225~512MHz宽带功放设计与仿真

摘要：根据宽带功放的设计原理,采用平衡式结构,负反馈技术,稳定化技术,传输线变压器以及微带混合匹配电路设计出了一款宽带功率放大器。用ADS对其进行优化仿真,通过分析仿真结果,可以看出在225MHz~512MHz的频段内,放大器功率增益可达到23dB,增益平坦度小于1.1dB,理想情况下输入输出驻波比达到1：1,并具有良好的稳定性。     

宽带CMOS低噪声放大器的设计

文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz～470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz～470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。     

程控增益低噪声宽带直流放大器的设计

介绍了程控增益低噪声宽带直流放大器的设计原理及流程。采用低噪声增益可程控集成运算放大器AD603和高频三极管2N2219和2N2905等器件设计了程控增益低噪声宽带直流放大器,实现了输入电压有效值小于10mV,输出信号有效值最大可达10V,通频带为0～8MHz,增益可在0～50dB之间5dB的步进进行控制,最高增益达到53dB,且宽带内增益起伏远小于1dB的两级宽带直流低噪声放大器的设计。     

宽带直流放大器系统设计

设计了一种增益连续可调的宽带直流放大器,通过单片机AT89S52控制数模转换器TLV5638来改变可变增益放大器AD8336增益的大小,实现了增益连续变化及预置增益以及显示的功能;此宽带直流放大器电压增益在0 dB～60 dB连续可调,3 dB通频带0～10 MHz,其中在0～9 MHz通频带内增益起伏≤1 dB,最大输出电压正弦波有效值V2≥10 V并无明显失真.     

基于反馈技术的宽带低噪声放大器的设计

介绍了宽带放大器的设计方法和负反馈技术。选用增益高、噪声小的高电子迁移率晶体管（HEMT）ATF54143,利用负反馈和宽带匹配技术,设计制作了一个高增益低噪声放大器,并借助于安捷伦公司的微波电路仿真软件ADS进行仿真和优化。测试表明,在50-300 MHz的频率范围内,低噪声放大器的增益大于22 dB,平坦度小于±0.3 dB,噪声系数小于1.25,输入驻波小于1.4,输出驻波小于1.3。     

CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计

文章设计了一种48MHz~860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB~18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。     

高精度宽带数字控制可变增益放大器的设计

设计了一种高精度宽带数字控制可变增益放大器,利用增益加强技术改进可变增益放大器的步进精度;同时,引入零点抵消技术,并加入源极负反馈电容,在不增加额外功耗的条件下,拓展了带宽。该电路采用0.18μm CMOS工艺,1.8V供电电源,增益动态范围为62dB,步进精度为1dB,步进误差为0.2dB。设计的可变增益放大器可以提供高达80MHz的带宽,整个电路消耗1.5mA电流,芯片尺寸为300μm×800μm。     

增益可调射频宽带放大器设计

本放大器由两级构成,3个OPA2695级联组成的固定增益同相放大器构成前级放大器,对输入信号做放大处理;后级增益可调电路由乘法器AD835实现,通过调整单片机DA输出控制总增益,最终实现通频带为0.3MHz～100MHz、增益0dB～+60dB可调的射频宽带放大器.     

高输出电压的宽带程控增益放大系统

设计了以电压控制可变增益放大器AD603为程控增益主体,以MSP430F449单片机为控制核心的高电压输出宽带程控增益放大系统.系统电压增益为0～60 dB可调,3 dB带宽2.5 MHz、5 MHz、10 MHz、15 MHz可调,最小输入电压有效值为1 mV,在50 Ω负载下最大不失真输出电压峰峰值为28 V,电压...     

