场发射平板显示器件

本文概述真空微电子技术的发展及特点。综述了场发射平板显示器件（ＦＥＤ又称平板ＣＲＴ）的优点及其广泛用途。概述了场发射显示器好的结构和工作原理。综述ｓｐｉｎｄｔ型、硅尖锥型及薄膜边缘型三种场发射阴极的制作工艺、性能水平以及制作显示器件所后材料的特点及制作工艺。对目前国际上ＦＥＤ的典型参数加以比较并概述对ＦＥＤ未来市场的预测情况，此外，我们利用ｓｐｉｎｄｔ型阴极研制了平板显示器的原理性样管，在栅、阳极为４００ｖ，６００ｖ时在荧光屏上显示出足够亮的光点，还设计了像素数为１２８×１２８的平板显示器并用矩阵选址方式控制显示图形。现正在作材料和工艺论证并着手进行试制。     

场发射显示器件阴极研究进展

介绍了场发射显示器件的基本结构和工作原理,分析了传统微尖型阴极发射阵列存在的问题,在此基础上介绍了平面型阴极的组成和工作方式以及目前MISM结构平面阴极的研究进展.     

减少氧对Spindt型钼锥FED器件发射性能的影响

本文讨论了氧对Spindt型钼微尖锥FED器件发射性能的影响,并介绍了一种减少这种影响的方法－在氩气环境中焊封FED器件。     

平面显示器件发展前景

本文从平面显示器件现状及其发展、平面CRT的出现、摄像管退出历史舞台,世界性开发高清晰度电视热的影响等方面,阐述普通CRT的经济寿命不会太长,应引起显像管生产厂家和有关方面的高度重视。     

在微尖锥场发射显示器件中荧光灯亮度衰退的研究

在气压 １×１０＾－６至１×１９０＾－９乇范围内，用２ｋＶ能量的电子束轰击同上的ＺｎＳ荧光粉薄膜，在轰击过程中，充入各种不同的气体如氢气，氧气，以评估它们对表面状态的影响。俄歇电子能谱分析数据表明：当有氧气，氢气存在时，在电子轰击过程中，荧光粉表面的硫含量减少。     

场发射平板显示器件

综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开展场发射平板显示器件研究的情况。概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。     

平板显示器件技术与进展

阐述了各类显示器件目前的技术发展状况，着重介绍了等离子体显示器、有机电致发光器件、场致发射器件和液晶投影等。     

真空微电子器件的场发射理论计算模型

本文建立了个真空微电子器件场发射理论计算模型；依此模型对Ｓｐｉｎｄｔ阴极的计算结果与实验符合很好     

数字电视时代的显示器件

我国近几年加快了数字电视系统的建设步伐，这将带动大屏幕高清晰度数字电视HDTV(High Definition Television)市场的发展。毫无疑问，高清晰度数字电视将成为本世纪初的热潮。因此，在未来的10年中，模拟彩电过渡到数字电视包括高清晰度电视是一个必然的趋势。     

三极场发射显示器件的发光优化制作

结合低熔点玻璃粉密封工艺,应用钙钠平板玻璃分别形成阴极面板、阳极面板和封装面板,研发了三极结构的场致发射显示器件。阳极面板作为相互连通的发射腔和排气腔的公共端,用于产生器件显示图像;具有高平整度的阳极面板处于真空环境中,不会出现形变现象,确保了发光图像的显示均匀性。封装面板上不存在任何电极。整体封装器件制作工艺稳定、可靠且成本低廉,具有较高的显示亮度、良好的栅控特性和图形显示功能。     

真空微电子平板显示器（FED）进展述评

本文描述了场致发射阵列平板显示器（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｐｌａｙ）工作原理，和其他平板器件性能的比较，关键技术及未来市场发展前景。     

场致发射显示技术分析

本文介绍了场致发射荧光显示技术的工作原理及特点,分析了场致发射荧光平板显示屏的工作方式,结构及其制作工艺,并讨论了影响显示屏性能的主要因素。     

场致发射显示器研究与进展

介绍了受人们普遍关注的新一代平板显示器场致发射显示器研制开发的新进展情况,其中包括Spindt结构、碳纳米管、表面传导、金刚石薄膜、MIM和MISM结构、大面积可印刷低逸出功型等场致发射显示器.分析了每种类型场致发射显示器的优点及存在的问题,并对它们各自发展前景做了介绍.     

场发射显示器研究现状

目前，场发射显示阴极仍以Spindt型为主。碳纳米管由于其独特的性质，也成为了各国研究的热点问题之一。本文概述了Spindt—FED和CNT—FED各自所具有的特点，并且对目前存在的问题及国内外的发展动态进行了综述。     

金刚石薄膜场发射显示器

简要介绍了一般ＦＥＤ（场发射显示器）的工作原理,研究了非晶金刚石薄膜低场发射特点,讨论了金刚石薄膜制做场发射器的可行性;指出利用金刚石薄膜和阳极选择的方法可对Ｓｐｉｎｄｔ ＦＥＤ进行改进,从而使平面ＦＥＤ更容易实现。     

场致发射平板显示器的研究进展

利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示器是一种新型的平板真空器件。介绍了二极管型和三极管型场致发射显示器的各种基本结构,给出了场致发射平板显示器的基本行列矩阵寻址方式原理,重点分析和讨论了在制作大面积平板器件方面所存在的支撑结构问题,这种新颖的平板显示技术将会进一步降低生产成本和提高显示质量。     

场致发射显示领域专利分析

由于优异的显示特性,场致发射显示器被认为是最有发展前景的平板显示器件之一.分析场致发射显示领域的专利有助于了解该领域的技术发展动态.通过检索欧洲专利局的专利数据库,对筛选出的主要场致发射领域相关的专利进行统计分析,讨论了美国、日本、韩国、中国等的厂商在场致发射显示领域技术的发展现状和未来发展趋势,着重研究了我国场致发射显示领域专利的发展趋势和存在的问题.     

场发射显示器阴极的制备方法及研究现状

目前用于场发射显示器的阴极主要有尖锥场发射阵列阴极、金刚石薄膜、类金刚石薄膜和碳纳米管场发射阴极等。本文论述了这几种场发射阴极常用的制作方法、研究现状及其以后的发展方向,并提出,用新型材料薄膜冷阴极代替传统的尖锥场发射阵列阴极,是实现FEDs大尺寸、低成本的重要途径。     

场致发射显示屏及其产品设计的相关技术

本文全面介绍发场致发射显示屏的研制历史和最新进展；系统地讨论了场致发射显示屏产品设计中的相关技术问题。