SiC晶须在Si3N4-C和SiO2-C-N2系统中的合成

对Si3N4-C和SiO2-C-N2系统中的主要化学反应以及SiC晶须在两种系统中合成的热力学条件进行了分析,进而采用碳黑为碳源、Si3N4与SiO2微粉为硅源、氧化硼为催化剂,分别在氩气与氮气气氛下,于1600℃合成SiC晶须.采用扫描电子显微镜,透射电子显微镜等分析手段分析了晶须的生成量和形貌结构特征.结果表明:通过SiO2-C-N2系统可以一步合成SiC晶须,其与Si3N4-C系统合成的均为β-SiC;但在晶须的生成量和质量上,Si3N4-C系统合成的SiC晶须较好.     

β—SiC晶须的合成及生长机理

以高岭土、超细碳粉为原料,采用碳热还原方法合成出性能良好的β—SiC晶须,并研究了碳粉加入量、烧成温度对β—SiC晶须产率的影响。结果表明,烧成温度1500～1600℃,碳粉加入量4～10％(wt)为较好的晶须合成条件。该方法制备β—SiC晶须的生长机理为“VS”机理。     

SiC晶须的分散研究

利用离心沉降浊度法对SiC晶须在四种不同的分散剂中的分散行为进行了研究,探讨了不同分散剂的分散效果,并对其分散机理进行了分析。结果表明,分散剂的分散能力顺序为AMP-95>DP518>DP270>A-1230。     

稻壳SiC晶须的特性和品质研究

利用现代分析仪器对稻壳法生长的ＳｉＣ晶须（中试条件下生产产品）的结构特性进行分析测试，结果表明：晶须品位较高（＞９７％），晶须外形挺直，表面光洁，长度、直径分布均匀、集中，晶须中缺陷杂质含量和以前产品相比明显降低，各项指标均已达到或接近国外同类产品标准。     

SiO2-C-N2-O2系统合成SiC反应机理的研究

在实验室使用工业原料石英砂和无烟煤,于1350,1450,1550℃合成了β—SiC。通过X射线衍射法并结合热力学理论计算,研究温度在1600℃以下Si02—C—N2—02系统的主要化学反应过程。认为该系统合成SiC的反应机理是：反应过程主要分3个阶段,反应初期以气相反应为主,主要反应式为Si0 2C＝SiC CO;反应中、后期以固相反应为主,主要反应式为SiO 3C=SiC 2CO,其反应中间过程为：Si2N20十02＝SiO2十Si0十N2和3SiO十3C十2N2＝Si3N4十3CO。     

温度对碳热还原合成SiC晶须的影响

以工业硅溶胶和碳黑为主要原料,用溶胶-凝胶和碳热还原法进行了合成SiC晶须的试验,探讨了合成温度对产物组成微观形貌的影响.结果表明:合成SiC晶须适合的温度为1600℃,在此条件下得到的产物中SiC晶须含量最高(74%以上)、质量最好.     

SiC晶须表面涂覆Al2O3的溶胶—凝胶工艺及机理

用异丙醇铝为先驱体通过溶胶-凝胶工艺成功地在SiC晶须表面涂覆了5—30nm的Al_2O_2涂层。认为SiC表面与Al(OC_2H_7)_2(OH)形成配位键并构成胶团是形成涂层的重要机制。研究了溶胶浓度、晶须预处理,晶须直径和反复涂层对涂层效果的影响。     

SiC晶须的制备及应用研究进展

碳化硅晶须具有高熔点、高强度、高模量、耐腐蚀等优良特性,是新型复合材料的重要增强体。综述了近年来碳化硅晶须制各和应用的国内外研究现状及最新进展,并展望了碳化硅晶须的发展趋势和应用前景。     

传统陶瓷工艺制备玻璃陶瓷/SiC晶须复合材料

针对传统陶瓷工艺难以直接用于制备玻璃陶瓷/SiC晶须复合材料问题,本文以白云鄂博尾矿基透辉石系玻璃粉和商用SiC晶须为主要原料,在石墨粉包埋条件下,采用传统陶瓷工艺成功制备出透辉石玻璃陶瓷/SiC晶须复合材料.在此基础上,研究了填加0～40wt％SiC晶须对所制备复合样品显微结构及性能的影响.结果证明了所制备复合材料样...     

SiC晶须的微波加热合成

首先以硅溶胶(w(siO2)=30%,平均粒径为10～20 nm)和活性炭(平均粒径<10um,w(C)=99.5%)为原料,六偏磷酸钠为分散剂,混匀后在真空下于110℃烘干24 h制成反应前驱体,然后将其破碎成不同粒度的细粉,在多模谐振腔微波炉中分别加热至1 300～1 600℃保温15～60 min制备了SiC晶须,研究了热处理温度、保温时间以及反应前驱体的粒度对晶须产率的影响.结果表明:(1)当热处理温度为1 300～1 400℃时,产物主要为方石英及少量β-SiC,SiC晶须的产率较低;温度达到1 500℃以后,产物主要为SiC晶须及少量SiC颗粒,且在1 500℃下保温时间从15 min延长到30 min时,SiC晶须产率显著增加;温度提高到1 600℃时,生成了等轴SiC颗粒及SiC晶须.(2)1 500℃保温30 min为比较适合的微波加热合成条件,晶须产率能达到80%以上.(3)较小的反应前驱体颗粒有利于SiC晶须的生成.     

