我国的钨铜、钨银材料的应用与发展

介绍了钨铜、钨银材料是一类重要而又特殊的金属钨制品材料。简单论述了它的特点及建国五十年来我国钨铜、钨银材料产业的发展概况,并对下世纪初钨铜、钨银材料的发展提出了看法     

钨铜复合材料研究的新进展

介绍了近年来国内外钨铜复合材料在新品种开发上的进展 ,如梯度钨铜材料、纳米钨铜材料等。为了开发这些钨铜新材料 ,叙述了相应的制取工艺上的发展 ,且概述了钨铜复合材料的主要应用及具有应用潜力的领域。     

钨铜材料的生产、应用与发展

简单介绍了钨铜材料应用的发展概况,并以日本近20年钨铜合金生产及应用的发展具体数据说明钨铜材料的发展趋势。评述了钨铜材料各主要应用的特点和要求以及近期钨铜材料生产工艺的重要进展。最后简单评估了国内钨铜材料应用、生产和发展的现状和提出今后发展的建议。     

真空开关和电子器件用钨铜材料

随着真空开关和电子器件新应用的开发，发展了钨铜材料的新系列—真空钨铜材料。本文介绍了真空钨铜材料的特点、制取工艺及主要性能，并讨论了与应用有关的问题。     

渗铜用钨骨架制备工艺的研究进展

钨铜复合材料结合了钨的高熔点、高硬度、低膨胀系数和铜的高导电、导热性能,是一种性能十分优良的复合材料。熔渗法是目前制备钨-铜材料中广泛应用的方法,而熔渗法制备钨铜材料的关键是怎样获得一定致密度的钨骨架。目前制备钨骨架常用的方法主要有以下4种：（1）高温烧结;（2）模压成形;（3）挤压成形;（4）注射成形。本文就目前这4种常用钨骨架的制备工艺进行了简要的介绍和评述。     

钨铜材料应用和生产的发展现状

介绍了钨铜材料目前主要的应用领域、使用特点及其在钨铜材料中所占的份额。叙述为满足钨铜材料新的应用在制取工艺上的研究发展情况。     

钨铜复合材料的研究及应用现状

钨铜复合材料作为一种重要的粉末冶金材料,具有优异的性能,是制造电触头和电极、焊接和电锻模、散热片、封装材料等的理想材料,广泛应用于电气、电子、航空航天和军事等工业领域中。近年来,随着先进制备工艺的研究和发展,钨铜复合材料的性能不断提升,本文主要描述了钨铜复合材料的制备方法、性能改进以及应用现状等。     

钨铜复合材料的应用与研究现状

在简述钨铜复合材料具有良好导热、导电性和高温抗氧化性等优良性能及其在电子封装、集成电路、国防军工、航空航天等高尖端技术的应用拓展空间的基础上，介绍了国内外钨铜材料的主要应用领域和制备新工艺的研究发展现状。     

钨铜复合材料的现状与发展

高导电导热性铜与高温强度、强抗电弧烧蚀钨的良好结合使钨铜复合材料具有一系列优异性能,广泛应用于电接触材料、电子封装和热沉材料。简要介绍了当前钨铜复合材料的应用、制备技术和致密化方法,阐述了钨铜复合材料的研究进展,指出了今后的应用发展前景。     

钨骨架湿氢烧结工艺研究

为了降低钨骨架的烧结温度和提高钨铜复合材料的性能,采用湿氢烧结工艺制备钨骨架,对湿氢烧结-熔渗法制备的W—15Cu钨铜材料性能进行研究,并对钨的湿氢烧结机理进行探讨。采用扫描电镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）对钨骨架和钨铜复合材料的组织与成分进行观察与分析,并测定材料的密度、气密性、热导率和热膨胀系数（CTE）。结果表明：在1450℃下湿氢烧结2h,钨骨架发生较明显的烧结收缩和致密化。用该钨骨架制备的钨铜材料的各项性能均达到热沉材料的要求。湿氢烧结机理主要是在湿氢条件下,通过反复进行的氧化与还原使金属粉末表面形成激活能较低的新生态原子,从而使烧结温度降低。     

钨渗铜材料力学性能和组织的批次稳定性研究

采用3批不同厂家的钨粉，通过烧结-熔渗法制备了钨渗铜材料，分析了材料的密度、金相组织和断口形貌，测试了不同温度下的拉伸强度，对比研究了高温钨渗铜材料的批次稳定性。结果表明：3个批次材料烧结性能一致，渗铜均匀性良好。组织相近，晶粒度相近，断口形貌相近，基本无差异；不同温度点的拉伸强度互有交叉，趋势一致，没有明显差异。对钨渗铜材料批生产过程中，原材料的供方选择和质量管控提出了方法和建议。     

超细多孔钨材料的研制及其去铜工艺的开发

多孔钨材料的孔隙特性和基体材料的机加工性能会影响发射极使用性能和寿命,本研究采用经过分级后的钨粉成功制备了超细多孔钨材料。利用扫描电镜、金相显微镜和超声波无损探伤设备表征了材料的微观组织特性,使用压汞法分析了超细多孔钨材料的孔隙特性,开发了薄片状超细多孔钨试件的去铜工艺。研究表明：分级技术可有效实现对钨粉特性的调控,包括费氏粒度、粒度分布和钨粉微观形貌;使用分级钨粉制备的多孔钨材料空隙特性良好,孔径分布为单峰分布,平均孔径为0.9μm,通孔率为17.1%,闭孔率为1.4%;真空高温物理去铜制备薄片状的多孔钨试件时,使用中部镂空的工装,可以保证试件在去铜完全的同时不发生变形。     

