V-P-Fe系临界温度电阻的组份比分析

分析了临界温度电阻(CTR)各组份所起的作用,研究了3种样品的测量结果对应的电阻温度特性曲线,比较其不同组份的导电特性,得出在制作CTR时较为合适的各组份之比例V2O5∶P2O5∶Fe2O3=3∶1∶1和各组份相互牵制相互影响的关系:P2O5的量影响VO2微晶的稳定,也会影响Fe2O3的变价和电子的传导;在T>TC时,Fe2O3的量影响VO2导体性能,在T相似文献   

SnO2气敏元件的阻温特性及其机理讨论

根据氧表面吸附模式、载流子穿越势垒理论和陶瓷的显微结构理论,重点讨论了SnO_2气敏元件的阻温特性.由此得出各温区中影响元件固有电阻值的主要因素,为改善SnO_2半导瓷气敏元件的性能提供了一些参考理论.     

忆阻值的影响参数分析

为了分析参数对忆阻器忆阻值的影响,通过搭建忆阻器的Matlab仿真模型,运用控制变量法,分别设置外加激励幅值为1,2V,电压频率为1,2Hz,忆阻器横截面积为10,25 μm2,忆阻器长度为10,20 nm,对不同条件不同参数的忆阻器模型进行了大量仿真分析.计算各伏安特性曲线和忆阻值的具体变化范围,通过对仿真数据的统一比较分析得出了不同情况下忆阻值的变化规律.     

用PCVD制备的SnO2导电薄膜及其对NOx的气敏特性

本文利用PCVD方法制得了SnO_2导电薄膜,分析了其电学性能与沉积参数的关系,同时测得该膜具有负温阻特性,这种薄膜是n型半导体膜。在不同温度和不同NOx气体浓度下,对该膜进行了NOx气敏特性的测试。发现在常温下,SnO_2薄膜对NOx,具有较高的灵敏度,响应时间快的特性。     

掺Rh对纳米SnO2的气敏性能的影响

以无机试剂为前驱物,采用溶胶—凝胶法合成了纳米级 SnO_2,以此为基材掺入不同量 Rh 作为气敏材料制成气敏元件。测试了它们的阻温特性和气敏性能。通过比较它们对还原性气体的灵敏度和选择性,讨论了掺入 Rh 催化剂对纳米 SnO_2的阻温特性和气敏性能的影响。结果表明,纳米 SnO_2具有特征的阻温曲线。随着 Rh 催化剂掺入,不仅引起电阻增大,同时掺杂 Rh 占据表面活性位,使纳米 SnO_2对表面氧吸附时的物种类型相互转换的影响体现不出来。不过,在工作温度为300℃时。掺入0.2%Rh 催化剂使得纳米级 SnO_2对 C_2H_5OH 和 petrol、H_2的灵敏度提高了10倍以上,而且使其对 petrol 与 C_4H_(10)的选择性检测性提高了3倍以上,对 C_2H_5OH 与 CO 的选择性检测性提高2倍以上。     

炭黑/纳米Al2O3填充柔性压敏导电硅胶体系的研究

基于柔性触觉传感器中用到的压敏导电硅橡胶,研究添加纳米Al2O3对导电硅橡胶电特性的影响.从理论上研究纳米Al2O3改性的微观和宏观机理,并通过实验对添加不同量纳米Al2O3的压敏导电硅橡胶导电性、室温下的导电稳定性、压阻特性进行比较分析.实验结果表明:在炭黑浓度恒定的压敏导电硅橡胶中适量添加纳米Al2O3,可有效提高复合材料的导电性,稳定性,增大复合材料的压力敏感范围.     

CeO2掺杂对ZnO薄膜气敏特性的影响

ZnO薄膜进行CeO2掺杂,研究掺杂含量和热氧化对薄膜结构、表面、晶粒尺寸及气敏特性的影响.结果显示,用热蒸发制备的高纯Zn膜经500℃热氧化,获得c轴取向ZnO多晶薄膜.掺CeO2可抑制晶粒生长使颗粒细化平均粒径减小,同时改善了ZnO薄膜的体相化学计量比,Zn与O的比例从未掺杂时1∶1.28降到1∶1.191.XPS...     

