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相似文献
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1.
赵秀平  刘振茂 《半导体技术》1994,(2):46-48,F003
研制出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3半导体致冷材料,在室温附近最高优值系数达到3.3×10^-3/K,致冷器件制作结果表明,热电性能高于二元系半导体致冷材料。  相似文献   

2.
GSMBE原位生长SiGeHBT材料   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用GSMBE工艺生长的单晶SiGeHBT结构材料,经X射线双晶衍射,透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明:该材料晶体完整性好,无应力弛豫,界面平整陡峭.发射区N型掺杂浓度2e19~1e20cm-3,厚度100~200nm;基区SiGe合金Ge组分0.05~0.20,P型掺杂浓度5e18cm-3,厚度40~100nm;集电极浓度~1e16cm-3.达到了生长SiGeHBT材料的条件.  相似文献   

3.
(Na1/2Bi1/2)TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能   总被引:17,自引:2,他引:15  
研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3-SrTiO3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr^2+的引入对NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度TFA(180℃)以及居里温度TC(300℃)的影响都不大,但却较大幅度地降低了NBT材料的高顽场,从而使极化相对容易。(Na1/2Bi1/2)TiO-SrTiO3二元系的压电性能参数d33和kt分别达到100pC/N和0.45。  相似文献   

4.
在(100)取向半绝缘GaAs衬底上,采用独特的含有InSb非晶过渡层的两步分子束外延(MBE)生长了异质外延InSb薄膜。InSb外延层表面为平滑镜面,外延层厚度约为6μm,导电类型为n型,室温(300K)和液氮(77K)霍尔载流子浓度分别为n_(300K):2.0×10 ̄(16)cm ̄(-3)和n_(77K):2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3);电子迁移率分别为μ_(300K):41000cm ̄2V ̄(-1)S_(-1)和μ_(77K):51200cm ̄2V ̄(-1)S ̄(-1)。InSb外延层双晶衍射半峰宽为198arcs,最好的InSb外延层的半峰宽小于150arcs。采用InSb非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度,改善了InSb外延层的质量。  相似文献   

5.
脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为6.0cm的NiCr合金基带上制备0.13μm厚的Y-ZrO2(YSZ)隔离层,再用脉冲激光在YSZ/NiCr带上制备1.5μm厚的YBa2Cu3O7-x超导厚膜形成YBCO/YSZ/NiCr超导带材。实验测得在77K,0Tesla下其临界电流密度为8.75×104A/cm2,超导转变温度为88.6K。  相似文献   

6.
采用计算机控制的快速辐射加热、超低压CVD(RRH/VLP-CVD)方法生长了Si/Si0.7Ge0.3/Sip-型调制掺杂双异质结构.研究了该结构的输运性质,其空穴霍尔迁移率高达300cm2/V·s(300K,薄层载流于浓度ps为2.6e13cm-2)和8400cm2/V·s(77K,ps为1.1e13cm-2).  相似文献   

7.
采用Sol-Gel溶胶-凝胶的方法出了掺杂C60的Na2O-B2O3-SiO2干凝胶和掺杂C60的SiO2PDMS(聚二甲基硅氧烷)的凝胶材料。测量了纯C60粉的吸收光谱和掺杂C60偻的凝胶材料在不同温度下的发射光谱。观测到了C60/NBS在30K~200K温度范围C60的发光峰位于1.69eV,发光峰随着温度的升高向低能边有一较小偏移,并且谱峰强度减弱。对实验数据进行了拟合。分析了发光与温度的关  相似文献   

8.
还原再氧化型半导体陶瓷电容器材料的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过实验研究了Nd2O3、Nb2O5、Sm2O3添加量对还原再氧化型BaTiO3半导体陶瓷电容器材料性能的影响,同时优化了烧结工艺,获得了C>0.5μF/cm2,tgδ<3.5×10-2,ρ>4×1011Ω·cm,|△C/C|(-25~+85℃)<+30-80%,Vb>420V的实用半导体陶瓷电容器材料  相似文献   

9.
用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能。现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10 ̄(-4)Ω-cm ̄2的接触电阻。所以f_T和f_(max)的最高实际值仅分别为4.4GHz和3.2GHz。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到1×10 ̄(-6)Ω时,则6H/3CSiCHBT的f_T和f_(max)分别可达到31.1GHz和12.76Hz。  相似文献   

10.
本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀  相似文献   

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