0.4～0.25μm时代的电极布线形成技术

<正> 1 前言关于 LSI 的高密度化,现以 DRAM 为例来说,则是从16M 开始至64M 出厂样品。对于逻辑电路来说,0.5μm 级的产品化正在开始。在 DRAM 中至256M 布线层数已达到3层,在逻辑系列器件中,自0.4μm 级以后,考虑到需要有4层到6层的多层布线技术,在横向高密度化的同时,向纵向方面的结构扩大问题就变得很重要了。电极布线形成技术其重要性在日益增加的同时也变得日渐复杂起来。另一方面,布线结构的多层化、复杂化,在其较难实现的同时,也招致 LSI 芯片成本的增大,这在 LSI 制造的整个成本中已占有了不可忽视的一部分。     

溅射成膜技术的最新动向——多元同时溅射薄膜组分的精密控制

1 引言 在真空中高速的原子和分子与固体表面冲撞时,把固体表面的原子撞击出来,这种现象叫做溅射。1964年美国西部电气公司在Ta薄膜集成电路的制造中采用溅射枝术制造工业薄膜以后引起了大家的重视,以电子行业作为中心迅速地发展起来。 近几年来,在超LSI的电极布线和磁盘介质的制造中广泛使用了溅射薄膜技术。这种生产装置具有自动化和生产率高的特点,适合于最新型的工厂使用。 由于器件研究方面正在向最新器件发展,对于研究所需装置提出的要求的难度增大,制造装置的厂家面临很大的困难。     

高速化LSI布线技术

日本已研制成能解决因高集成度而引起信号延迟的电极布线技术。过去的 LSI 靠发展微细加工技术获得高集成度,使栅布线以及扩散层越来越薄,增大了杂质扩散层的电阻,使信号馈送时间延迟,限制了高速化的进展。新技术是用气相生长法在器件上有选择性     

用聚酰亚胺作绝缘的三层金属化布线技术的研制

就IC、LSI的双层布线技术而言,采用代替以往用二氧化硅(以下记为SiO_2)作层间绝缘膜,用聚酰亚胺系树脂PIQ(注册商标,以下相同)的技术已获成功并且实用化。在其后的IC、LSI中,随着高密度、高集成化要求的增加,与器件进一步微型化的同时,采用三层以上多层布线的必要性引起了人们的重视。但是用SiO_2制作三层布线,存在如下几个问题。即:(1)用CVD(化学汽相淀积)形成SiO_2膜时,如图1所示的那样膜的剩余应力随着膜厚的增加急激地增大,所以堆集厚的SiO_2层容易产生裂纹;(2)由     

采用铝等离子CVD方法的多层布线技术

LSI技术的进步和发展是惊人的,现虽已进入了VLSI时代,但其发展趋势仍在持续。作为维持这种倾向的先导当然是制造工艺技术的革新。我们认为,图形的微细化、工艺的精密化等,今后将更加切实地向前发展。一方面,随着微细加工技术的进步,器件将更微细化,因而LSI芯片的大部分面积却被布线占据了。在有限的面积内,为了进一步提高集成度,提高密度,就必须采用多层布线技术。于是,多层布线技术在今后的工艺技术中将是最重要的课题。     

业界快讯

<正>NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术,布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方     

晶体鉴定技术的近况和动向

最近随着LSI向超LSI和半导体器件的微型化的进展,晶体的缺陷与器件的生产率有着密切的关系,迫切要求更准确地鉴定晶体的性能.随之,晶体的鉴定技术又向超微领域内的晶体缺陷、极微量杂质的鉴定技术方向发展,实际上多种多样的分析技术也发展利用起来.这些晶体鉴定方法的高度化,大多数依赖于典     

NTT公司开发CMOS的0.2μm电路

日本电信电话（NTT）公司已研制成为实现下一代LSI的基本技术——一超细W］CMOS电路。在加工技术上，采用可替代紫外线的X线，现用0．ZPm的工艺水平，已使器件做到小型化，速度可提高3倍，电压降低1／2，可用一节干电池工作，能使存储LSI高集成化和微处理器小型化，可开发携带式的电子产品。制作方法：用5OR微细加工，开槽后布线，使用在柏中只附着Al布线材料的薄膜生长技术。另外，在衬底中埋入氧化硅绝缘膜，可减薄衬底厚度NTT公司开发CMOS的0.2μm电路@一凡     

电子束光刻的发展趋势

一、前言最近随着超LSI研制工作的进展,亚微米加工技术引起了人们的普遍重视。从目前看,用于电子计算机的LSI,每片上的器件数比以前增加了2倍,今后还将继续增加。按这种增加速度到1980年,每一芯片上的器件数将达到10~6甚至超过10~7个。要把这样大数量的器件高密度地集成在一个芯片上,就要扩大芯片面积同时器件自身也需要进一步微细化,这样就要进行亚微加工。另外光1C,表面波器件,磁泡器件,超高频晶体管等也需采用微加工技术。     

采用离子注入的精密腐蚀法

最近,松下公司发表了可以采用现行的曝光方法和光致抗蚀剂以满足制作高密度LSI要求的腐蚀技术。它不仅作到了倾斜腐蚀,而且成功地研究了用离子注入技术进行精密腐蚀的新方法。研制超LSI的国家把如何提高电路的规模归结为微细加工技术的研究。特别是对各种曝光方法和优质光致抗蚀剂材料的研究二者是同时并重的,然而同时发挥这二者作用的光刻技术的重要性却常常被忽视。松下公司新的光刻方法在这一点上是引人注目的。虽然现在的光刻加工精度已经大为提高,但其中电极布线材料(A1、多晶硅等)的加工技术仍是重要的研究课题。加工时的主要问题大体上有二个:(1)衬底的     

