基于0.25μm CMOS工艺的1.8V Rail-to-Rail运算放大器

采用TSMC0．25μm CMOS工艺，设计实现了一种低功耗、高增益带有恒跨导输入级的Rail—to—Rail运算放大器。基于BSIM3V3 Spice模型，采用Hspice对整个电路进行仿真，在1．8V的单电源电压工作条件下，直流开环增益达到108．6dB，相位裕度为57．2度，单位增益带宽为5MHz，功耗为0．23mW。     

一种用于10位100 MSPS流水线A/D转换器的CMOS线性采样开关

分析了影响CMOS模拟开关性能的主要因素，针对10位100 MHz采样频率A／D转换器对输入信号动态特性的要求，设计了一种适合在3．3V电源电压下工作的CMOS全差分自举开关采样电路。基于0．35μm标准CMOS数模混合工艺，在Cadence环境下采用Hspice对电路进行了模拟。模拟结果显示，其无杂散动态范围达到95 dB，满足了A／D转换器采样保持电路对输入信号高动态范围的要求，也保证了电路的可靠性。     

一种高性能高动态范围CMOS模拟开关

基于3V、0．34μm CMOS工艺技术，设计了一种提高信号幅度的自举模拟开关，其线性区的导通电阻约为0．5Ω；输入信号通过该开关后，动态范围达到满幅度，并能将O～3V的时钟电压提升到0～6V。该开关适用于A／D转换器中的采样／保持电路和开关电容的滤波电路。     

恒电压增益的低电压Rail—to—Rail运算放大器

基于 Alcatel的 0 .3 5μm标准 CMOS工艺 (VT=0 .6 5 V) ,模拟实现了工作电压低达 1 .8V、电压增益偏差仅为 3 % (整个输入共模偏置电压范围内 )的运算放大器 ;电路的设计也避免了差分输入对中 PMOS管和 NMOS管的 W/L的严格匹配 ,增强了电路对工艺的坚固性。对输入差分对偏置电流的控制电路、差分输入对的有源负载和 AB类 Rail- to- Rail输出级进行了整体考虑 ,确保电压增益恒定的新型结构 ,使该运放在 2 V电源电压下 ,电压增益达到 80 d B(1 0 kΩ 电阻和 1 0p F电容并联负载 ) ,单位增益带宽为 1 2 MHz,相位裕量 72°     

一种改进的高速DAC电流开关及其控制信号的产生

系统分析了高速电流型CMOS数模转换器中电流开关对输出毛刺的影响,给出了减小输出毛刺的方法.改进了电流开关及其控制信号的产生电路.利用改进后的电路设计了一个8位数模转换器,在5V电源,满量程输出2 0mA条件下,模拟得到最大输出毛刺为3pV s,且电路在1 0 0MHz采样频率,1 0MHz信号频率下,无假信号动态范围达到53dB     

一种CMOS高速采样/保持放大器

文章分析了采样／保持电路的基本原理，设计了一种CMOS高速采样／保持放大器，采样频率可达到50MHz，并用TSMC的0．35μm标准CMOS工艺库模拟了整体电路和分块电路的性能。     

低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制

采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源电压时环振的单级门延迟时间分别为840ps和390ps．与体硅器件相比，全耗尽CMOS／SIMOX电路在低压时的速度明显高于体硅器件，亚微米全耗尽CMOS／SOI技术是低压低功耗和超高速集成电路的理想选择．     

高速8位流水线电流导引数模转换器的实现

本文介绍了笔者使用cadence设计的0．35um CMOS高速8位流水线电流导引数模转换器。电路采用了高速解码电路、双路并行处理、流水线等技术，使系统处理速度从传统的500M采样／秒达到1.5G采样／秒，输出差分电压在2个50欧姆的电阻上达到3．1V，电压精度达到1．55＊2^-1V。在国外同类设计中处于领先水平。     

一种基于0.35μm CMOS工艺的14位100MSPS DAC设计

基于 TSMC 0 .3 5μm CMOS工艺设计了一种工作电压为 3 V/ 5 V的 1 4位 1 0 0 MSPS DAC。 1 4位DAC在 5 0 Ω负载条件下满量程电流可达 2 0 m A,当采样速率为 1 0 0 MHz时 ,5 V电源的满量程条件下功耗为1 90 m W,而 3 V时的相应功耗为 45 m W该 DAC的积分非线性误差 ( IN L )为± 1 .5 LSB,微分非线性误差( DN L)为± 0 .75 LSB。在 1 2 5 MSPS,输出频率为 1 0 MHz条件下的无杂波动态范围 ( SFDR)为 72 d Bc。     

适用于中频采样的CMOS自举采样开关

分析了影响CMOS采样开关性能的非理想因素,针对中频采样A/D转换器对采样开关特性的要求,改进得到了一种新型的CMOS自举采样开关.较之传统栅压自举开关,此新型MOS采样开关能够消除由于阈值电压随输入信号变化所产生的非线性.基于0.18 μm标准CMOS数模混合工艺对电路进行了模拟,模拟结果显示,在输入信号为2.39 MHz正弦波,峰峰值为2V,采样时钟频率为100 MHz时,开关的无杂散动态范围达到116.7 dB,较之传统自举采样开关提高了15dB左右.试验结果表明该栅增压电路非常适用于高速中频采样.     

