共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
研制出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3半导体致冷材料,在室温附近最高优值系数达到3.3×10^-3/K,致冷器件制作结果表明,热电性能高于二元系半导体致冷材料。 相似文献
2.
3.
(Na1/2Bi1/2)TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能 总被引:17,自引:2,他引:15
研究了(Na1/2Bi1/2)TiO3-SrTiO3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr^2+的引入对NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度TFA(180℃)以及居里温度TC(300℃)的影响都不大,但却较大幅度地降低了NBT材料的高顽场,从而使极化相对容易。(Na1/2Bi1/2)TiO-SrTiO3二元系的压电性能参数d33和kt分别达到100pC/N和0.45。 相似文献
4.
在(100)取向半绝缘GaAs衬底上,采用独特的含有InSb非晶过渡层的两步分子束外延(MBE)生长了异质外延InSb薄膜。InSb外延层表面为平滑镜面,外延层厚度约为6μm,导电类型为n型,室温(300K)和液氮(77K)霍尔载流子浓度分别为n_(300K):2.0×10 ̄(16)cm ̄(-3)和n_(77K):2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3);电子迁移率分别为μ_(300K):41000cm ̄2V ̄(-1)S_(-1)和μ_(77K):51200cm ̄2V ̄(-1)S ̄(-1)。InSb外延层双晶衍射半峰宽为198arcs,最好的InSb外延层的半峰宽小于150arcs。采用InSb非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度,改善了InSb外延层的质量。 相似文献
5.
6.
7.
采用Sol-Gel溶胶-凝胶的方法出了掺杂C60的Na2O-B2O3-SiO2干凝胶和掺杂C60的SiO2PDMS(聚二甲基硅氧烷)的凝胶材料。测量了纯C60粉的吸收光谱和掺杂C60偻的凝胶材料在不同温度下的发射光谱。观测到了C60/NBS在30K~200K温度范围C60的发光峰位于1.69eV,发光峰随着温度的升高向低能边有一较小偏移,并且谱峰强度减弱。对实验数据进行了拟合。分析了发光与温度的关 相似文献
8.
9.
《微纳电子技术》1995,(5)
用一种简练的异质结双极晶体管(HBT)模型来模拟SiC基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在27℃(300K)到600℃(873K)下的6H-SiC/3C-SiCHBT。将其高频大功率特性与AlGaAs/GaAsHBT作了比较。不出所料,欧姆接触电阻限制了SiCHBT的高频性能。现在看来,在SiC上只能可靠地产生1×10 ̄(-4)Ω-cm ̄2的接触电阻。所以f_T和f_(max)的最高实际值仅分别为4.4GHz和3.2GHz。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到1×10 ̄(-6)Ω时,则6H/3CSiCHBT的f_T和f_(max)分别可达到31.1GHz和12.76Hz。 相似文献
10.
本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀 相似文献