一种基于SOI材料的新型可调谐光衰减器的设计

设计了一种新型的、基于SOI材料的可调谐光衰减器，其调制区采用了独特的双脊型PIN结构。增强了注入电流场与光场的重叠，提高电注入效率．用BPM方法分析了波导结构的传输损耗，用有限元法分析了二维PIN结的电注入特性．结果表明该结构的光衰减器有良好的性能．     

SOI基亚微米光波导可调光衰减器的设计

基于硅的等离子色散效应,构建了SOI基光波导可调光衰减器(VOA)仿真模型,对SOI基亚微米脊形波导结构的模式特性、VOA器件的掺杂区间距、掺杂深度及浓度对VOA特性的影响进行了系统的模拟分析,优化设计出了小尺寸、低损耗的VOA器件,仿真结果表明:该器件在2.1V电压下即可获得30 dB衰减量,功耗仅为14 mW.     

新型可调谐光学衰减器研究

研究一种具有光敏液晶(LC)深层的可调谐光学衰 减器(TOA)。将光敏LC材料涂覆在 侧边抛磨光纤(SPF)抛磨区表面。在环境温度为45℃时,器件衰减值 可调谐范围达15dB。在周 期性泵浦光照射下,器件调谐性能可逆并可重复,响应时间小于5s。泵浦 光照射时,光敏LC材料发生相变,其涂覆层折射率发生变化,器件衰减值随之改变。 本文的TOA结构简单,成本低,易于同其它光纤器件连接和集成,在全光通 信系统中有潜在应用价值。     

基于SOI的光波导和V形槽集成器件

文章介绍了一种基于SOI的集成半导体器件。设计了5μm×5μm的单模光波导,并用APSS软件进行了光场模式分析;利用KOH各向异性腐蚀制造了直的脊波导、Y分支器和V形槽;最后,利用紫外光敏胶将波导和光纤固定。     

SOI脊形光波导结构参数的研究

通过对SOI脊形光波导的模式的理论分析与计算，得出了在给定内脊高b对应的脊宽W与外脊高h的关系曲线。为这种脊形光波导的结构设计提光供了可以依赖的依据。     

一种基于MEMS技术的可调谐光滤波器

文章介绍了一种基于微电子机械系统(MEMS)技术的可调谐光滤波器(TOF),分析了其基本原理和光学结构,给出了合理的设计方案及所进行的实验验证.实验结果表明,该滤波器性能优良,20 dB带宽<0.65 nm,3 dB带宽<0.24 nm,整个光路的插损控制在2 dB以内.根据该方案设计的滤波器具有体积小、成本低和波长调...     

一种新型光波导及其在光衰耗器中的应用

本文介绍一种能用于可调谐光衰耗器的新型光波导,其包层为金属汞,包层长度灵活可变。理论分析和实验均表明,这种光波导的光功率衰耗与包层长度成正比,在１．３μｍ光波长,当芯径为４００～６２μｍ时,应对光功率的衰减为０．０４～０．１６ｄＢ／ｍｍ,。以此光波导为基础的可调谐光衰耗器具有结构简单、性能优越等特点,其测量精度可达０．３ｄＢ。     

基于类电磁诱导透明超材料的可调谐慢光器件

提出并设计了一款能够调控类电磁诱导透明现象的超材料,其单元结构由矩形开缝谐振环和加载变容二极管的开缝金属线组成。当调节变容二极管的电容值时,类电磁诱导透明现象中谐振峰频率会随着电容值的减少往低频方向移动,且对应的幅度值逐渐降低;当电容值降至0.79 pF时,类电磁诱导透明现象消失。通过表面电流分布、双谐振子模型和等效电路模型对其物理特性进行了分析。结合仿真和实验结果证明了该超材料可调谐功能的有效性。通过计算该超材料在不同电容值下的群时延表明其具有良好的慢光效应,因此在设计可调谐的慢光器件中具有潜在应用价值。     

新型阶梯形可调谐光滤波器的优化设计

针对阶梯形可调谐光滤波器(LTOF)的结构特点,建立LTOF多光束干涉的理论模型,从理论上对其输出性能和调谐性能进行优化设计。结果表明：通过对输出谱、峰值功率、邻道串扰及3dB带宽进行数值分析和比较,得到了最优级联级数和分光比;设计出峰值损耗低于10dB,邻道串扰低于-12dB和3dB带宽低于5nm的器件,其最优级联级数和分光比分别为20和0．85。提出增大电极长度至1．4倍来覆盖整个58nm的自由频谱区(FSR)的设计方案,实现了连续调谐。     

SOI基微环谐振可调谐滤波器

采用电子束光刻和ICP刻蚀等工艺制作出基于SOI纳米线波导微环谐振滤波器。滤波器微环半径为5μm左右,波导截面尺寸为(350nm～500nm)220nm不等。测试结果表明,波导宽度为450nm时器件性能最为理想,其自由频谱宽度为16.8nm,1.55μm波长附近的消光比为22.1dB。通过对微环滤波器进行热光调制,在21.4℃～60℃温度范围内实现了4.8nm波长范围的可调谐滤波特性,热光调谐效率达到0.12nm /℃。同时,研究了基于单环和双环的多通道上下载滤波器,实验结果表明多通道滤波器的信号传输存在串扰,主要是不同信道之间的串扰,尤其在信号上载时,会在相邻信道产生较大串扰。     