鼠笼局部断裂的刚度特性及其转子动力学特性分析

本文针对带有局部断裂的鼠笼刚度特性以及其支承的转子系统动力学特性开展研究.首先基于力学分析推导了鼠笼局部断裂刚度理论计算公式.其次,基于带有局部断裂的鼠笼有限元模型进行其刚度计算,并采用最小二乘法对有限元刚度计算结果进行分析,提出了鼠笼局部断裂后的拟合经验刚度公式,通过对比分析得出局部断裂对鼠笼刚度特性的影响.最后,建立带有鼠笼局部断裂的两支点弹性支承转子系统的动力学模型,并仿真获得了带有鼠笼局部断裂转子系统的固有特性和振动响应的变化规律.结果表明:鼠笼局部断裂导致其刚度下降以及支承刚度不对称,引起转子系统临界转速下降,且水平、垂直振动有差异,轴心轨迹呈椭圆形.     

网络控制系统时延分布研究

时延是控制网络性能分析中最重要的一个因素.针对网络控制系统中最常用的拓扑结构和数据特性,基于统计网络演算,得出了系统在不同调度策略下的时延模型.利用该模型计算了控制网络中实时数据的时延分布和统计上界,并与确定性网络演算得出的时延上确界进行了比较,评价了该上确界的悲观程度.     

氧气对NOx传感器气敏特性的影响

实验采用丝网印刷技术制作了以钇稳定氧化锆固体电解质(YSZ)为固体电解质、NiO为敏感电极和Pt为参考电极的混合电位型NOx传感器,并在高温(450～750 ℃)含NO和O2气氛中测试其气敏性能.测试结果显示该传感器在450～500 ℃和550～750 ℃时分别表现为电势幅值随温度升高而减小的正电势和负电势;同一NO浓度下,电势和半圆弧型阻抗谱只是随着O2含量在一定范围内的增大而分别增大和缩小.考虑到O2会把NO氧化成NO2,同时结合对传感器的理化性能、响应电势和阻抗谱及工作机理的的分析,研究了O2对NOx传感器气敏性能的影响.     

掺杂合成纳米α-Fe_2O_3粉体及其气敏性能研究

采用溶胶凝胶法制备Eu2O3-Fe2O3(Eu2O3的质量分数为0~7%)纳米粉体材料,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,并进行了气敏性能测试。结果表明:合成的产物颗粒均匀、粒径细小。其中,质量分数为5%Eu2O3的烧结型气敏元件在145℃条件下对H2S有较高的灵敏度、较好的选择性及响应恢复特性,线性检测范围较宽,有望研制成气敏性能较为优异的H2S敏感材料。     

Ag掺杂的SnO_2酒敏薄膜敏感特性研究

采用非醇盐溶胶—凝胶工艺在A l2O3基片上旋转涂敷制得掺Ag的SnO2薄膜。原子力显微镜和扫描电子显微镜分析显示:薄膜晶粒呈球形,600℃热处理粒径为20 nm左右。热处理温度升高,晶粒尺寸增大。气敏性能采用静态法测试,掺Ag薄膜对体积分数为50×10-6乙醇和汽油气体的灵敏度分别为32.7和4.9,与未掺Ag薄膜的14.4和7.2相比较,提高了乙醇气体灵敏度,抑制了汽油气体灵敏度,使选择性得到改善。直流加热条件下,试样电阻和电容在老化初期变化较大,数天后趋于稳定,复阻抗分析表明:长期稳定性与晶粒间界处电阻和电容值的变化有关,来源于晶界势垒高度和势垒宽度的变化,其本质可能是直流偏压作用下晶界层中的离子迁移。     

低阻TiO_2基三甲胺气体传感器性能分析

按旁热式结构采用以TiO2为基质对InSb2O3Nb2O5氧化物不同的重量比去掺杂研制成的三甲胺(TMA)气体传感器,大幅度降低了加热功率和其在空气中的阻值,器件对响应TMA气体具有灵敏度高、响应时间快、恢复时间短、长期稳定等特点,对干扰气体NH3具有良好的选择性。     

基于管网特性曲线的分时变压供水研究

在分析了恒压和变压两种供水方式能耗的基础上,基于范宁公式建立了管网阻力特性模型,利用变频器、远传压力表和水泵特性估算出流量,根据不同用水量改变水泵工作扬程使其沿着管网阻力特性曲线移动,以达到水泵供给与用户需求间的能量平衡,从而实现节能的目的.在上海某高校宿舍区一段时间的应用实践表明,该宿舍区使用该技术后节约用水量17％、用电量28％,其单位水用电量节约13％.     