钨铜复合材料中钨的分析

采用稀硝酸-氢氟酸溶样,在硝酸介质中钨以钨酸沉淀存在从而与铜分离。用氢氧化铵将钨酸沉淀溶解,以钨酸铵灼烧重量法测定钨;以电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定滤液中的残余钨,二者之和为总钨量。此方法已用于测定钨铜材料中质量分数大于10%的钨,结果与认定值相符。     

钨电极材料研究进展

对当前钨电极材料进行了分类，对不同稀土钨电极的使用性能进行了简单介绍。同时对几种典型稀土钨电极的制备及研究进展进行了详细综述，并介绍了钨电极的应用及发展情况。     

电位滴定法测定银钨合金中银

银钨合金是制备微电子元件和耐高温元件的关键材料,准确测定其中银的含量对于把控产品质量、银钨合金废料回收利用具有重要意义。采用硫酸-硫酸铵溶解样品,可以有效提高消解体系的温度,同时铵根离子的存在可以络合溶液中的钨离子,促进样品的消解,在酸性条件下,用氯化钠标准滴定溶液滴定至电位突跃,记为终点,建立了电位滴定法测定银钨合金中银含量的分析方法。研究表明,产品中存在的其他元素钨、铝、钴、铬、铜、铁、锰、镁、镍、锡对银量的测定无干扰。按照实验方法测定4个银钨合金样品中银,测定结果的相对标准偏差(RSD,n=11)为0.14%~0.53%,加标回收率为99%~102%。选取Ag20W和Ag80W两个样品,按照实验方法对其中银含量进行测定,并采用标准方法JB/T 4107.4—2014进行验证,经F检验和t检验分析,证明两种方法具有较好的一致性。     

钨热电子发射材料的研究进展

钨热电子发射材料主要用作微波管、阴极射线管、等离子体装置和电子束设备的阴极，是电子产生的源泉，它的研究与应用已有多年历史。本文详细阐述了钨热电子发射材料的种类、性能特点、发射机制及其应用，总结了它们的发展历史和研究进展，提出了目前钨热电子发射材料的几个研究方向。稀土氧化物-钨热电子发射材料具有优越的发射性能，并可解决W-ThO2阴极材料的放射性污染，对综合性能更优的复合稀土氧化物，钨热电子发射材料需要进一步深入研究。随着纳米技术的发展，纳米复合氧化物，钨热电子发射材料是目前钨热电子发射材料研究的热点。在发射过程中，如何保证发射电流的稳定性、均匀性是热发射研究的又一个研究方向。     

钨及钨合金注射成形研究进展

评述了钨及钨合金粉末注射成形的研究进展,着重介绍了钨及钨合金粉末注射成形工艺研究和理论探讨,列举了钨材料在国防军工、航空航天、能源、电子等行业领域中的应用,总结了钨材料的研究方向。通过采用高品质粉末制备与改进技术,对钨阴极进行合理的结构设计,对制备工艺进行综合优化,在新结构设计的关键钨零件方面提出了钨粉末注射成形的技术课题,展望了钨科学技术发展的美好未来。     

粉末粒度对于高温钨渗铜材料骨架性能的影响

高温钨渗铜材料是由高温烧结钨骨架经熔渗金属铜而制成的互不固溶型复合材料 ,钨骨架的连续程度、钨颗粒的连接状态以及孔隙形态和大小等因素将直接影响材料的使用性能。本文从钨粉粒度的角度出发 ,研究其对于钨渗铜材料骨架性能的影响 ,实验表明 ,在相同的烧结制度 (2 2 30℃× 5h)下 ,细颗粒钨粉所得到的骨架密度比中颗粒钨粉所得到的要高 ,但其内部形成大量封闭孔隙 ,使得其连通性能不及中颗粒钨粉所得骨架 ,不利于金属铜的熔渗 ;对于相近骨架密度 (86± 0 5 % )的两种试样 ,从渗铜结果来看 ,二者的骨架连通性能相当。从SEM照片来看 ,细颗粒钨骨架的晶粒尺寸明显比同骨架密度中颗粒钨骨架的晶粒尺寸小 ,高温拉伸结果显示细颗粒钨渗铜材料比相应中颗粒钨渗铜材料的强度要高的多 ,这一点说明了钨骨架的晶粒细化对钨渗铜材料有明显的强化作用。     

钨骨架挤压成形工艺探讨

根据试验及批量生产实践,对钨骨架挤压成形工艺,如原材料选择、掺蜡量、掺蜡方法、挤压温度、挤压速度、脱蜡与预烧等进行了论述。挤压成形工艺生产的钨骨架经浸铜或浸银后,可得到物理性能很高的合金材料。其生产效率高,质量稳定,对于大批量生产钨基产品有广阔的前景。     

钨铜触头材料的热等静压处理

研究了钨铜触头材料的热等静压(HIP)处理。触头材料通过混合、压制、预烧结、熔渗制成。在低于铜的熔点温度和90～100MPa压力下进行HIP。试验结果表明,对于W60Cu40触头材料,HIP后密度由12.7～12.8g/cm_3高到13.2～13.3g/cm_3;硬度由HRB50～70提高到HRB80;抗弯强度由550～750MPa提高到高于1000MPa,电导率可以稳定地达到大于60％IACS。认为钨铜的HIP可以消除工件中的疏松、缩孔和熔渗缺陷,其机制与热等静压铸造合金相似。对于具有连通至表面的上述缺陷,则热等静压无效。试验结果也表明,从提高密度考虑,对于含铜低至20％左右的钨铜材料,HIP也有良好效果。