离子束辅助沉积MoS2复合膜的XPS和ESR特性分析

通过ＩＢＡＤ技术制备了ＭｏＳ２＋Ａｇ（Ｃｕ）复合膜,并利用ＸＰＳ和ＥＳＲ考察了复合膜的氧化情况。发现在ＲＨ为６０％的大气环境下,Ｃｕ的掺入加速了ＭｏＳ２的氧化,相反Ａｇ的加入却使ＭｏＳ２的氧化受到抑制;ＸＰＳ发现ＭｏＳ２＋Ｃｕ复合膜中存在Ｍｏ＾６＋,ＥＳＲ却并没有发现中间态Ｍｏ＾５＋;而ＸＰＳ没有检测到ＭｏＳ２＋Ａｇ膜中有Ｍｏ＾６＋,ＥＳＲ却发现Ｍｏ＾５＋。这说明Ｍｏ＾５＋受化学环境影响较大。     

IBAD MoS2-Ta复合膜的氧化行为研究

用XPS分别检测了在去离子水中浸泡 1 58h以及在 430℃高温加热 1h的离子束辅助沉积MoS2 Ta复合膜中Mo与S元素的电子结构。发现在浸泡和 430℃高温环境 ,MoS2 Ta复合膜的抗氧化特性远优于同样条件下沉积的纯MoS2 复合膜。结合TEM ,AES和XPS对MoS2 Ta膜的形态、结构、组成以及元素的化学态进行的观察和分析 ,讨论了这种膜抗氧化性能提高的可能机制     

离子束辅助薄膜沉积

离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法，可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况，列举了具体应用领域，描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发，最后对IBAD的前景加以评论。     

离子束辅助沉积技术及其进展

本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理，主要工作特点，设备及主要影响因素，综 利用该技术在制备各种新膜层方面研究的新进展，并指出该技术的不足及未来发展方向。     

离子束辅助沉积技术及其进展

本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理，主要工作特点，设备及主要影响因素。综述了利用该技术在制备各种新型膜层方面研究的新进展。并指出该技术的不足及未来发展方向。     

IBAD MoS2—Ta复合膜的氧化行为研究

用ＸＰＳ分别检测了在去离子水中浸泡１５８ｈ以及在４３０℃高温加热１ｈ的离子束辅助沉积ＭｏＳ２－Ｔａ复合膜中Ｍｏ与Ｓ元素的电子结构。发现在浸泡和４３０℃高温环境,ＭｏＳ２－Ｔａ复合膜的抗氧化特性远优于同样条件下沉积的纯ＭｏＳ２复合膜。结合ＴＥＭ,ＡＥＳ和ＸＰＳ对ＭｏＳ２－Ｔａ膜的形态,结构,组成以及元素的化学态进行的观察和分析,讨论了这种膜抗氧化性能提高的可能机制。     

Se离子束辅助沉积CIS过程的数值分析

通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术,在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程,建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上,以离子注入深度效应作为研究对象,从扩散均匀性角度进行模拟计算,并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比较分析,计算出Se扩散均匀性为90%时,采用离子束辅助沉积所需的衬底温度明显低于气相原子沉积所需的衬底温度。     

离子束辅助沉积制备多晶Al_2O_3薄膜

利用电子枪蒸镀 Al_2O_3,同时辅以 Ar 离子轰击的离子束辅助沉积方法(IBAD)制备 Al_2O_3薄膜,并与单纯电子枪蒸镀方法(PVD)制备的薄膜进行了结构和表面形貌的比较。IBAD 法可以得到结构均匀致密的γ-Al_2O_3晶态薄膜,而 PVD 方法仅能得到非晶态疏松的结构。分析结果表明,薄膜沉积过程中,提高离子轰击能量和增加基片加热温度在一定程度上具有相同的效果。     

离子束辅助沉积设备的研制

本文介绍了离子束辅助沉积设备的结构、工作原理、设备性能以及工艺试验初步。     

用离子束辅助沉积和计算机控制系统制备纳米薄膜复合材料

研制成功了一台计算机控制系统 ,用来改进用于纳米复合薄膜制备的离子束辅助沉积技术。计算机、石英晶体振荡器和模糊控制器使系统可以准确地调节沉积速率 ,提高生产效率 ,确保各种纳米复合薄膜如多层和纳米晶薄膜的质量     