聚合物热光可变光衰减器

提出一种旁路结构聚合物热光可变光衰减器 (variable optical attenuator,VOA)的设计 ,采用旁路波导可提高衰减效率并降低串扰 .软件模拟验证 ,无间距旁路 VOA衰减可达 2 8d B,比未加旁路波导的相同结构 VOA增加10 d B,但同时插入损耗增加 0 .3d B,串扰低于 - 4 4 d B,理论功耗为 4 0 m W.采用倒脊形结构研制了原理性的热光聚合物 VOA,测得衰减大于 11d B,相应输入电流为 6 6 m A,具有明显的热光效应 .     

光子晶体波导可调光衰减器

提出一种直接用光子晶体(PC)波导实现的新型可调光衰减器(VOA)。基于填充液晶的光子晶体方向带隙的可调节性,通过调节液晶指向矢的旋转角实现对光子晶体波导衰减量进行控制。采用时域有限差分法(FDTD)对其原理和结构参量进行了分析。数值模拟结果表明,随着液晶旋转角从0°～90°改变,填充液晶的光子晶体波导可以实现光通量在0.5～25.4dB的动态衰减,它插入到普通光子晶体波导之间的额外损耗只有0.2dB,尺寸仅为微米量级。     

GSK02型光可变衰减器

本文详细介绍ＧＳＫ０２型光可变衰减器的工作原理、设计方法和试验结果。光可变衰减器采用金属蒸发镀膜衰减片作为衰减元件，连续衰减和步进衰减相结合，可变衰减范围大，衰减量稳定。     

全光纤热光型可变光衰减器

根据光纤包层中的倏逝场机制,将具有热光效应的聚合物材料直接覆盖在侧边抛磨光纤上,进行了全光纤热光型可变光衰减器(VOA)的研究.根据理论分析,确定了在侧边抛磨光纤的抛磨区上覆盖材料的折射率与纤芯中光衰减量之间的关系,为选择适当折射率的热光材料提供依据.设计适当的侧边抛磨区,利用先进的轮式侧边抛磨技术,制备了侧边抛磨光纤,以达到最佳可变光衰减效果.采用螺绕电极和优化封装,制作出性能优良的全光纤热光型可变光衰减器.性能测试表明,器件插入损耗小于0.1 dB,衰减范围为0~80 dB,偏振相关损耗小于0.02 dB,背向反射大于70 dB.该方法制作的全光纤热光型可变光衰减器具有可用电驱动调控、可靠性高等优点.     

基于透明铁电陶瓷的高速可变光衰减器

透明铁电陶瓷具有很高的电光效应和快速的响应时间,但其存在回滞效应且受温度影响大,存在稳定性问题。该文采用后反馈闭环控制技术,有效地克服了这一缺点,制成了高性能的高速可变光衰减器模块。实验结果表明该器件模块的响应时间约10μs,衰减动态范围大于25 dB,插入损耗小于0.6 dB。     

一种近红外多通道可调光衰减器校准系统的设计与实现

针对中性密度滤光片（以下简称滤光片）型近红外多通道光衰减器,提出了一种校准系统设计方案,并通过搭建校准系统对其进行了验证。结果表明,与传统的校准方案相比,本方案不仅能够缩短多通道可调衰减器的校准时间,而且还能够提高仪器的校准精度。     

SOI基PLC型阵列波导光栅与可调光衰减器单片集成

制作了基于绝缘体上硅(Silicon on Insulator,SOI)材料的8×16通道的阵列波导光栅(Arrayed Waveguide Grating,AWG)与电吸收型可调光衰减器(Variable OpticalAttenuator,VOA)的单片集成器件,其信道间隔为200 GHz.该集成器件采用脊形波导结构,其截面尺寸为亚微米级,整体尺寸为2.9 mm×1 mm.该VMUX器件的片上损耗为9.324～10.048 dB,串扰为6.5～8.2 dB;在20 dB衰减下,单通道最大功耗为87.98 mW;最大信道偏振相关损耗(Polarization Dependent Loss,PDL)为0.461 dB,16通道的衰减一致性为0.245 dB.该器件能够实现良好的波分复用/解复用及信道功率均衡的功能.     

多通道数字可调光衰减器模块的设计与实现

设计了一种基于电控可调光衰减器(EVOA)的多通道数字可调光衰减器模块,该模块集成多达32通道的光衰减器,可根据需要灵活进行配置,并采用了通用的I2C通信接口,非常方便和简单地应用于系统设备中.该模块克服了EVOA电压衰减非线性的缺点,衰减精度高,而且保留了EVOA的光学特性.