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介绍了一新型的用于(n,2n)反应截面测量的由“80根3He正比计数管和聚乙烯慢化体”组成的3He球形4π中子探测器的优化设计,并采用蒙特卡罗方法计算了探测器系统的单位中子能量注量响应,提高了探测器的设计效率,也为实验验证提供参考依据. 相似文献
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介绍了低纹波、低功耗3He中子探测小型直流高压电源的设计。该直流高压电源核心部分采用MAX1771芯片、电感和MOS管构成自激振荡,并经后级的多级倍压电路进一步放大输出电压,滤波电路选用π型滤波网络,纹波可控制在20 mV以内。测试结果表明:该直流高压电源输出电压范围为1.0~1.5 kV可调,输出电流最大可达到0.535 mA,静态功率损耗最大为0.3 W,总体指标达到3He中子探测器的电源要求。 相似文献
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利用Cs2LiYCl6:Ce(CLYC)探测器替代中子孔隙度测井中的3He中子探测器,已成为石油测井仪器发展的新思路。为探究在中子孔隙度测井中使用新型探测器的可行性,通过蒙特卡罗模拟,研究了CLYC探测器在不同6Li纯度和探测器尺寸下的热中子计数通量,同时与不同内部气压下的3He探测器热中子计数结果进行对比;另外根据仪器使用不同探测器时获取的中子孔隙度响应,验证了CLYC探测器的可替换性。研究表明:新型CLYC探测器在6Li纯度高、探测器尺寸大时热中子计数效率高;相比于3He中子探测器,热中子探测效率较低的CLYC探测器经过源距组合分析优化后,得到的中子近远比响应结果与3He中子探测器近似,能够有效应用于地层孔隙度获取。 相似文献
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第三代SiC半导体探测器具有体积小、响应时间快、中子/伽马(n/γ)甄别容易等优点,广泛应用于反应堆堆芯剂量监测。本文针对自研的第三代Si C半导体探测器,采用电子束蒸发真空镀膜的技术将中子转换层材料6LiF(6Li丰度为95%)喷镀到SiC基底上,厚度为25μm,实现了中子转换层厚度优化。利用241Am α放射源(活度9.37×103 Bq)开展α粒子响应信号幅度的测量,并在137Cs γ放射源(活度6.23×107 Bq)环境下开展γ射线的响应测试。另外,在标准辐射场系统中进行了SiC探测器的中子注量率响应线性度测量、γ剂量率响应线性度测量以及中子注量率响应线性标定。结果表明:该探测器在1×103~1×106 cm-2·s-1中子注量率范围内线性响应拟合R2=0.996 9,具有良好的线性响应,n/γ剂量响应范围为0.005~20 Gy·h-1,可用于核电现场反应堆中子和γ剂量的实时、精... 相似文献
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BF3中子探测器阵列探测效率的蒙特卡罗计算 总被引:1,自引:0,他引:1
在用241Am-Be中子源对BF3中子探测器阵列探测效率标定的基础上,用蒙特卡罗方法对其探测效率进行了模拟计算,获得了比较满意的结果.然后用蒙特卡罗方法对BF3中子探测器阵列的探测效率进行了研究.研究结果表明,焦面探测器具有较好的探测效率. 相似文献
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^3He正比计数管作为一种气体探测器,在中子测量领域有着广泛的应用,如位置灵敏测量、飞行时间测量、石油勘探测量、核材料衡算测量等。中子测量技术是核保障领域一种重要的非破坏性分析方法(NDA),广泛应用于核材料衡算与控制当中的测量分析。核保障领域的中子探测器通常采用^3He正比计数管。 相似文献
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为设计高性能的中子多重性计数器,采用MCNP4C计算软件建立3He管计算模型,模拟计算3He管的参数对多重性计数器探测效率的影响,针对中子多重性计数器中3He管进行了初步设计,以满足中子多重性测量要求。 相似文献
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利用兰州大学强流中子发生器出射的单能D-D中子对单晶TiO2(金红石相)进行辐照,分别测量了样品的正电子寿命谱及XRD谱。中子辐照会在样品内部产生大量的空位缺陷,由于晶格中Ti原子的位移阈能约为O原子的2倍,因此中子辐照在样品内部产生的空位缺陷以氧空位(VO)为主。结果表明,单晶内部捕获正电子的陷阱Ti空位(VTi)在中子辐照后电子密度增大,可能与Ti空位周围O空位的引入有关,O空位的出现减弱了Ti空位处的库仑排斥作用,使空位体积减少。后续测试的XRD也得到相同的结果,样品由于中子辐照而在c轴方向的晶面间距发生变化,并导致单晶TiO2的结晶度变差。 相似文献
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本实验采用eVProduct公司生产的共屏栅结构CdZnTe(CZT)探测器,建立了一套便携式铀富集度测量装置(图1)。该装置由CdZnTe探测器、屏蔽准直体、Inspector2000谱仪和一台笔记本电脑组成,采用VisualBasic语言对Genie2000系统进行二次开发,实现装置的控制操作和实时测量分析。 相似文献
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用于中子诊断的塑料闪烁探测器性能标定 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了用于脉冲中子诊断的塑料闪烁探测器特性,并通过K-400加速器和脉宽10ns的窄脉冲中子管分别刻度了探测器的DT中子探测效率和灵敏度。探测效率的计算值与实测数据在误差范围内是一致的。 相似文献
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相比于气体、闪烁体及常规半导体中子探测器,基于第三代半导体材料SiC的中子探测器具有体积小、响应快、位置分辨率好、抗高温和耐辐照等众多优点。其中抗高温和耐辐照是应用于核反应堆堆芯、高能物理试验和太空等高温高压以及强辐射环境下的中子探测器需要突破的瓶颈。论文总结和分析了SiC的材料特性,SiC中子探测器的结构、工作原理、国内外发展现状以及存在的问题,并对我国中子探测器的发展趋势进行了探讨。 相似文献
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