大容量光电交换技术研究

高效灵活地利用已有带宽,充分、高效和灵活地调度和控制各种粒度的业务,保证业务的生存性是光交换网络亟需解决的技术问题。为此文章探讨了融合光通路数据单元（ODUk）/分组的新型交换机制、光纤/ODUk/分组混合交换机制。文章认为新的交换机制和多粒度交换结构是超大容量实现和构建的关键,业务多粒度生存性及协调机制、业务适配、带宽分配、管理和控制、损伤监测等是需要研究的重点问题。     

光ATM交换技术异军突起

光ＡＴＭ交换是光交换网络和ＡＴＭ交换结构相结合而形成的一种颇具潜力的交换技术。本文分析了光ＡＴＭ技术产生的背景，描述基于使用超短光脉冲的广播－和－选择星形网络以及基于使用光矩阵交换的超正方体网络这两类信元交换结构，介绍了实现光ＡＴＭ交换的几项关键技术：超速信元产生、全光地址匹配和全光同步，探讨光交换技术未来的发展趋势和前景。     

半导体光开关工作电流和速率的理论分析

本文从载流子连续性方程出发，采用半导体双异质结概念，从理论上推出了计算半导体光波导开关工作电流和速率的理论公式，为器件选取工作电流和提高开关速率提供了理论依据．     

RF MEMS单刀四掷矩阵开关的研究

介绍了一个RF MEMS单刀四掷矩阵开关的设计，用四个串联式、电阻接触型、悬臂梁RF MEMS开关制作在微带电路板上完成。在频带1～5GHz内，单刀四掷矩阵开关的插入损耗〈0．8dB，开关隔离度〉38dB，驻波系数〈1．2。悬臂梁开关的激励电压为直流电压35～45V。     

ZXJ10TNES综合交换系统

从未来电信网络发展趋势出发,阐明了综合交换设备的发展方向,并介绍了中兴通讯股份有限公司的ZXJ10TNES综合交换系统。     

高性能交换机最新调度算法分析

随着互连网络规模不断扩大，以及各种大数据量传输应用的出现，对核心路由器和交换内核的性能要求越来越高。本文综述了交换内核研究领域的发展情况，介绍了基于交叉开关内核的各种单播和组播调度算法，既回顾了早期的算法，又对较高的算法做了阐述，以及对这些算法的对比分析；同时也对最新发展和研究方向做了一下讨论。     

高性能新型交换结构综述

 目前基于单级交换结构(single-stage switch)集中式调度的路由器已经不能满足Internet网络流量、网络规模和上层应用的快速发展.近年来,旨在提高路由器可扩展性、吞吐率、QoS能力的高性能交换技术,成为路由器技术研究中的一大热点.文章从体系结构、调度策略、QoS特性三个方面对高性能交换结构研究进展进行了综述,以可扩展性、实现复杂度、延迟和吞吐率保证、负载均衡及报文乱序为主要衡量指标分析比较了每一类交换结构调度算法的性能,最后提出下一步的研究课题和思路.     

国内外真空开关管发展动向

本文阐述当前真空开关管国内外发展动向,指出目前真空开关(包括真空开关管)国内发展现状与国外尚存在一定的差距,但通过技术改造差距正在缩小。     

IGBT作为硬开关和软开关应用的模拟

建立了用ＰＳＰＩＣＥ软件包模拟ＩＧＢＴ特性的等效电路模型,并利用此模型模拟了ＩＧＢＴ的硬开关和软开关特性。模拟结果表明,ＩＧＢＴ作为硬开关的关断电流波形由器件本身决定;作为软开关的关断电流波形则由外电路决定,即由与器件相联接的缓冲电容Ｃｓ决定。得到的结论是,器件与电路的互相影响能够有效地用来折中器件的功率损耗与开关速度。     

Linux下的模式切换与进程切换分析

模式切换与进程切换是现代操作系统中两个非常重要的过程，该文基于Linux的内核源码，对Linux系统的模式切换与进程切换进行了较为详细的分析，并对这两个过程进行了比较。