＣ颗粒和α－Ｆｅ基体组成，ＴｉＣ分布均匀弥散，无连接现象。预制体中Ｔｉ和Ｃ的比例和加入时的温度越高，形成ＴｉＣ的可能性越大，ＴｉＣ颗粒尺寸越小，均匀性越好。冷却速度不仅影响ＴｉＣ的尺寸大小和分布，而且也影响其形核长大过程。     

燃烧合成非化学计量碳化钛基金属陶瓷组织与性能

以Ｔｉ粉和冶金碳黑为原料＝０．４２￣０．５０，经燃烧合成致密化制备了非化学计量碳化钕基金属陶瓷。物相分析与组织观察表明，金属陶瓷由非化学计量碳化钛和α－Ｔｉ相组成。Ｃ／Ｔｉ相组成，Ｃ／Ｔｉ增大，金属陶瓷中α－Ｔｉ相减少，碳化物晶粒尺寸增大，金属陶瓷的抗弯强度随Ｃ／Ｔｉ增大而降低，硬度则略有增加。     

原位合成TiC／Ti基复合材料增强体的生长机制

利用Ｔｉ与Ｃ之间的自蔓延高温合成反应,经非自耦电弧熔炼工艺制备了ＴｉＣ增强的Ｔｉ基复合材料。借助Ｘ射线衍射和光学金相显微镜分析了复合材料的物相和增强体的形态,结果表明,复合材料由ＴｉＣ增强体和基体Ｔｉ合金组成。     

TiB2—C复合阴极在铝电解槽上的应用效果

采用碳素厂直接生产的ＴｉＢ２－Ｃ复合阴极在两台铝电解槽上进行实用工业试验，经一年多的对比考核，证明这种复合阴极的优点是：工艺简单、成本低、ＴｉＢ２不易脱落，原铝质量中钛含量低，提效降耗的效果为：电流效率提高０．９５％，节电９５ｋＷｈ／ｔ．铝是铝电解槽应用ＴｉＢ２技术的一大进步。     

TiB陶瓷的制备及其机械性能

Ｔｉ－Ｂ系有三种化合物：正交系的ＴｉＢ和Ｔｉ３Ｂ４、六方系的ＴｉＢ２．ＴｉＢ２因熔点高、硬度大、高温抗氧化性好、热传导率优异而适于用作结构材料．其制备方法有多种，如热压、ＨＩＰ、高压自燃烧法．对ＴｉＢ和Ｔｉ３Ｂ４化合物的烧结研究得较少．日本学者以ＴｉＢ２和钛为原料，在１９９℃，２８．５ＭＰａ下热压反应２ｈ制备密实的ＴｉＢ陶瓷．研究结果如下： 自蔓延高温合成法（ＳＨＳ）制备ＴｉＢ２粉以颗粒尺寸分别为２２μｍ和２μｍ的纯钛（９９．９％）和纯非晶硼为原料，以１： ２的摩尔比于法混合两种粉末，时间为３０ｍ…     

石墨添加对原位合成钛基复合材料微观结构与力学性能 …

利用钛与Ｂ４Ｃ,石墨之间的自划算高温合成反应经普通的熔铸工艺原位合成制备了等摩尔ＴｉＣ和增强的钛基复合材料,光学金相、ＥＰＭＡ、ＴＥ几Ｘ射线衍射的研究结果表明：存在两 不同形状的境强体,即短纤维状ＴｉＢ晶须和等轴、近似等轴状ＴｉＣ粒子。境强体与Ｔｉ基体界面洁净,没有明显的界面反应。由于境强体随载荷,基体合金晶粒细化以及高密度位错的存在,制备钛基复合材料的机械性能有了较大的提高。石墨的加入导致形成更     

TiB_2－C复合阴极在铝电解槽上的应用效果

采用碳素厂直接生产的ＴｉＢ２－Ｃ复合阴极在两台铝电解槽上进行实用工业试验，经一年多的对比考核，证明这种复合阴极的优点是：工艺简单、成本低、ＴｉＢ２不易脱落，原铝质量中钛含量低，提效降耗的效果为：电流效率提高０．９５％，节电９５ｋＷｈ／ｔ·铝，是铝电解槽应用ＴｉＢ２技术的一大进步。     

钢表面激光熔覆Fe基TiC陶瓷涂层的研究

采用高功率ＣＯ２激光器在２０钢表面熔覆Ｆｅ基自熔合金与ＴｉＣ陶瓷涂层，通过对其显微组织特征，化学成分和硬度分布以及耐磨性的分析测定，表明在选取合适的工艺参数条件下，可获得硬度高而又无孔洞的Ｆｅ基ＴｉＣ陶瓷涂层。     

自蔓燃高温合成（SHS）TiC—Al2O3陶瓷

本文采用自蔓燃高温合成（ＳＨＳ）技术结合热压工艺，以ＴｉＯ２粉，Ａｌ粉及石墨粉（Ｃ）为原料制备出了ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３陶瓷及（ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３）／Ｎｉ金属陶瓷复合材料，并对其组织结构及性能进行了研究。结果表明，本方法制备的材料性能优于传统方法制备的材料，适于作刀具。     

Ti—C—Al体系热爆合成过程

采用整体加热燃烧合成法（即热爆合成）制备了ＴｉＣ－Ａｌ复合体系，利用差热分析（ＤＴＡ）、Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）和扫描电镜（ＳＥＭ）等手段研究了Ｔｉ－Ｃ－Ａｌ体系中升温速度及Ａｌ含量对ＴｉＣ反应合成过程的影响，分析了Ａｌ基体对ＴｉＣ粒子的形成机理．结果表明，在ＴｉＣ反应合成过程中，首先是Ｔｉ与Ａｌ反应形成Ｔｉ与Ａｌ的化合物，放出热量，随后促使Ｔｉ与Ｃ的放热反应发生，合成ＴｉＣ时放热产生的高温使Ｔｉ与Ａｌ的化合物分解，从而制得ＴｉＣ－Ａｌ复合体系；升温速度及Ａｌ含量只有超过一定值时，该体系才能在较低温度发生热爆反应；当Ａｌ的质量分数从１０％升至５０％时，ＴｉＣ的粒度从５．０μｍ阵至０．５μｍ．