球栅阵列封装

本叙述了球栅阵列（ＢＧＡ）封装的概况，与ＱＦＰ相比的优点以及ＢＧＡ的多种变种．     

PBGA封装的热应力与湿热应力分析比较

塑封球栅平面阵列封装作为一种微电子封装结构形式得到了广泛的应用。本文采用有限元软件分析和计算了在潮湿环境下塑封球栅平面阵列封装的潮湿扩散分布，进而分别模拟计算了它的热应力与湿热应力，并且加以分析比较。     

球栅阵列——更适合多端子LSI的表面安装式封装

塑封球栅列（ＢＧＡ）是一各新型表面安装多端子型ＬＳＩ封装。与塑封四方扁平封装（ＱＦＰ）相比，前者外形更小，设备与操作较为简单可靠性民提高。ＢＧＡ替代ＱＦＰ的尝试从美国开始，并正在各国展开。     

倒装陶瓷球栅阵列电子封装的热分析

建立了倒装陶瓷球栅阵列(flip chip ceramic ball grid array,FC-CBGA)封装的三维热模型。在5 W热负荷下,比较了裸芯片式、盖板式和盖板加装热沉三种情况下芯片的热性能,进而分析了有无热沉和不同空气流速下,盖板式封装的具体热流分配情况。结果表明:在自然对流下,与裸芯片式相比,采用盖板式能使芯片结点温度降低约16℃,盖板加装热沉能使芯片结温降低47℃。芯片产生的热量大部分向上流向盖板,且随着空气流速的增加比例增大;由芯片流向盖板的热量有相当大一部分经过侧面流向基板,且随着流速增大比例较小。     

球栅阵列(A)封装器件与检测技术

介绍了A封装器件的特点,重点讨论了A封装的检测技术,并建议在A组装过程中采用断层剖面或"倾斜式”X光检测仪.     

球栅阵列技术及其应用

本文简要介绍了最新的球栅阵列封装技术,包括表面技术的发展,球栅阵列技术的特点，球栅阵列器的类型和制作工艺及其应用前景等。     

倒装陶瓷球栅阵列电子封装的热模型研究

针对倒装陶瓷球栅阵列(flip chip ceramic ball grid array,FC-CBGA)封装,采用有限元数值方法,建立三维有限元的详细热模型.在5W热负荷下,分析裸芯式、平板式和盖板式三种形式,不同芯片尺寸(5mm×5 mm、15 mm×15 mm和20 mm×20 mm)以及不同润滑剂材料对系统热阻...     

超细间距方形扁平封装与球栅阵列封装的比较及其发展趋势

本文主要论述了超细间距QFP封装与BGA封装的比较，以及BGA封装的检查、返修、清洗及其各种类型，并简述了它们的利用率和发展趋势。     

Intertronics推出球栅阵列封装丝网返工工具包

Intertronics推出了面向单独球栅阵列封装（BGA）构件返工丝网印刷焊膏的新方法一它是完整的球栅阵列封装丝网返工工具包中精确的一次性Flextac丝网。Flextac丝网具有可临时粘贴PCB的粘面，可防止未对准和焊膏拖尾效应。因为Flextac丝网价格便宜，并为一次性产品，它们有助于用户分开使用含铅和无铅焊料，     

PBGA封装的可靠性研究综述

通过传统BT类型的PWB材料与独特的PWB材料来PBGA封装的可靠性。相关的研究结果表明,后者同样具有相同的热循环稳定性和回流焊期间的疲劳强度,并具有较低的封装翘曲特点;模塑料的低吸湿性及粘片材料的高粘附强度和高断裂强度特性,有利于提高回流焊期间的疲劳强度和防止剥离现象的扩散。     

大面阵碲镉汞芯片的耦合热应力模型与结构优化

针对大面阵碲镉汞芯片热应力仿真分析过程中计算量与准确性不能兼容的问题,通过在芯片互联区的不同位置引入小规模铟柱阵列建立了耦合热应力的优化仿真模型。借助此模型进行热应力分析,发现在铟柱的上下表面附近区域产生了较大的热应力,同时边缘及角落处的阵列单元内部所产生的热应力更大(最高达225.69 MPa)。进一步对芯片的结构进行了优化,获得了最优读出电路及碲锌镉衬底厚度。此外,仿真结果表明,单面铟是热应力较低的铟柱结构,减小铟柱的半径可以进一步减小其内部的热应力。所提出的热应力仿真优化模型为大面阵碲镉汞芯片内部的热应力分析提供了更准确有效的分析方法以及器件设计方面的理论指导。     

