SAP前处理方式对30mm/30mm精细线路制作的影响

对于半加成法（SAP）制作精细线路,铜箔表面粗化处理效果直接影响其制作能力和产品良率。本文通过表面粗糙度测量、SEM分析和贴膜效果观察,分别对火山灰粗化、化学药水微蚀、喷砂等几种前处理方式的处理效果进行评估,并确定制作精细线的最佳前处理方式。     

一种新型PTFE覆铜板的精细图形制作前处理工艺优化

精细图形制作的前处理工艺对印制电路板的铜表面粗糙度影响很大。对一款新开发的PTFE覆铜板表面采取机械磨刷、喷砂研磨、化学微蚀3种前处理工艺,通过SEM及粗糙度结果分析了处理后铜面的粗化效果。结果表明,化学微蚀前处理方式有利于获得较好的铜面外观,采用相应的图形制作工艺参数可达到较好的线宽精度要求。     

前处理对化学沉镍金金面外观影响的研究

前处理方式对印制电路板化学沉镍金工艺的金面外观影响很大,借助SEM及台阶测试仪,从铜面的微观结构及粗糙度两方面分析了尼龙刷磨刷、火山灰磨刷、喷砂、化学微蚀等前处理方式对铜面的粗化效果。研究了组合前处理方式对铜面粗化效果的影响及铜面粗化效果与金面外观的关系。结果表明,化学微蚀或喷砂+化学微蚀的组合前处理方式有利于获得较好的金面外观。     

硫酸双氧水型超粗化剂BTH-2066的开发及在精细线路图形制作中的应用

介绍了新一代H2SO4/H2O2体系超粗化剂BTH-2066的工作原理、工艺及其在精细线路图形制作中的应用。BTH-2066超粗化处理过的铜表面成均匀的蜂窝状,显著地增大了铜箔表面积,为干膜、湿膜有着良好的粘合力提供了强有力保证。传统的H2SO4/H2O2体系化学清洗只对铜面有初步的清洁作用,铜面呈现半光亮或光亮状,铜面微观粗糙度低,对于3mil/3mil及以下的精细线路,很容易因粘附力不足而产生线路图形的缺陷,影响做板良率。BTH-2066超粗化具有稳定可控的微蚀速率,极佳的超粗化微蚀面,彻底地解决了铜面与干膜、湿膜之间机械粘合力的问题,可降低线路不良比率,增加细线路制作能力。BTH-2066超粗化是高精密线路制作化学前处理的首选工艺。     

超粗化工艺的优势及其实际应用所面临的挑战及解决

超粗化作为一种提高铜面粗糙度的工艺,常用于阻焊油墨前处理,可提高铜面与阻焊油墨的结合力,以防止表面处理后出现掉阻焊油墨现象。随着线路精细化要求越来越高,对铜面与干膜的结合力提出更高要求,超粗化工艺逐渐被引入线路制作前处理。本文简要介绍了超粗化应用于线路制作前处理在结合力等方面的优势,在生产实践中,透过干膜前处理引入超粗化工艺后出现的问题,探讨其根源,并提出改善措施,为后续厂商引入该工艺提供借鉴。     

不同前处理工艺对阻焊桥的影响

随着线路板布线密度的提高,阻焊桥宽度的逐渐减小,阻焊前处理日益显示其重要的地位,线路板表面的前处理效果直接影响着阻焊的良品率。本文通过扫描电镜、金相显微镜和3M胶带拉力测试等分析方法,分别对针刷＋不织布磨板、火山灰磨板,以及喷砂等几种前处理方式对阻焊桥板的效果进行了分析,并分别从无铅喷锡、化学沉镍金、化学沉锡等表面处理效果角度分析阻焊层受攻击程度,最终确定阻焊桥板制作的最佳前处理方式。     

利用湿法腐蚀提高红光LED外延片的发光效率

采用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行了表面粗化处理。研究了粗化温度、粗化时间对LED外延片表面形貌的影响,并利用原子力显微镜(AFM)、半导体芯片自动测试系统对LED器件的相关性能(形貌、I-V特性曲线、亮度和主波长)进行了表征。比较了粗化前后的LED亮度和电流特性变化。测试结果表明:利用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行表面粗化可以有效地抑制光在通过LED表面与空气接触界面时产生的全反射,得到性能更好的器件。实验结果显示,采用熔融态KOH,在粗化温度为200℃、粗化时间为8min时,能使制作的红光LED外延片发光效率提高30%。     