温度继电器温度特性检测系统的研制

为了实现温度继电器温度特性的检测,本文从应用角度出发,论述了一种基于空气测定法的简单实用、高精度的自动检测系统.本系统设计了电阻加热炉来模拟实现检测温场,并通过较长时间的预热和在试验腔的检测段放置孔板显著提高了温度均匀性,采用模糊算法按照设定的控温曲线对温场温度进行控制.在该系统中,还提出了电阻加热炉炉丝按功率分组策略,大大改善了电炉性能;并采取整体最小二乘法误差校准,有效提高了系统检测精度.     

基于分子模拟方法选择推进剂键合剂的研究

为从界面吸附以探讨含有奥克托金(HMX)和铝粉的固体推进剂的键合剂,采用Material Studio软件Discover模块和COMPASS力场,在不同温度条件下,分别模拟常用的三(-2甲基氮丙啶-1)氧化磷(MAPO)和三乙醇胺(TEA)键合剂在HMX晶体表面和铝粉(Al2O3)表面的吸附后发现:(1)MAPO和TEA在Al2O3表面的吸附能远大于在HMX晶体表面的吸附能;(2)TEA对HMX晶体表面的吸附能高于MAPO,可以判定在该体系下TEA作为HMX键合剂效果优于MAPO,数值模拟结果同实验摹本吻合;(3)数值模拟结果表明,随着温度升高,界面吸附能力先增后减.     

氩氧比对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制

利用射频磁控溅射技术在SiO2／n—Si和玻璃衬底上制备ZnO薄膜,研究了溅射气体氩氧比对薄膜特性的影响,在氩氧比为2：3下所制备的ZnO薄膜c轴择优取向相对较好,薄膜的颗粒随氩氧比的增加而增大,所制备的薄膜在可见光均具有较高的透射率,吸收边在360-380nm附近;并在以SiO。／n—Si为衬底,氩氧比为2：3,经过退火处理的ZnO薄膜上制作Ag-ZnO—Ag肖特基MSM叉指结构的紫外探测器,所制作的探测器在5V偏压下漏电流为3．3×10^-8A,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在365nm附近。     

Fast response of undoped and Li-doped titania thick-films at low temperature

The fast response of undoped and Li-doped TiO₂ operating at low temperature to hydrogen and oxygen is investigated. The TiO₂ sensors are fabricated using thick-film technique. The prepared materials exhibit the presence of only rutile phase of TiO₂ but enlarged crystal lattice parameters were confirmed by X-ray diffraction (XRD). Scanning electron microscopy (SEM) shows that the grain size of the material has not obviously changed with different Li-doping (2–4 mol%), but the undoped is much smaller. Kroger–Vink model indicates that Li mainly substitutes for the lattice point of Ti. Because the material resistance decreases as the oxygen pressure increases, Li-doped samples can be regarded as a p-type semiconductor compared with pure TiO₂. The operating temperature of the Li-doped TiO₂ samples is found to be lower than that of pure TiO₂ in H₂ and O₂ environment. At less than 3 mol% Li content, the response time of the Li-doped TiO₂ gas sensors is much shorter than that of pure TiO_2, at the same temperature under both H₂ and O₂ environment. Moreover, the sample of 3 mol% Li-doping exhibits the best response characteristics. The response mechanism is suggested to arise from the conduction holes ionized by Li and the surface potential barrier change in different gas environments.     

小麦抗源品种Garuda“S”抗秆锈病基因单体分析

用中国春单体系列和对Ｇａｒｕｄａ＂ｓ＂无毒性的两个小麦秆锈菌系２１Ｃ３ＣＴＲ和３４Ｃ２ＭＫＲ对Ｇａｒｕｄａ＂ｓ＂进行了抗秆锈病基因的单体分析,并将Ｇａｒｕｄａ＂ｓ＂所含的抗秆锈基因与国际上已命名的Ｓｒ基因进行了异同比较。结果表明：Ｇａｒｕｄａ＂ｓ＂在２Ｂ染色体上含有Ｓｒ９ｂ,它抗秆锈菌系２１Ｃ３ＣＴＲ,侵集型为０－２－;在６Ｂ染色体上携带抗病基因Ｓｒ１１,它只抗３４Ｃ２ＭＫＲ,侵染型为０－;１;在５Ｄ染色体上含有兼抗２１Ｃ３ＣＴＲ和３４Ｃ２ＭＫＲ的抗病基因Ｓｒ３０,它控制０－２的侵染型。对无毒性的菌系,Ｓｒ１１对Ｓｒ３０的抗病效应是上位的。此外,Ｇａｒｕｄａ＂ｓ＂对秆锈菌系２１Ｃ３ＣＴＲ的抗性可能是Ｓｒ９ｂ和Ｓｒ３０累加作用的结果,或许还有其它修饰基因的影响。