半导体激光器不同封装下的封装应力

为研究正装和倒装封装下高功率半导体激光器有源区的应力问题,利用有限元软件ANSYS分析得到了两种封装方式下应力场分布图及有源区平行于x轴路径上的应力变化曲线。模拟结果表明,与正装封装相比,倒装封装下有源区应力变化剧烈,平均值高出正装一个数量级。并通过荧光光谱实验对比了封装前后激光器芯片的波长变化,根据半导体禁带宽度与应变关系算出两种封装下的应力大小,与模拟值相符。通过模拟和实验结果可见,芯片封装形式对芯片引入的应力有显著的差别,倒装封装下芯片有源区应力远高于正装封装。     

芯片叠层封装的失效分析和热应力模拟

通过高温高湿加速实验对双芯片叠层封装器件的失效进行了研究,观察到存在塑封料与上层芯片、BT基板与塑封料或贴片胶的界面分层和下层芯片裂纹等失效模式．结合有限元分析对器件内热应力分布进行了计算模拟,分析了芯片裂纹的失效机理,并从材料性能和器件结构角度讨论了改善叠层封装器件可靠性的方法．     

40-Gb/s Package Design Using Wire-Bonded Plastic Ball Grid Array

A 40-Gb/s packaging solution that uses low-cost wire-bonded plastic ball grid array (WB-PBGA) technology is presented. Since such a high speed was beyond the reach of conventional package designs, a new design methodology was proposed-discontinuity cancellation in both signal-current and return-current paths. The 3-D structures of bonding wires, vias, solder ball pads, and power distribution networks were optimized for the discontinuity cancellation. Two versions of four-layer WB-PBGA packages were designed; one according to the proposed methodology and the other conventionally. The proposed design methodology was verified with full-wave simulation, passive bandwidth measurement, time domain reflectometry (TDR), eye diagram measurement, and jitter analysis.     

热仿真设计在陶瓷封装中的应用研究

热仿真设计可以对封装产品进行散热性能评估,对缩短产品设计周期、提高产品热可靠性有着重要的意义。采用有限元方法对陶瓷封装器件进行了结壳热阻(θJC)的仿真分析。仿真结果显示,当采用两种不同方法进行边界条件处理时,所得仿真结果产生一定的差异。分析认为,陶瓷基板散热条件的变化会对最终的热阻值造成一定的影响。热电测试法被用来进行实物封装的热阻测量,测试时采用的导热胶会对最终的测试结果产生影响。仿真与测试结果对比显示,仿真方法可以获得较精确的结果。     

关于PBGA中“爆玉米花”现象的分析

本文运用断裂力学法分析塑料焊球阵列封装(PBCA)的爆玉米花现象,专门对封装粘片中发生的裂纹,粘片中的裂纹增大以及焊料掩模和铜之间界面处裂纹增大进行研讨,通过两种方法(裂纹尖端开度位移法和有效裂纹闭合技术)确定裂纹尖端参数,诸如应变能释放率,应力强度系数及不同裂纹长度的相角。     

硅热流量传感器封装的热模拟分析

针对硅热流量传感器的封装,给出了其一维简化理论模型,并采用有限元分析工具ANSYS/FLOTRAN,建立了该封装结构的热模型．模拟结果显示,该封装后的传感器的温度场与未封装传感器相似,证明陶瓷封装结构是可行的;同时比较了封装前后传感器性能的差异,并进一步分析了传感器的热性能和其特征尺寸的关系．该模型的建立,可以减少大量的模拟分析过程,减小计算量,研究结果将为该传感器封装的进一步优化设计提供理论参考和依据．     

封装中的界面热应力分析

随着电子封装集成度的不断提高,集成电路的功率容量和发热量也越来越高,封装体内就产生了越来越多的温度分布以及热应力问题。文章建立了基板-粘结层-硅芯片热应力分析有限元模型,利用有限元法分析了芯片/基板的热应力分布,封装体的几何结构参数对应力的影响,重点讨论了芯片与粘结层界面上和基板与粘结层界面上的层间应力分布