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分析了高温和高湿的气候条件对电子产品安全性能的影响,并以模拟试验进行验证。通过在不同环境温度下进行发热试验和经潮湿处理后测量绝缘漏电流,对得到的数据进行分析,以验证高温高湿条件对产品绝缘性能的影响。 相似文献
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通过对影响音视频产品安全测试的主要条件分析,帮助检测人员更好地理解这些主要测试条件,并在音视频产品的安全检测中,能对这些条件进行最不利的组合,确保产品达到标准的安全要求. 相似文献
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主要叙述了采用计算机控制电子器件性能综合测试台的气压,采用专门设计制造的伺服电动阀,通过改变伺服电动阀的开启角度达到控制气压的目的。气压的控制精度实测值为:在常温条件下的5×10-2Pa~5kPa范围内误差不大于±6.4%;在-55℃的低温条件下的0.4~5kPa范围内误差小于±5.6%,同时实现了检测台的操作、控制、数据采集和处理等方面的自动化,提高了测试数据的准确性和可重复性。 相似文献
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根据GB 4943.1-2011中对海拔5000m电气间隙的要求,分析某电源的绝缘设计,并对I类设备和Ⅱ类设备从电气间隙、变压器设计、光耦选择等方面提供理论指导. 相似文献
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通过几个实例,说明器具开关的环境污染等级、耐漏电起痕指数、灼热丝试验等级、安装方法等条件的改变对其安全使用的影响。 相似文献
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对典型电子设备在不同海拔地区进行温升试验,在此基础上提出制定高海拔环境下电子设备温升限值的参考意见。 相似文献
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对电子产品热电耦法温升测试的测最不确定度进行了分析和评定,为ISO/IEC17025体系实验室检测人员了解和掌握不确定度评定的具体方法提供参考。 相似文献
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压力传感器芯片键合用低温玻璃焊料的研制 总被引:6,自引:0,他引:6
研制开发了一种用于压力传感器芯片与 1 0 1玻璃基座相封接的三元系结晶性低温玻璃焊料 ,其基本成份为 Pb O:Zn O:B2 O3 =58:1 8:2 4 (% wt)。已用 DSC分析该玻璃焊料 ,显示在 51 0℃出现主晶相的熔化吸热峰 ,其开始熔化温度为 445℃。在硅芯片背面制备一过渡层 ,然后用此低温玻璃焊料将压力传感器芯片与玻璃基座封接在一起。封接温度为 530℃ ,低于铝硅合金相的低共熔温度 577℃。用这一封接技术制备的压力传感器有良好的技术性能 ,热漂移小且能耐沸水、耐油 ,耐 1 50℃热冲击。封接强度达 7MPa。 相似文献
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电子专业实验中器件性能测试常需要采用高电压小电流电源,对于压敏电阻特性测试实验中,简单的实验装置易出现电位计或样品的损坏,介绍一种使用DC-DC变换方式产生高电压小电流电源的方法,运用了稳压与限流保护环节.采用这种设计方法可以提高电子设备的稳定性和可靠性,并保证测量数据的准确性. 相似文献
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智能剥离SOI高温压力传感器 总被引:6,自引:2,他引:4
采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ,并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表明 ,当温度增加到 15 0℃左右时 ,输出电压没有明显的变化 ,其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 12 0℃以下 ) .测得所制备 SOI压力传感器的灵敏度为 6 3m V/ (MPa· 5 V) ,比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约 7倍多 相似文献