纳米SiO2在涂料中的应用

利用高科技产品纳米ＳｉＯ２的特殊性能,对传统涂料进行改性,以改善涂料的触变性、抗老化性等。     

DYNAMIC CHARACTERIZATION OF THE INTERMEDIATES FORMED IN THE OXIDATION OF PROPENE OVER Pt/SiO2

Stable intermediates are formed during the total oxidation of propene on Pt/SiO₂ by nitrous oxide at 290-320^°C. The surface coverage of the intermediates is 0.75(±0.08) without depending on the particle sizes of Pt. The intermediates consist of at least four species, each of which is consecutively and irreversibly converted at similar rate constant, forming the final product of propane by reaction with H₂.     

CaO－SiO_2－P_2O_5－H_2O体系中CBC材料的水化产物（一）水化产物组成

利用ＸＲＤ和ＳＥＭＥＤＳ等测试技术对ＣａＯＳｉＯ２Ｐ２Ｏ５Ｈ２Ｏ系统中ＣＢＣ材料的水化产物组成进行了研究。结果表明：随水化进行，ＯＨＡｐ、βＣ２Ｓ和βＣ３Ｐ的量均减少。水化３６５ｄ时，体系中出现了一些不知归属的衍射线，三强线为：０．２０９２（１００），０．８２１６（５６），０．３０９１（４１）。此外在水化产物中出现了两种不知名的水化磷酸盐：７ＣａＯ·３Ｐ２Ｏ５·ｘＨ２Ｏ和６ＣａＯ·Ｐ２Ｏ５·ｙＨ２Ｏ。前者是一种大片状的晶相，后者呈连续的大小不等的圆形小颗粒，难以断定是晶相还是凝胶相。     

SiO2的加入方法对高温稳定型纳米TiO2光催化活性的影响

以钛酸丁酯为原料，用醇盐水解法制备纳米TiO2，通过用正硅酸乙酯的不同加入方法对纳米TiO2进行改性，用XED和TEM来对改性后纳米TiO2粉体的晶型和形貌进行研究。研究表明：在SiO2的加丈量分别为5.5wt％、8．5wt％、12wt％时，用后加SiO2的方式来对纳米TiO2进行改性，改性后的纳米TiO2经800℃、900℃、1050℃煅烧10分钟后，其光催化活性较前加的好，且SiO2的加入量为8．5wt％时，改性纳米TiO2粉体对甲基橙的降解率最高。     

ZrO2/SiO2复合溶胶稳定性的实验研究

以硅酸乙酯和氧氯化锆为先驱体，制备了ZrO2／SiO2复合溶胶，重点考察了ZrO2的摩尔含量、添加剂DMF和TEABr、陈化温度对ZrO2／SiO2复合溶胶稳定性的影响。结果表明：氧氯化锆的存在不利于ZrO2／SiO2复合溶胶的稳定，且随着氧氯化锆摩尔百分含量的增加，溶胶易于凝胶；随着陈化温度的升高，凝胶时间变短；DMF能明显延长ZrO2／SiO2复合溶胶的凝胶时间；当0．4〈n（TEABr）／n（TEOS）〈1时，TEABr能提高溶胶的稳定性。     

陶瓷原料中二氧化硅分析方法的对比与选择

本文综合各种文献 ,对陶瓷原料中SiO2 的各种分析方法的优缺点 ,使用条件 ,应用侧重点进行了比较与评述     

跨世纪高新科技纳米材料一员—纳米SiO2

根据纳米材料的奇异特性,综述了“纳米ＳｉＯ２”在各个领域的应用。     

SiO2提纯工艺研究进展

对现有酸浸法提纯SiO2工艺及设备进行了描述．并对其理论基础及影响因素进行了分析,最后提出采用机械化学工艺可以进一步提高SiO2的提纯效果。     

PMMA/SiO_2共混体系的研究 Ⅰ纳米级SiO_2填充PMMA体系

研究了纳米级ＳｉＯ２填充ＰＭＭＡ体系的性能。结果表明,经不同偶联剂处理的ＳｉＯ２填充ＰＭＭＡ的最大扭矩和最终平衡扭矩呈现如下规律,未处理ＳｉＯ２填充ＰＭＭＡ体系＞Ａ１５１处理ＳｉＯ２填充ＰＭＭＡ体系＞Ａ１１００处理ＳｉＯ２填充ＰＭＭＡ＞Ａ１７４处理ＳｉＯ２填充ＰＭＭＡ体系,偶联剂用量在３％时,体系的拉伸强度呈现峰值。纳米级ＳｉＯ２采用普通的分散方法进行混合时不能达到有效分散,随ＳｉＯ２用量增加拉伸强度、弯曲强度和冲击强度都下降,透光率降低,损耗增加。     

纳米二氧化硅增强、增韧聚丙烯的研究

研究了纳米二氧化硅改性聚丙烯体系的热处理前后力学性能和加入交联剂、弹性体对该体系的影响。结果表明,纳米SiO2添加量在2％左右时,可提高聚丙烯的拉伸强度10％、拉伸弹性模量30％、冲击强度80％。聚丙烯经140℃热处理并加入2.0％～2．4％的DVB交联剂和二次挤出加工,可以进一步提高该体系的拉伸强度和冲击强度。