一种超粗化表面处理用于改善沉锡脱油的工艺探讨

沉锡工艺是一种代替传统热风整平的新型环保工艺,但沉锡工艺中的脱油问题一直是难以解决的问题,现通常方法是使用专用耐沉锡油墨或前处理使用超粗化药水处理板面,提高油墨和铜面的结合力,前两种方法的生产成本大大升高;本文根据现有的前处理方式,实验出适合沉锡使用的阻焊前处理方式,并列举该方式的具体应用。     

碳纤维复合材料的等离子粗化工艺研究

表面粗化程度是决定碳纤维复合材料金属化镀层结合力好坏的关键。文中对碳纤维复合材料表面开展了机械粗化、化学粗化和等离子粗化试验,对处理后的外观、水膜破裂时间及温度循环试验结果进行比较,找到最适合碳纤维复合材料的粗化工艺。在等离子粗化试验中,对等离子处理的放电电流、处理时间进行对比,最终得到等离子处理碳纤维复合材料表面的最佳工艺参数。     

ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率

采用氧化铟锡(ITO)颗粒掩膜,经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后制作了表面粗化的红光发光二极管(LED),并且研究了ITO腐蚀时间对粗化表面形貌的影响。测试结果表明,当粗化颗粒的大小为200～500 nm、腐蚀深度约200～400 nm时,能使制作的表面粗化红光LED在20 mA注入电流下光提取效率提高30%以上。并且,表面粗化不会影响LED的发光强度角度分布。     

先进封装表面金属化研究

先进封装是半导体行业未来发展的重要一环,是超越摩尔定律的关键技术。本文通过对不同封装材料进行表面金属化处理,发现粗糙度和镀层应力对镀层结合力均有显著影响。选择合适的粗化方法及低应力电镀铜镀液可以在不显著增加封装材料表面粗糙度的情况下提高镀层结合力（剥离强度>0.53 N/mm）,从而有利于制作精细线路（线宽/线距=15μm/15μm）。     

有机封装基板界面处理工艺对结合强度与可靠性的影响

封装基板分层是塑封电路常见的一种失效模式,塑封基板分层会导致整个电路出现开路问题。基板分层通常与其界面间结合强度不足、基板水汽等有关。研究了铜表面的粗化处理、味之素堆积膜（ABF）表面的等离子清洁对铜和ABF表面的形貌、粗糙度以及界面间结合的影响,粗化后的铜表面与ABF树脂的剥离界面分析结果证明界面间断裂失效属于物理结合力失效。同时还对基板加工过程的吸水率及不同烘烤参数对除水效果的影响进行了研究。通过引入铜面粗化处理、等离子清洁和增层前烘烤,解决了基板封装后出现分层的问题,同时封装后的产品通过了部分热可靠性测试。     

基于NSCT和形态学的微透镜表面分割

为有效分割精密光学微透镜及微透镜阵列的表面不同特征区域,结合具有良好平移不变性、多尺度多方向分解能力的非下采样轮廓波变换(NSCT)和数学形态学运算,提出了一种微透镜表面特征边缘提取方法.采用非下采样轮廓波变换分解微透镜表面,得到粗尺度系数和精细尺度系数.粗尺度系数采用数学形态学处理,获得近似特征边缘;精细尺度系数根据变换域系数模值、硬阈值处理后得到细节边缘.融合粗尺度和精细尺度边缘作为微透镜表面的边缘.实验表明,该方法可准确识别透镜表面的特征边缘,比传统的边缘算子更为有效.     

不锈钢基高导热板材表面处理工艺研究

不锈钢基高导热板材因其优良的耐酸碱性和磁吸附性,成功取代了铜基和铝基等常用高导热金属基板材在特殊应用领域如海洋基建设施,船舶工业等易受酸碱侵袭环境下的应用;而在整个不锈钢基板生产制作过程中,不锈钢基板热应力分层起泡问题是困扰业内各生产厂家的一大难点;本文以不锈钢为研究对象,通过从化学和物理角度两个方面对比不同的不锈钢表面处理方式,对其分层起泡问题的改善作用;最后选择了一种钢材粗化、涂布偶联剂＋半固化片相结合的表面处理方式,可以从根本上杜绝不锈钢板分层起泡问题。     