一种0.03～1.7 GHz超宽带低噪声放大器的设计与制作

为了降低接收机前端的噪声,设计了一种超宽带低噪声放大器。选用噪声较小、增益较高且工作电流较低的放大管,利用负反馈和宽带匹配技术,结合ADS和HFSS微波软件辅助设计,放大器在30 MHz~1700 MHz范围内,增益大于31 dB,平坦度小于±0.5 dB,噪声系数小于2.3 dB,驻波比小于1.6。     

一种专用宽带低噪声前置放大器

描述了一种专用双极单片宽带噪声前置放大器。该放大器的开环增益60dB－3dB带宽2．5MHz,等效输入噪声电压1．6V√Hz。     

应用于软件无线电中的宽频带LNA的设计研究

文章描述了一种可应用于软件无线电接收机的射频(RF)前端,频率范围在800MHz到2GHz,特征频率为96GHz的宽带低噪声放大器(LNA)的设计。该设计采用微带线和微波晶体管器件,并使用MATLAB进行了仿真,结果表明其功率增益可达10dB,噪声系数(NF)在0.5dB以下。     

基于移动数字电视应用的宽带可变增益LNA设计

提出了0.13 μm CMOS工艺下可兼容多标准DVB-H/DAB/CMMB的移动数字电视调谐器射频前端双通道LNA设计。在UHF频段和L波段下,设计分别采用片上balun电路、双交叉耦合技术、开关转换电路、伪差分电路等技术以达到LNA宽带匹配、可变增益、低NF及高线性度的指标要求。版图后仿真结果显示:在UHF频段,仿真频率范围为470~860MHz,LNA增益范围为14.7~38.8dB,NF<2.4dB,IIP3=1.979dBm;在L波段,仿真频率范围为1.4~1.8 GHz,LNA增益范围为13~38.5 dB,NF<2.7 dB,IIP3=3.605 dBm。该设计较好地实现了多标准下LNA宽带可变增益性能。     

一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计

介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50～860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4～3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.     

一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计

介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50～860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4～3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.     

基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器设计

采用0.18μm CMOS工艺,针对DMB-T/H标准数字电视调谐器应用,设计了一个基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器.详细分析了噪声抵消技术的原理,给出了宽带低噪声放大器的设计过程.仿真结果表明,在48～862 MHz频率范围内输入输出反射系数均小于-20 dB,噪声系数低于3 dB,增益大于17 dB,1 dB压缩点为-6dBm.在1.8V电压下,电路功耗为10.8mW.     

100—400MHz超宽带低噪声放大器ADS仿真设计

设计了一个100—400MHz超宽带低噪声放大器。该放大器采用两级E-PHEMT晶体管（ATF54143）级联结构,每级都用独立电源供电。应用射频电路仿真软件ADS对匹配电路进行优化设计,最后通过原理图一版图联合仿真得到放大器的各项性能参数。在100—400MHz频带内,噪声系数（NF）小于0．3dB,带内增益大于32dB,带内增益平坦度±0．5dB以内,输入输出驻波比小于1．8。仿真结果表明,该设计完全满足性能指标要求。     

1MHz～40GHz超宽带分布式低噪声放大器设计

为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz^40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放大器结构及渐变分布式放大器结构,电路面积分别为1.8 mm×0.85 mm和1.8 mm×0.8 mm。电磁场仿真结果表明,1 MHz^40 GHz频率范围内,均匀分布式LNA增益为15.3 dB,增益平坦度为2 dB,噪声系数小于5.1 dB;渐变分布式LNA增益为14.16 dB,增益平坦度为1.74 dB,噪声系数小于3.9 dB。渐变分布式LNA较均匀分布式LNA,显著地改善了增益平坦度、噪声性能和群延时特性。     

宽带放大电路设计

宽带放大器是上限工作频率与下限工作频率之比远大于1的放大电路。这类电路主要用于对视频信号、脉冲信号或射频信号的放大。本设计以低噪声放大器OPA820为核心,5V单电源供电,设计并制作了带宽为10MHz的宽带放大器。整个系统增益可达45dB,最大输出电压峰峰值为10V左右,设计采用科学,合理的排版方式,避免了宽带放大器的自激影响,保证整个系统工作可靠、稳定。     

CMOS宽带可变增益放大器

设计了一种CMOS宽带、低功耗可变增益放大器.在分析使用源极退化电阻的共源放大器高频特性基础上,通过加入频率补偿电容改变放大器的零极点分布,在不增加功耗的情况下扩展了带宽.分析了放大器在低增益下出现的增益尖峰现象并加以解决.使用跨导增强电路提高了放大器的线性度.两级可变增益放大器使用TSMC0.25μm CMOS工艺.仿真结果表明,放大器在3.3V电压下核心电路功耗为3.15mW,增益范围0～40dB;在负载为5pF电容时3dB带宽大于340MHz,输出三阶交调点高于3.5dBm.