半导体工艺用化学药品

近年来,半导体工业在微细加工技术方面取得了令人震惊的进步,集成电路每块芯片上的元件数也正在急剧地增加着。针对微细的LSI制造工艺这种迅速进步的情况,有关的外围行业生产也需要有相应的发展,化学药品当然也不例外。LSI制造工艺中使用的药品,包括有机药品和无机药品,种类相当繁多。随着器件的高密度化,不仅要求尽量减少药品中可能引起器件劣化的金属杂质,而且对于大大影响产品成品率等的微粒(尘埃),最     

科技简讯

日本富士通研究所在世界上首次开发出导电性抗蚀剂技术,该技术能解决最小尺寸小于0.18μm的逻辑LSI中的带电问题。预计在二十一世纪初,批量生产最小尺寸0.18μm的逻辑LSI中,选通电路氧化膜厚小于5nm。但是在这种超微细器件的实用上存在的严重问题是抗蚀剂的带电,因现在的抗蚀剂是绝缘体,故易带电,随着器件的微细     

NEC开发32nm逻辑LSI多层布线技术

NEC和NEC电子开发出了面向32nm工艺逻辑LSI的多层布线技术，布线间隔为100nm。通过改变low-k膜的成膜方法，达到了32nm工艺LSI所需的性能，同时解决了绝缘耐久性过低的问题。     

TEOS等离子CVD膜形成中加氟气体的效果

一、前言用LSI多层布线技术的器件表面台阶形状越来越趋于复杂化、高纵横尺寸比化。因此，面对层间绝缘膜的要求，如何消除高纵横尺寸比布线间的掩埋和布线台阶问题，一年比一年要求严格，而使网复杂的层间绝缘膜成膜。本义介绍的内容就是上述的掩埋工艺技术。以往，人们都使用具有叠层结构的工艺，而这种叠层结构是由等离子TEOS／SOG／等离子TEOS或者等离于TEOS／臭氧TEOS／等离子TEOS等组合而成的。但是，到了亚微米时代，即使用以上那样的工艺亦可得到布线间的优良的膜质，而且能防止产生间隙，么是一个难题。由于间隙的存在…     

三维CAD及其有效使用方法

目前,半导体集成电路即将实现把几百万个晶体管集成到几平方毫米半导体芯片的超LSI,这样的发展完全是建立在以微细加工技术和短沟道MOS器件技术为主基础之上。但在尔后把1微米以下(亚微米)半导体器件作为集成电路基本器件的研制过程中,将会产生各种问题。一是三维立体结构将会给微细化半导     

全自动分子束外延装置

前言随着信息社会的高度发展,对半导体器件已有了更高的要求。提高半导体器件性能的方向之一,是以超LSI为代表的微细化以及高密度化,另一个方向是新型半导体材料的开发。如用GaAs制成各种器件。这类器件不仅包括集成电路,而且还有Si材料很难制成的半导体激光器件等光电子器件。     

浅议超五类布线系统的性能和应用

由于计算机技术和网络技术的高速发展 ,其传输数据的速度也越来越高 ,这样对传输介质即布线系统的性能的要求也就越来越高 ,现有的布线系统还能否满足要求 ?虽然目前已经有厂商推出超 5类、6类、甚至 7类产品 ,但是对于这些却没有统一的标准。本文从实际出发 ,对拟议中的超 5类布线系统的性能及其应用进行分析。     

SIT、MOS兼容型工艺和运算LSI

在IC,LSI高速器件的领域里曾经是双极型LSI独占的场所,到1970年代后半期,随着微细加工技术的发展,具有高集成度特点的MOSLSI在这个高速领域里也抬头了。然而,微细化技术的进步,双极型LSI也正在稳健地提高。即用电子束曝光和缩小投影曝光方式,即使对于包含外延工序的大直径硅片也能保持高的精度,连同干法刻蚀技术,双极型LSI的性能正在迅速地发展。     

医疗用电子器件生命保护神——防止误诊急需硅片上系统集成

众所周知,各种半导体元器件已渗透到所有电子机器,现在社会离开LSI电路芯片确实不堪设想。对于维护人类健康、进行医疗诊断的电子仪器,也毫不例外,医疗用LSI器件担负着人类生命保护神的重任。 本文以现在广泛使用的安全诊断医用超声波诊断仪为例,说明其重要构成器件精确无误地接收和处理诊断信息,为医生正确判断病情提供可靠根据。从这种意义上,说医疗用LSI器件是人类生命的保护神并非言过其实。医疗事故人命关天,为防止误诊对医疗用电子元器件提出极高的严格要求,特别是超声波诊断仪要求LSI电路实现硅片上系统集成(System On Silicon)化。当前,Inter-     

浅议超五类布线系统的性能和应用

由于计算机技术和网络技术的高速发展，其传输数据的速度也越来越高，这样对传输介质即布线系统的性能的要求也就越来越高，现有的布线系统还能否满足要求?虽然目前已经有厂商推出超5类、6类、甚至7类产品，但是对于这些却没有统一的标准。本文从实际出发，对拟议中的超5类布线系统的性能及其应用进行分析。