提高真空灭弧室额定电流下的开断次数

本文述叙真空灭弧室加强型纵向磁场的触头结构。纵向分量磁场的单位感应密度达到１０ＭｒЛ／ｋＡ。从而缩短了收缩型强电弧（１〉１０ｋＡ）变为准扩散型电弧的时间，在电弧由收缩型变为准扩散型之前，电弧在整个触头表面的运动是收缩在磁场横向分量上。控制这两种强电流电弧变态可以降低触头分断速度并且在保持短路电流分断能力的情况下能成倍地提高真空灭弧室的开断次数。     

大电流真空断路器的研究

本文研究的目标是测定电流峰值增至１００ｋＡ时要保持扩散型电弧的纵向磁场强度。磁场是由流过真空灭弧室（ＶＩ）外的线圈的电流产生的。用数码像机观察电弧并研究电弧聚集和电弧电压间的关系。１００ｋＡ（峰值）的电弧在５．５ｍＴ／ｋＡ时能保持扩散。然后，分析了触头速度的影响。测定了分闸电流与气体压力和瞬态恢复电压（ＴＲＶ）的关系。     

由纵磁场稳定的低压开断等离子体

采用纵磁场及低压脉冲开断等离子体，以便减少大电流应用中的触头烧蚀。脉冲时间为２８μｓ、电流幅值达５０ｋＡ时，等离子体很快地进入扩散模式。纵向延伸速度随电流的增加增加，并在５３ｋＡ时达到１０ｋｍ／ｓ。随着电流的增加，集聚型等离子体重叠到延伸的扩散部分。     

集聚型大电流真空电弧弧根的研究

用快速成像的ＣＣＤ摄像机可以研究集聚型大电流真空电弧下的阳极和阴极弧根。该研究在杯状触头上进行，采用振幅为２０－１００ＫＡ，半波宽度为１１．５ｍｓ的正弦电流。触 头分离时，电弧被拉开，并受电弧电流与横齿形触 头产生的横向磁场之间的朗兹力作用而加速。     

大电流开断时集聚型真空电弧向扩散型真空电弧的转变

本文描述了电流下降到零时，固定间隙为１０ｍｍ的平板触头间的大电流真空电弧的三种类型：（１）集聚型－－没有形成足够数量的单个阴极斑点；（２）集聚型－－除集聚的阴极根外，还有大量的阴极斑点；（３）扩散型。本文指出了大电流真空电弧在转变为扩散状态之前，最具代表性的型式是在其中同时存在触头边缘附近的集聚放电和一组自激有斑点。同时，也测量了从集聚型真空电弧向扩散型真空电弧转变的临界电流。     

用小触头间隙开断大电流的试验

为了研究触头间隙对大电流开断性能的影响，我们在两种商用的真空灭弧室上进行了一系列试验。我们把这两种灭弧室分别称作Ａ型和Ｂ型。在综合试验台上，对Ａ型灭弧室在１２ｋＶ、３１．５ｋＶ下试验，对Ｂ型在１２ｋＶ、１３．１ｋＡ下试验，所有值均为有效值。每种类型灭弧室都用三只试管，在触头间隙为１ｍｍ至８ｍｍ之间进行试验。另外，由于短路试验的同一种触头装在可拆式真空灭弧室里，以便用高速摄像机拍照。结果表明，触头间     

对普通触头材料和低浪涌触头材料的真空电弧不稳定性能的实验研究

小电流真空电弧中大量存在着比正常弧压着１０倍的短时（小于５００ｎｅ）峰值弧压（“不稳定性”ＡｇＷＣ（低浪涌）和ＣｕＣｒ（普通）触头材料的真空工关管中出现许多不稳定的参数在变流电路中进行了统计分析，发现中等上升速率（ＣｕＣｒ为２．８ｋＶ／μｓ，ＡｇＷＣ为０．６３ｋＶ／μｓ）和高幅值（ＣｕＣｒ为１３４Ｖ，ＡｇＷＣ为５４Ｖ）上有明显的差异。这些参数很可能反映了象恢复和截流水平这样重要的开断特性。它表明截     

纵磁场触头真空灭弧室的3D有限元素模拟和开断实验

与弧柱中电流流动方向平行的磁场可能通过对电弧模式的影响提高真空开关的开断能力。为了估算纵磁场触头的两电极空间地场分布，采用一有限元素程序制作一种模型。触头片后面的切割经圈产生自身磁场。三维磁场分析考虑到触头结构中各个电流路径。也考虑了５０Ｈｚ激励涡流的生产和减少涡流的途径。本文示出了电流和磁场之间的相移、电流密度分布、纵磁场有关的计算结果。模拟是在电流升到４５ｋＡ ＲＭＳ时用纵磁场触头开断实验完成     

开断大电流时用计算机模拟电弧对触头的热效应

这篇文章对开断大电流时用计算机模拟电弧对触头的热效应提出了初步的设想。以限定因素（ＦＥＭ）为基础，运用ＮＩＳＡ程序，就可以将电极模型和一些假设条件、初始及临界条件进行模拟。其中计算所需的数据可以在以下条件下通过计算机控制的测试台用试验测得：电流半波为５０Ｈｚ，电流密度为１～２０ｋＡ，触头材料为Ａｇ，Ｗ和Ｗ－Ａｇ合金。     

LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。     

真空灭弧室纵磁场和横磁场触头优化选择的标准

真空中开断大的交流电流时，金属蒸汽形成的电弧会在触头间隙燃烧直到下一个电流零点。然而如果电流达到大约10kA的范围时，电弧将由于自生磁场产生集聚，为了避免局部触头过热，有两种方法：通过械磁场（RMF）使集聚型电板在触头表面运动。通过纵磁场（AMF）阻止电弧集聚。本文对纵磁场和横磁场的功能原理和物理过程做了简要介绍；在低，中，高压范围内，将横磁场与纵磁场从开断能力，电阻，管子尺寸和生产成本等方面做了比较。     

一种新型的四极纵磁场触头设计及其特点

纵磁触头已应用于真空灭弧室中，特别是在短路电流较大时，其应用更为普遍。本文介绍了一种新型的、基于四极性磁场结构的纵磁触头及其性能特点。论文首先介绍了这种新型触头结构的基本原理。主要是利用有限元法、通过三维磁场模拟来进行分析，接着主要研究了燃弧期间纵向磁场的磁通密度、电流和磁通密度的相位转换，以及触头上流过的电流。在有大电流流过时，四极性纵磁场对于电弧特性的影响是利用电弧高速摄像及燃弧后触头表面的照片来分析的。这种结构的触头通过短路试验验证，其开断性能已达到12kV／63kA。     

GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ     

LP—MOCVD制作InCaAs／InP PIN发电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为Φ７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８－１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ。在没有增透膜时，对１．３μｍ注放光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０－１．７０μｍ。     

MOCVD生长大功率单量子阱激光器

本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时．     

InGaAs／InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究

报道了利用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术生长高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果．宽而激光器实现了室温脉冲受激发射．激射波长为１．４９μｍ，在腔长为２０００μｍ时，最低阈值电流密度为０．３０ｋＡｃｍ－２．最大脉冲光输出峰值功率达５００ｍＷ以上．同时，从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系，并与ＬＰ－ＭＯＶＰＥ生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较．     

Sm在GaAs（100）表面的吸附和界面反应的SRPES研究

利用同步辐射光发射研究了Ｓｍ／ＧａＡｓ（１０）界面形成．高分辨的芯能级谱结果表明，在低覆盖度下（＜０．１ｎｍ），Ｓｍ与衬底的作用较弱，形成较突出的金属／半导体界面．当Ｓｍ的覆盖度增加时，Ａｓ和Ｇａ的表面发射峰很快消失，表明Ｓｍ与Ｇａ发生置换反应而与Ａｓ形成化学键．同时，Ｇａ原子会向Ｓｍ膜体内扩散且偏析到Ｓｍ膜表面，而Ａｓ－Ｓｍ化合物只停留在界面区域．当Ｓｍ膜厚度达到０．５ｎｍ时，Ｓｍ膜开始金属化．结合理论模型，文中还详细地讨论了界面形成和界面结构．     

改进型低过电压Ag—WC触头真空开关管开断大电流的可能性

将低过电压Ａｇ－ＷＣ触头材料放于纵向磁场电极上做了大电流开断试验。对大电流开断能力的主要影响因素是触头材料、纵向磁场初分速度 。     

CATV网路雷患与对策探讨

ＣＡＴＶ网路雷患与对策探讨４４１３００随州市广播电视局曾祥书雷电对有线电视系统的破坏作用是雷电流引起的。雷电流是一种幅值极大、作用时间极短的瞬变电流。其幅度典型值为１０～２０ｋＡ，最大可达３００ｋＡ。雷电流的上升速度用α＝ｄｉ／ｄｔ（ｋＡ／μｓ）表示...     

横磁场和纵磁场中真空电弧的离子能量

在真空断路器中，当电流达到几千安时会产生电弧集聚，我们使用两种触头来克服由于这种现象而产生的不良后果。横磁触头产生的横磁场使集聚电弧旋转，电有量均匀地分布在触头表面。纵磁触头可以防止电弧集聚到很高的能量。为了提高这两种真空断路器的开断容量，了解电流零点附近真空电弧等离子体（即真空电弧）的特性和变化过程，如等离子体的密度、等离子体的衰变以及能量就十分重要。在本文中，我们主要是用延迟场分析仪来研究电流过零前最后3ms内电弧电流的有效值达到了7．5kA时真空电弧等离子体中离子能量的分布状况。研究发现：横磁和纵磁触头的电弧离子能量存在着明显的差别。在电流超过5kA时，这两种触头上电弧离子能量的分布接近于麦克期韦（Maxwellian)分布，这是一种由离子碰撞决定的等离子体的特有分布。也就是说，在电流接近零点时，横磁触头中电弧离子的运动具有很强的方向性，而纵磁触头中能量的分布却明显受到离子碰撞的影响。