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2001年 ,所有的5ESS交换机都要从10版升级到13版 ,在升级前要做的工作有扩SM和AM内存、做DUMPODD带等 ,而扩内存的工作是一个复杂而又重要的环节。1扩SM的内存在扩SM的内存之前 ,首先要确保待扩的SM上主备用两侧没有任何硬件和软件障碍 ,如果有什么问题 ,要先处理好才能继续扩内存的工作。(1)做BKUP—ODD ,用如下命令 :BKUP—ODDAM ;BKUP—NRODD :SM #;BKUP—RODD ;(2)禁止AM、CM及SM的例测REX。(3)在V8.6表(EMMEM)中insert:*1.SM__… 相似文献
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研究开发了一种准2μm高速BiCMOS工艺,采用自对准双埋双阱及外延结构.外延层厚度为2.0~2.5μm,器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化(简称PBLOCOS)隔离,双极器件采用多晶硅发射极(简称PSE)晶体管.利用此工艺已试制出BiCMOS25级环振电路,在负载电容CL=0.8pF条件下,平均门延迟时间tpd=0.84ns,功耗为0.35mW/门,驱动能力为0.62ns/pF.明显优于CMOS门. 相似文献
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CDMA移动系统(MS)中的 Tx链路系统框图示于图1。来自基带处理器MSM3000的基带信号由IFT3000(Qualcomm公司产品)调制为130MHz IF信号。此被调制的信号上变频到RF发射频率前必须由混频器进行频带限制。然后,激励器和功率放大器(PA)进一步放大RF信号。 在MS中,为了满足系统功率控制需要,在TX链路中,必须达到85dB的动态范围(DR)。Tx链路中3个自动增益控制(AGC)放大器提供此动态范围。IFT3000有84dB的DR,此对应于控制电压范围0.2~2.3V。MR… 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
东芝、IBM、西门子联合开发256MbDRAM据日本《SemiconductorWorld》1995年第8期报道,东芝、IBM、西门子联合开发256MbDRAM。通过采用0.25μmCMOS及单元阵列面积小型化技术,其芯片面积仅为285.5mm2。该... 相似文献
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本文提出了一种格形编码的正交频分复用(TC-OFDM)方案,研究把正交频分复用(OFDM)和格形编码(TCM)有机地结合,来克服时间色散信道中的频率选择性和多径衰落。文中对码率2/3格形编码的8DPSK-OFDM在时间色散信道中的误码率性能进行了分析和模拟,并讨论了不同正交载波数情况下格形编码的设计。结果表明,在比特误码率BER为10-3时采用TC-OFDM方案与未编码系统相比可以提供6dB的编码增益。 相似文献
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OPTICALFIBER-MOBILECOMMUNICATION¥FENGXi-Yu;SUNTie-Cheng(DalianUniversityofTechnologyDalian116023)Abstract:Thetechniqueofmobil... 相似文献
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江苏省会议电视网一期(省同)工程于1994年建成。是以南京为会议中心,采用主、从MCU(多点控制单元)二级级联星状辐射会议电视网.终端系统用VTEL公司的Radiance2MCODBC(编解码器)。全省共有13个地市,加之省委、省政府、省局:省传输局共17个终端,配有2台MCU,主MCU12端口,从MCUS端口,利用EI端口按区域分别与苏北地区和苏南地区的会议终端系统相联。终端设备及MCU经过不断升级.现在CODEC为9.43版本,MCU为5.0D3版本。省网一期系统大部分为政府部门工作会议,到… 相似文献
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介绍了一种C波段反射型GaAs MESFET雷达介质稳频振荡器(RDRO),进行了理论分析和数学模拟,并借助计算机利用Ansoft公司的Serenade7.0软件进行优化设计。通过理论计算和计算机辅助优化,可以获得较好性能的振荡器。实现了谐频率f0=5.06GHz,输出功率8dBm,从室温到60℃范围内频率稳定度可达3ppm/C。 相似文献
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MC68HC05SR3芯片介绍黄小平一、基本结构及特征MC68HC05SR3HOMOS微控制器是低功耗单片微控制器M68HC05家族的一员。这个S位的微控制器单元(MCU)包含有在片振荡器,CUP、RAMEOM、I/O,定时器及A/D。MC68HC0... 相似文献
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欧美的数字声音广播(DAB)技术 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍和比较了欧洲Eureka-147和美国USADR两种数字声音广播体制,讨论了信源编码算法MUSICAM,以及编码正交频分复用(COFDM)和带内同频(IBOC)传输技术。 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1999,(4)
据日本《エレクトロニクス》1999年第3期报道,日本NTT公司开发了SOI结构MOSFET,栅长为0.5μm,栅宽为0.8mm,RF特性为2GHz,19dBm,PAE为68%,工作电压为3.6V。能获得如此高的功率附加效率,主要是有效地降低了输出电容。此外,菲利普公司新开发的双极晶体管,通过改善器件的二次谐波调谐(Harmonictuning)来提高附加效率和降低输出电容。其RF特性为1.8GHz,0.5W(27dBm),PAE为71%和3.5V的工作电压,已接近GaAs高频器件的性能。SOI结… 相似文献