用于精细印制电路的无粗糙化铜箔技术

随着电子整机的多功能化、小型化．半导体元器件装配用的基板线条也逐渐趋于微细化。印制电路板一般用的铜箔（以下称为一般铜箔）表面都经过了粗糙化处理．在蚀刻成为线路时．铜箔的粗糙化部分嵌入粘合结构中很难蚀刻干净．所以不适合制作精细线条的印制电路板。为此．日立化成公司研发成功了一种表面不进行粗糙化处理．表面粗糙度在1．5μm以下，表面较平滑适合于制作精细印制电路的铜箔（以下称无粗糙化铜箔）。一般认为．表面平滑的铜箔其抗剥强度较低：但这种新开发的铜箔表面经过了特殊处理．仍然与低轮廓铜箔相当，保持0．7kN／m以上的抗剥强度。采用这种无粗糙化铜箔．以减成法可蚀刻成60μm线宽的精细线路。并顺利地进行无电镀镍／金工艺作业．减少了对镀浓的污染。当前正处于高速度、大容量的信息化时代．使用这种新型铜箔的线路与一般铜箔者相比．同样是传输5GHz的信号，线路的衰减将降低8dB／m。此项技术将对商逮印制电路板基材的研发起到积极作用。     

片式减成法30μm／25μm（线宽／间距）COF精细线路的制作

随着晶片封装技术的不断发展,要求基板线路的精细度越来越高,50μm／50μm以下的COF（Chip on Flex）精细线路将成为未来发展的主流,但精细线路的制作一直是FPC生产上的难点,当线路在50μm／50μm以下时,成品率较低难以满足量产化的要求。本文中以公司的现有设备为基础,通过传统片式生产线,选用12μm铜箔作为基材、15μm干膜作为抗蚀层,使用玻璃菲林进行图形转移,同时通过表面处理、改变曝光、显影和蚀刻参数等,对30μm／25μm的精细线路进行研制,并通过金相切片测试仪、三次元测试仪、AOI（Automatic Optical Inspector）等对产品进行检查。结果显示,线宽、蚀刻系数和成品率都能达到小批量生产的要求。     

化学微蚀工艺对铜面表观粗糙度的影响研究

随着电子产品朝轻小薄方向发展,PCB产品布线密度也在不断增加,这也给线路制作带来更大的挑战。化学微蚀作为线路制作的关键因素,研究其对铜面粗糙度的影响显得越来越重要。本文研究了硫酸-过硫酸钠、中粗化和超粗化三种化学前处理体系对铜面表观粗糙度的影响,利用三维非接触式光学轮廓仪测量微蚀后铜面的粗糙度,得到每种药水微蚀量和铜面粗糙度的变化规律。结果表明:在药水组成一定的条件下,铜面经硫酸-过硫酸钠处理后的粗糙度与微蚀量变化相关性不大;中粗化处理的铜面粗糙度随着微蚀量的增大呈现出先增大、后减小、再增大的趋势;超粗化处理的铜面粗糙度随着微蚀量的增大呈现出先增大、后变平缓的趋势。     

不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响

从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。     

表面粗化提高倒装AlGaInP发光二极管的光提取效率

对发光二极管进行表面粗化能够大幅度的提高其光提取效率。利用晶片键合技术并采用湿法刻蚀的办法粗化n面AlGaInP表面制作了一种带表面粗化的倒装薄膜发光二极管。刻蚀后的表面形貌呈现金字塔状。270μm x 270μm管芯裸装在TO-18金属管座上,在20mA的注入电流下,粗化了的LED-I光强达到了315mcd,输出光功率达到了4.622mW,比没有粗化的LED-II的光功率高1.7倍。光功率增加的原因在于粗化后形成的这种金字塔状表面,其不但减少了背部镜面系统和半导体-空气接触面的反射,而且能有效的将光从LED中散射出去。     

ICP刻蚀GaP研究及对LED性能的影响

深入研究了GaP材料在高密度感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀选择比和刻蚀速率随刻蚀系统的源功率、射频功率、腔室压强的变化规律,即通过改变其中一个参数而保持其它参数不变来得出变化规律;同时将刻蚀GaP材料应用到红光LED制作,即电流阻挡层和表面粗化这两种工艺中,通过大量试验,得到了刻蚀形貌和最优的刻蚀条件,制作阻挡层的最优条件为:BCl3流量比为3/1,ICP功率为600W,RF功率为100W,腔室压强为1.0×10-2Pa;表面粗化时只用BCl3气体刻蚀,表面粗化后LED的光强提高了30%。