Y2O3-SnO2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳnCl2.2H2O,Y(NO3)3.6H2O为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO２薄膜,采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2干凝胶粉末的热分解、晶体过程。研究了Ｙ２Ｏ３－ＳnO2薄膜的电学和气敏性能,从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳnO2薄膜电学及气敏性能的影响。实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳnO2薄膜在常温下对ＮＯx具有较好的灵敏度的选择性,并具有较好的响应恢复性能,在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度。     

Ti3O5薄膜的制备

Ｔｉ３Ｏ５是ＴｉＯｘ材料中相对较稳定的晶型,是一种潜在氧敏材料。与传统的ＴｉＯ２、ＺｒＯ２材料相比,具有阻温特性好的特点。通过Ｈ２还原ＴｉＯ２来制备Ｔｉ３Ｏ５薄膜,主要研究了不同原还温度和保温时间对薄膜晶相组成的影响。并对Ｔｉ３Ｏ５薄膜的导电性、电阻－温度稳定性及在氧化气氛中的晶格稳定性作了初步分析。     

LaNiO3氧敏陶瓷薄膜制备工艺的确定

本实验研究了以硝酸镧、硝酸镍为原料,柠檬酸为螯合剂的无机盐溶胶－凝皎法（ＩＳＧ）合成ＬａＮｉＯ３稀土复合氧化物陶瓷薄膜的工艺过程,讨论了烧成温度、预烧温度和拉膜次数对薄膜气敏性能的影响,结果表明：预烧温度和烧成温度为８００℃,５～６次成膜的ＬａＮｉＯ３薄膜的表面没有大的开裂,具有较快的响应速度。     

α-Ti3O5薄膜的制备及氧敏性能的研究

α-TisO5是TiOx材料中相对较稳定的晶型,是一种潜在的氧敏材料.与传统的TiO2、ZrO2材料相比,具有阻温特性好的优点.本文通过H2还原TiO2来制备α-Ti3O5薄膜,研究了不同还原温度和保温时间对薄膜晶相组成的影响以及薄膜的导电性、电阻-温度稳定性和在氧化气氛中的晶格稳定性.同时对α-Ti3O5薄膜的氧敏性能进行了初步研究.     

Nb2O5对ZTM-Al2O3性能及ZrO2增韧机制的影响

探讨了Ｎｂ２Ｏ５对ＺＴＭ－Ａｌ２Ｏ３的性能和ＺｒＯ２在瓷体中增韧机制的影响。发现Ｎｂ２Ｏ５的引入可明显提高瓷体中ｍ－ＺｒＯ２含量而降低ｔ－ＺｒＯ２含量,材料的机械性能也随Ｎｂ２Ｏ５添加量的增大出现了显著的改善,并且有韧性的平方正比于ｍ－ＺｒＯ２含量的关系,ｍ－ＺｒＯ２含量的增加强化了微裂纹增韧是材料性能改善的原因。     

室温固相合成In2O3及其气敏性能研究

以无机物ＩｎＣｌ３·４Ｈ２Ｏ和ＮａＯＨ为原料，在遵守热力学限制的前提下，用室温固相化学反应直接合成了半导体金属氧化物Ｉｎ２Ｏ３的纳米粉体，用Ｘ射线衍射技术和透射电子显微镜对产物的物相、形貌进行了表征和观察，并用静态配气法测定了材料的气敏性能．     

YFe1-yCoyO3半导体气敏材料的制备和性能研究

用化学共沉淀法制备了YFe1-yCoyO3（0．0≤y≤0．05）固溶纳米晶微粉，并对其制备条件，物相组成，微结构，电导和气敏效应作了系统研究，结果表明，钴B位掺杂铁酸钇材料呈典型的P型半导体导电行为，同温下固溶体电导不仅大于纯相YFeO3的电导而且随湿度增加其电阻迅速下降，243℃下YFe0.9Co0.1O3传感器元件对乙醇有较高的灵敏度和良好的选择性，有望开发为一类新型C2H5OH3信息敏感材料。     

半金属 Fe3O4薄膜的制备工艺探索

半金属材料Fe3O4是一种新型的功能自旋电子材料，由于其具有百分之百的自旋极化率而备受关注．但由于铁元素存在多种价态的氧化物，使得制备单一成分的Fe3O4非常困难，因而本文着重对磁控反应溅射制备单一成分的Fe3O4薄膜进行了研究，探索了晶化温度对薄膜结构的影响，并通过引入缓冲层Ta对其性能进行改善，得到了反应溅射制备半金属Fe3O4的最优条件．另外，通过对所制备的Fe3O4薄膜磁电阻效应的测试，发现多晶Fe3O4具有同单晶Fe3O4薄膜类似的负磁电阻效应，因此有望将其应用到自旋电子器件中．     

Bi4Ti3O12薄膜的取向生长及其电性能研究

采用Sol—Gel工艺，在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜，研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响，探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制．结果表明：退火温度显著影响薄膜的C轴取向生长，其(00ι)品面的取向度F=(P—P0)／(1-P0)由550℃的0．081增加到850℃的0．827，退火时间对其(00ι)晶面的取向度也有较大影响；经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向，对铁电性能有较明显的削弱作用；薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大，但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长。     

