WLP用喷镀装置中的匀流板优化设计

喷镀式电镀已广泛应用于圆片级封装(WLP)中,电镀杯是喷镀装置中最关键的部件,杯中的匀流板又是影响电镀质量关键。对匀流板的形状和位置进行了计算机模拟和优化,并实际应用于喷镀装置中,取得了很好结果。     

电镀技术在凸点制备工艺中的应用

简要回顾了微电子封装的发展历程;描述了FC、BGA、CSP以及WLP的基本概念;归纳了凸点类型以及各种凸点的不同用途;着重介绍了电镀金、金锡、锡铅、锡银和化学镀镍凸点的工艺过程,最后简单介绍了制备凸点的电镀设备。     

晶圆级封装中的SnPb焊料凸点制作工艺

以晶圆级封装工艺技术(WLP)研究为基础,阐述了电化学淀积SnPb焊料凸点的工艺控制过程。采用电化学淀积方法,制备出150μm高(均匀性为±10μm)的SnPb焊料凸点。经扫描电镜分析,SnPb焊料凸点的成份含量(63/37)控制在5%范围之内。     

制作圆片级封装凸焊点的垂直喷镀机研制

介绍了为满足微电子新颖封装——圆片级封装(WLP)在硅圆片上制作凸焊点的需要,根据有限元分析模拟优化,设计研制了FEP-1垂直喷镀机。该机可用于φ100-φ150mm(φ4-φ6英寸)圆片上电镀Au、PbSn、In等凸焊点。在150mm液晶显示驱动电路硅圆片上,用该电镀机电镀制作出了合格的高度为17μm、间距为20μm的金凸点。     

晶圆级封装微凸点脱落失效分析

随着晶圆级封装的技术发展,其可靠性倍受关注,微凸点的制备作为晶圆级封装实现高密度引出端的关键技术,其制备过程及可靠性至关重要,明确微凸点相关失效的原因对于提升微凸点的可靠性十分关键。针对晶圆级微凸点的拉脱异常失效进行了分析,采用SEM和FIB等分析手段,确定凸点拉脱强度由不足是UBM金属层失效所致,针对UBM失效的根本原因进行了分析,确定存放环境中的水汽对UBM种子金属的侵蚀情况,明确了失效机理,并提出了相关的改进措施,对于提高晶圆级封装微凸点制备的可靠性具备一定的指导作用。     

圆片级封装及带凸点倒装芯片简介

介绍了圆片级封装的定义、状况及支撑技术。     

埋置空气隙柔性凸点结构随机振动应力应变分析

机械振动疲劳失效是影响柔性晶圆级封装芯片互连结构可靠性的关键因素之一.应用埋置空气隙的柔性凸点结构进行随机振动条件下的有限元仿真分析,建立了三维有限元仿真模型,加载随机振动载荷后分析了X、Y、Z三个方向振动作用下各模态对应互连结构应力应变分布.研究结果表明,随机振动载荷条件下柔性凸点结构最大应力、应变分布位置出现在距离...     

激光重熔在钎料凸点成形中的应用

激光由于具有高能量输入密度以及可局部加热的优点而在面阵列电子封装钎料凸点成形中具有潜在的优势，介绍了激光重熔在面阵列封装钎料凸点成形中的研究进展，并且对PBGA共晶钎料球激光重熔进行了工艺研究，研究结果表明；采用合适的激光输入能量可以在非常短的时间内获得表面质量光滑的钎料凸点。     

MEMS压力传感器上柔性化凸点制备方法

介绍了一种适用于MEMS压力传感器的低成本、柔性化凸点下金属层(Under Bump Metal,UBM)和凸点(Bump)的制备工艺。其中凸点下金属层分为Ni-P/Cu两层,使用化学镀的方法沉积在Al焊盘表面;凸点通过焊膏印刷回流预制于陶瓷基片上,再通过转移工艺移植到焊盘上。为了检验此套工艺制出的凸点结构是否具有足够的强度,对凸点进行了剪切破坏试验。结果表明,凸点与凸点下金属层、凸点下金属层与Al焊盘均结合牢固,破坏主要发生在焊料凸点内最薄弱的金属间化合物层(Intermetallic Compound,IMC)。     

圆片级封装的无铅焊料凸点制作技术研究

对圆片级封装(WLP)的结构设计和关键工艺技术进行了研究;描述了凸点下金属(UBM)层的选择,凸点回流技术,以及凸点的质量控制技术;重点阐述了采用电镀制作无铅焊料凸点的方法.     

焊球分布模式对芯片下填充胶流动的影响

分析了在倒装芯片尺寸、相邻焊球中心之间距离相同的情况下,焊球点满布叉排排列和满布顺排排列对倒装芯片下填充流动的影响。并就焊球点布置密度不同,在顺排和叉排排列两种方式时,用相同的填充时间填充材料流动前端所走过的距离以及其分布情况进行了计算机模拟分析研究。     

技术评价:圆片级封装

本文对圆片级封装的定义、演变、进展状况及支撑技术进行了介绍和分析评论。     

大规模晶圆级焊球置放关键的成功因素

芯片规模封装是对焊球置放至晶圆、条和基板上有更快增长需求的技术之一。明确合适工艺所需的关键成功因素可以使我们确立一整套最佳的工作方法,并保证能达到生产能力、产量和置放焊球成本方面的目标。     

FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究

FeNi合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料.对两种FeNi UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试.通过断面与截面分析,研究其在不同处理条件下的金属间化合物生长情况,分析其断裂模式.结果表明,FeNi UBM焊点剪切力高于Cu UBM.Fe47Ni UBM与焊料反应生成的金属间化合物较薄,对于剪切力影响较小,而Fe64Ni UBM与焊料反应生成离散的CuNiSn金属间化合物,对于其焊点强度有提高作用,Cu UBM与焊料反应生成较厚的金属间化合物,会明显降低焊点的剪切力.断面分析表明,Cu UBM会随焊球发生断裂,其强度明显小于FeNi UBM.     

圆片级封装技术及其应用

本文介绍了圆片级封装的设计考虑、基础技术、可靠性、应用情况及发展趋势。