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离子束穿过薄标记层要引起层内物质浓度沿深度分布的弥散。同样,离子束穿过金属和半导体或金属和金属之间的交界面,也要引起这种弥散。用真空沉积法,在SiO_2那样不活泼材料表面上沉积二个或多个元素薄层,以形成多层结构的样品。然后,在一定的温度下用Ar~ 、Kr~ 或Xe~ 那样的惰性气体离子束流轰击,可形成各种平衡的和亚稳定的化合物,无定形层或固溶体,这就是离子束混合(Ion-Beam Mixing)。 相似文献
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用~(16)O(α,α)~(15)O共振散射在E_R=3.042MeV共振,分析样品中氧含量及浓度分布,研究了离子束混合引起的W-Si多层薄膜间的反应及形成的WSi_2薄膜性质与膜中氧杂质浓度的关系,氧的再分布与退火温度的关系。发现随着退火温度升高,氧朝表面扩散。形成硅化物时氧从硅化物中排出,并在表面和硅化物与单晶硅衬界面积累。在350℃下用As离子辐照时,含氧较低的样品直接形成六角WSi_2相,含氧较高的样品没有得到六角WSi_2相。含氧较少的样品,在离子束辐照下混合较均匀,形成的二硅化钨薄膜有较大的晶粒和较小的电阻。 相似文献
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径向流是重离子碰撞中研究高温高密核物质性质极为重要的实验可观测量。本文在同位旋相关的量子分子动力学(Isospin dependent Quantum Molecular Dynamics,IQMD)模型框架下,用爆炸波模型提取1 A GeV的Au+Au反应体系中的径向流和热力学冻结温度,发现径向流的大小由中心碰撞到周边碰撞逐渐减小,与FOPI(4πCollaboration)实验结果及其他模拟结果一致。同时详细分析了径向流参数α对拟合结果的影响,得出此能量下α合理取值范围应在0-1。 相似文献
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《原子能科学技术》2015,(Z2)
非全裸离子在储存环内冷却储存时主要通过碰撞离化和辐射电子俘获进行损失。兰州重离子加速器(HIRFL)实验环(CSRe)调束发现,能量为122 MeV/u的~(12)C~(3+)离子束注入到CSRe后的存储寿命仅为6.6s,且电子冷却效果不明显。本文结合CSRe真空条件计算了~(12)C~(3+)离子束的存储寿命及其电子冷却时间,确定了CSRe平均真空度为10-8 Pa量级是导致非全裸的~(12)C~(3+)离子束存储寿命减小的主要原因,而电子冷却作用及辐射电子俘获引起的~(12)C~(3+)离子束损失被~(12)C~(3+)离子束与残余气体碰撞离化损失所掩盖,即~(12)C~(3+)离子束在未被完全冷却前便由于存储寿命过短而近乎全部损失。这解释了CSRe初步电子冷却调试中~(12)C~(3+)离子束快速损失的主要原因。 相似文献
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离子注入及离子束混合一般包括两类物理过程:一是高速粒子与团体靶原子碰撞和级联碰撞过程,是使固体表面原子无序化过程,其结果是形成大量原子离位,造成结构损伤和缺陷;二是其后的物理化学过程,是按照热力学能量最低原则趋向有序化过程。其中,包括点阵再定位(velocation)的弛豫过程、增强扩散过程、亚稳相回到平衡态过程。在这两类过程中碰撞是整个过程的初始条件,其后物理化学过程是在这一初始条件及一定边界条件下进行的,最后决 相似文献