V2O5熔体的微量氧化还原研究

将700、800、1100℃三种温度下的V2O5熔体制得V2O5溶胶,在非晶玻璃基片上将V2O5溶胶制成V2O5凝胶薄膜试样。通过对V205凝胶薄膜试样的电阻随温度的变化测试和电子能谱（ESCA）和X射线衍射分析发现V2O5凝胶薄膜中有四价钒的存在,本文从V2O5熔体的微量氧化还原和晶体结构的角度分析讨论了微量氧化还原影响钒离子价态变化的机理。     

纳米晶氧敏材料SrMgxTi1-xO3的制备与性能研究

应用硬脂酸法制备了纳米级晶粒大小的SrMgxTi1-xO3(x=0.1,0.2…0.5),采用DTA，TG，XRD，XPS等手段进行表征，结果表明，Mg部分取代了Ti进入了晶格中，生成了单一晶相的复合氧化物，掺杂了Mg之后的材料在所测量的氧浓度范围内，呈单一的P型导电特性，具有优良的敏性能，颗粒小，适应制成小型氧敏器件而获得实际应用。     

铁氧化物薄膜气敏材料的制备及性能研究评述

本文综合介绍近年来在铁氧化物薄膜所敏材料制备方法、性能方面的研究新进展，探讨了各种方法的特点。提出了今后铁氧化物气敏传感器的研究及改进方向。     

掺杂纳米α-Fe2O3的微波合成与湿敏性能研究

采用微波法制备出一系列刚玉结构的掺杂Sn4+和Zn2+的-αFe2O3纳米粒子,并用厚膜工艺将粉体涂在陶瓷基片上制成湿敏元件。通过对粉体的XRD测试与分析发现,部分Sn4+和Zn2+以类质同象的方式进入到α-Fe2O3晶格中代替Fe3+,改变了-αFe2O3的晶胞参数,同时晶粒尺寸减小,达到微细化的效果。测试了元件在不同湿度下的电阻,结果表明掺杂提高了-αFe2O3的湿敏性。     

等离子体源增强磁控溅射沉积Al2O3薄膜研究

采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜。X射线光电子谱和X射线衍射分析表明，在600℃沉积温度下，Si（100）基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ－Al2O3薄膜。薄膜的折射率为1．7，与稳定的α－Al2O3体材料相当。     

ZnO-Sb2O3烧结体系的电导和气敏性能

采用金属蒸气氧化的方法制备了四针状ZnO和近球形Sb2O3纳米颗粒．检测了基于ZnO—Sb2O3烧结体系的电导和气敏性能，通过XRD分析不同重量百分比的ZnO和Sb2O3混合粉末在烧结后的物相变化，据此讨论了ZnO—Sb2O3烧结体系的电导和气敏性能的变化。结果表明：纳米颗粒可以在较低的烧结温度下发生固相反应，并且生成的复合氧化物ZnSb2O6和Zn2.33Sb0.67O4对烧结厚膜的电导和气敏性能起调控作用。     

掺杂钼对TiO2—x薄膜氧敏性能的影响

以钛酸丁酯为原料，无水乙醇为溶剂，添加适量稳定剂制成稳定溶胶，用浸涂法在Al2O3基片上制备TiO2薄膜，经1000℃H2下不制得TiO2-x薄膜，在钼酸铵溶胶中一定时间得到掺钼薄膜，实验结果表明掺钼薄膜元件在800℃下的氧敏感性和重复性比未掺杂时提高，TiO2-x薄膜的电阻温度稳定性好，通过对薄膜的XPS分析探讨了钼在薄膜中的作用机理。     

α-Al2O3籽晶对Al2O3晶型转变及形貌的影响

在湿化学法合成的纳米Al2O3前驱体NH4Al(0H)2CO3中添加α-Al2O3籽晶(150nm左右)，研究了α-Al2O3籽晶对Al2O3晶型转变及形貌的影响．结果表明，少量Q—A1203籽晶的添加能降低形核温度，有效的提高相转变速率，在较低的温度下完成θ→α-Al2O3的相转变，同时对聚合生长也产生一定的影响．     

新型氧敏CeO2—x薄膜的制备及结构研究

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜。通过改变Ｏ２／Ａｒ比，制备出不同组分和结构的ＣｅＯ２－ｘ薄膜。用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱了Ｃｅ２＋的浓度。ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经空气中高温退火后，形成了立方体ＣａＦ２型小晶粒，晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚。     

Al/Al2O3陶瓷接合基板的制备及性能研究

在675－825℃、氮气气氛下，使用石墨模具压铸的方法制备出Al/Al2O3电子陶瓷基板，利用力学拉伸试验机测试了Al和Al2O3的结合强度，界面抗拉强度＞15．94MPa，使用金相显微镜、SEM等微观分析仪器研究了其界面的微观结构。