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介绍了条型GaAs—GaAlAs双异质结激光器的发射光谱类型,即Ⅰ型、Ⅱ型、Ⅲ型和Ⅳ型光谱。探讨了它们的可能起因,得到:有源区及其周围的不均匀性将导致多模结构。根据模式形成条件和模式频率及间隔表达式,为获得单模结构,首先必须克服这种不均匀性,同时还需降低阈值电流密度,提高镜面反射率,采用短腔结构等。对不同电流下模式的漂移与竞争进行了测量,得到:当Ⅰ增加时,λ向短波方向漂移,这是由于准费米能量空间平均值增大使光子能量增大之故。对于热阻较大的器件,实验的结果与上面的结论相反,其原因是温度升高λ向长波漂移。也就是说,在这样的器件里,温度的作用占优势。文章最后给出了发射光谱与电流密度及温度的关系。 相似文献
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研究和分析了温度对GaAlAs DH激光器电光参数的静态和动态特性及工作寿命的影响。I_(th)变化率低的激光器,外推室温连续工作寿命8×10~4小时以上。还研究了自脉动和功率扭折现象等。 相似文献
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在普通双沟平面掩埋异质结(DC-PBH)激光器的基础上,采用质子轰击的技术,制作了一种新型的选择性质子轰击DC-PHB激光器。这种新型的激光器结构与以前普通的DC-PBH结构相比阈值电流降低,输出功率及量子效率得到提高,尤其是它的调制特性得到明显改善,这种结构激光器的调制带宽由原来的2.0GHz提高到6.0GHz。 相似文献
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本文报导了在研制室温连续工作寿命大于3000小时的质子轰击条型GaAs—AlGaAs DH激光器中影响寿命的几个因素,这主要是(ⅰ) 为生长大面积光亮的、层次连续重复、Al分布均匀及异质结低失配的LPE生长技术,(ⅱ) 镜面保护技术;(ⅲ) 采用抗氧化力强的焊料键合。此外还报导了所研制激光器的主要电光参数及其寿命大于3000小时的实验结果。 相似文献
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用液相外延方法生长了InGaAsP/InP四层双异质结,采用了镀金石英玻璃炉和水平滑动式石墨舟.研究了外延生长界面平直晶体质量好的InGaAsP/InP和InP/InGaAsP异质结的工艺细节.测量了异质结晶格失配度,确定了异质结匹配生长条件。研究了在InP液相外延中锌和碲的掺杂规律,分析了掺锌工艺对p-n结的位置、结的注入效率和其它结特性的影响.制作了质子轰击条形InGaAsP/InP DH激光器.在室温(300K)连续激射波长为1.30-1.33μm.室温宽接触激光器的阈电流密度为2000A/cm~2,规一化阈电流密度为5kA/cm~2·μ.测量了阈电流随温度的变化,在80—285K范围内特征温度T_o=79-108K,室温附近T_o=63-73K.选择两只激光器作了长期工作实验,其中一只寿命为560小时,另一只已经工作2500 小时,现仍在继续工作中. 相似文献
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电流密度分布对GaAs/GaAlAs条形激光器的瞬态温度特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文将电流密度的侧向分布考虑到热传导模型中去,对一般条形半导体激光器的体内瞬态温度分布进行了计算,同时,利用光谱法对一些条形激光器的瞬态温度进行了实验测量.计算结果同测量结果一致. 相似文献
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一九八二年九月在加拿大渥太华召开了第八届IEEE国际半导体激光器会议、IEEE发光二极管和光电探测器专家会议。在会上发表了许多优秀论文,现将该会议论文摘要全部翻译出版,供读者参考。 相似文献
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在众多的激光二极管结构中,我们选择Piano-Convcx Waveguide(PCW)结构进行可见光GaAlAs激光器的研制。采用成熟的液相外延系统(LPE),一步外延完成激光器所有层次的生长。激光器在约10mW范围内呈现较为稳定的基模工作状态,有些器件观察到单纵模。远场侧向发散角~18°。初步的老化试验结果:在550小时(截止本文定稿时),激光器闽值平均上升17%,最小值10%,老化试验条件:室温,充N_2,激光器单面光功率输出额定为5mW。 相似文献
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质子轰击条形DH激光器,通常我们采用常规的液相外延方法来制造。一般在n-GaAs衬底材料上生长Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs五层DH结构。n面衬底上的接触电极用AuGeNi合金化形成;p-GaAs顶层上则先扩散锌,蒸发Cr-Au。对质子束的掩蔽 相似文献
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DHL是用连续液相外延法在重掺杂n-_GaAs衬底上生长双异质结构外延层。在600℃下用ZnAs_2作源低温Zn扩散45分钟。用钨丝网掩蔽后,在150千电子伏的能量下,以1×101~(15)质子/厘米~2的剂量进行轰击。P面蒸发Cr-Au后再镀上~10μm的Au。衬底减薄后,在N面蒸发Au—Ge-Ni、450℃合金化一分半钟后再镀上~2μm的Au。管芯解理后,用In焊料倒装在镀Au的管壳铜柱上,DHL的条宽为12μm,腔长为300μm。各外延层组分和欧姆接触等细节列于表1。为了比较质子轰击深度对DHL特性的影响,作者把同一外延片分成两半,编号分别为801和802。801不减薄,802化学减薄掉0.8 相似文献
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我们已经研制成功一种新型结构的GaAlAs可见光激光器,叫做隐埋顶层平面条型(BCP)激光器。这种激光器是用分子束外延(MBE),在复盖层上生长了一层外延ZnSe半绝缘层,并在其上留下一笮条区作为电流限制。图1是GaAlAs BCP激光器的结构示意图。其制作程序如下:在具有1.5μm深槽n型GaAs衬底上用一般的LPE生长了GaAlAs/GaAs DH结之后,第四层(P-GaAs,顶层)是通过SiO_2掩膜腐蚀成3—5μm的条宽的台面。然后,在用MBE晶片上外延一层与顶层同样厚的ZnSe半绝缘层。这种工艺能够在P型GaAlAs复盖层上生长出镜面的ZnSe 相似文献
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研究了具有凹形有源层的CSP(平面沟道衬底)激光器作为数字音频唱片和光学视频唱片再现系统的光源,这种激光器被称为改进CSP(MCSP)激光器。本文着眼于有源层厚度和限制层的P-掺杂剂对激光器寿命的影响。同时发表了74只激光器的加速寿命试验结果。将有SiO_2半波长厚度单面保护层的激光器芯片P面朝下用Pb-Sn焊料烧结在热沉上。激光器腔长为300μm。从有源层厚0.025~0.06μm的30多块外 相似文献