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本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。 相似文献
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论包装生产线的规划设计丁智平ＰＡＣＫＡＧＩＮＧＬＩＮＣＯＰＩＡＮＮＩＮＧＯＦＤＥＳＩＧＮＩＮＧ￥ＤｉｎｇＺｈｉｐｉｎｇＡｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｔｈｉｓａｒｔｉｃｌｅ，ｔｈｅａｓｐｅｃｔｓｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄｉｎｐｌａｎｎｉｎｇａｎｅｗｐａｃｋａｇｉｎｇ... 相似文献
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《国际设备工程与管理》1998,(3)
ＡＩＭＳＡＮＤＳＣＯＰＥＴｈｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＪｏｕｒｎａｌｏｆＰｌａｎｔＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇａｎｄＭａｎａｇｅｍｅｎｔ（ＩＪＰＥＭ）ｉｓａｎｅｗｊｏｕｒｎａｌｐｕｂｌｉｓｈｅｄｂｙｔｈｅＮｏｒｔｈｗｅｓｔｅｒｎＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃａｌＵ... 相似文献
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《国际设备工程与管理》1997,(2)
ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆＩＪＰＥＭＡＩＭＳＡＮＤＳＣＯＰＥｈｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＪｏｕｒｎａｌｏｆＰｌａｎｔＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇａｎｄＭａｎａｇｅｍｅｎｔ（ＩＪＰＥＭ）ｉｓａｎｅｗｊｏｕｒｎａｌｐｕｂｌｉｓｈｅｄｂｙｔｈｅＮｏｒｔｈｗｅｓ... 相似文献
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《国际设备工程与管理》1997,(4)
ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆＩＪＰＥＭＡＩＭＳＡＮＤＳＣＯＰＥＴｈｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＪｏｕｒｎａｌｏｆＰｌａｎｔＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇａｎｄＭａｎａｇｅｍｅｎｔ（ＩＪＰＥＭ）ｉｓａｎｅｗｊｏｕｒｎａｌｐｕｂｌｉｓｈｅｄｂｙｔｈｅＮｏｒｔｈｗ... 相似文献
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《国际设备工程与管理》1997,(3)
ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆＩＪＰＥＭＡＩＭＳＡＮＤＳＣＯＰＥｈｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＪｏｕｒｎａｌｏｆＰｌａｎｔＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇａｎｄＭａｎａｇｅｍｅｎｔ（ＩＪＰＥＭ）ｉｓａｎｅｗｊｏｕｒｎａｌｐｕｂｌｉｓｈｅｄｂｙｔｈｅＮｏｒｔｈｗｅ... 相似文献
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Liu Zhenkai Gui Zhonghua Cai Qing Northwestern Polytechnical University Xi’an P.R. China 《国际设备工程与管理》1996,(1)
ＴｈｅＰｒｉｎｃｉｐｌｅａｎｄＡｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅｏｆａＨｙｂｒｉｄＳｙｓｔｅｍｏｆａＮｅｕｒａｌＮｅｔｗｏｒｋａｎｄａｎＥｘｐｅｒｔＳｙｓｔｅｍｉｎＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＣＡＤｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＭａｃｈｉｎｅｓＬｉｕＺｈｅｎｋａｉＧｕｉＺｈ... 相似文献
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《国际设备工程与管理》1998,(1)
ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆＩＪＰＥＭＡＩＭＳＡＮＤＳＣＯＰＥＴｈｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＪｏｕｒｎａｌｏｆＰｌａｎｔＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇａｎｄＭａｎａｇｅｍｅｎｔ（ＩＪＰＥＭ）ｉｓａｎｅｗｊｏｕｒｎａｌｐｕｂｌｉｓｈｅｄｂｙｔｈｅＮｏｒｔｈｗｅ... 相似文献