离子束辅助沉积制备TaN薄膜的X射线衍射分析

利用离子束辅助沉积技术制备TaN薄膜，并对其进行X射线衍射分析。掠入射的X射线衍射分析得出：离子束辅助沉积制备的TaN薄膜是面心立方结构，晶格常数a为0．4405nm。根据X射线衍射分析，用屈服强度表征的TaN薄膜的显微硬度为16～20GPa，与文献上报道的显微硬度值接近。离子束辅助沉积制备的TaN薄膜宏观内应力较小，且都为压应力。晶粒尺寸大约在10nm左右，随着注入离子能量的增加，薄膜晶粒尺寸有长大的趋势。     

离子束溅射作用下聚四氟乙烯薄膜的制备方法

在多功能离子束辅助沉积装置上采用交替溅射和冷却聚四氟乙烯靶材的方法制备了薄膜。由XPS的结果可知，所得薄膜主要由CF2结构组成；FT-IR的结果表明，所得薄膜由C-F的最强吸收峰和聚四氟乙烯的特征吸收峰构成。所得薄膜的这些结构特征与聚四氟乙烯的结构是一致的。试验结果表明，用这种离子束溅射沉积方法可以获得聚四氟乙烯薄膜。     

离子束辅助沉积改善铝薄膜的取向生长

高性能的铝薄膜因具有低的声阻抗而广泛应用于声表面波器件的制备.本文运用Ar离子束辅助沉积技术,在64°Y-X切向的铌酸锂基片上成功的制备出(111)高度取向的铝薄膜,并研究了Ar离子魄注入角度对薄膜的织构形成的影响.结果表明,薄膜织构度对辅助离子束入射角度非常敏感,在辅助离子束入射角为35°时,薄膜(111)织构最强,电阻率最小,附着力最好,适合于声表面波器件中的应用.     

关于辅助沉积霍尔离子源的几个问题

本文目的在于改进霍尔源的设计,实现宽能、大束流、低气耗、低污染、能自动化控制的新一代霍尔源.     

Tc4钛合金上离子束辅助沉积TiC_xN_y膜的微结构与机械性质研究

利用离子束辅助沉积技术在Tc4钛合金基体上制备了TiCxNy膜。TEM观察揭示膜呈多晶结构，具有（111），（200）和（220）择优取向，AES和XPS分析进一步证实TiCxNy膜呈含氧配置。膜的硬度和摩擦特性与N含量有关，N的含量过高，其硬度与摩擦特性均会下降。在本实验条件下，N离子束的最佳辅助剂量为3×10（17）ions／cm2。干摩擦表明膜的抗氧化性能优良，其存在能有效抑制基体在摩擦过程中形成氧化层。又因腹的硬度高，润滑住良好，显著地改善了基体的磨损特性，特别是粘着磨损特性。     

离子束辅助沉积Al2O3薄膜的微观状态及其物理特性研究

本文利用透射电子显微镜、原子力显微镜、X光电子能谱等微观分析手段 ,系统研究了氧离子束辅助离子束沉积方法制备的Al2 O3 薄膜的化学成分、微观结构、表面形貌及其随退火温度的变化 ,并对Al2 O3 薄膜折射率、显微硬度和膜基结合强度等物理特性及其随沉积温度的变化进行了详细研究。研究发现 :用离子束辅助沉积制备的薄膜基本满足Al2 O3 的标准成分配比 ;在沉积温度低于 5 0 0℃制备的Al2 O3 薄膜以非晶Al2 O3 相a Al2 O3 为主 ;Al2 O3 薄膜的表面粗糙度、折射率、显微硬度随沉积温度的增加而增加 ;当沉积温度高于 2 0 0℃时 ,薄膜与基体间的膜基结合强度将随沉积温度的增加而下降。分析表明 :薄膜表面形貌与晶体内部的结构相变有关 ,薄膜的退火相变途径为a Al2 O380 0℃ γ Al2 O310 0 0℃ γ Al2 O3 +α Al2 O312 0 0℃ α Al2 O3 。     

离子束增强沉积TiN薄膜的研究

利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜，并对制备的TiN薄膜进行了AES，XPS，XRD，RBS和TEM等分析。结果表明：所制备的薄膜都有很好均匀性，TiN薄膜处在压应力状态；在溅射沉积的同时，在0～20keV范围内，N 和Ar 离子的轰击使得TiN薄膜的生长呈现不同择优取向；随着N 离子轰击能量的增加，制备的TiN薄膜的晶粒增大。