一种基于SOI材料的新型可调谐光衰减器的设计

设计了一种新型的、基于SOI材料的可调谐光衰减器，其调制区采用了独特的双脊型PIN结构。增强了注入电流场与光场的重叠，提高电注入效率．用BPM方法分析了波导结构的传输损耗，用有限元法分析了二维PIN结的电注入特性．结果表明该结构的光衰减器有良好的性能．     

宽频带毫米波匹配型PIN衰减器

<正>PIN电调衰减器可分匹配型和反射型二种.常用的是匹配型衰减器;而反射型衰减器一般要配有隔离元件才能使用,所以实用价值较小.有关毫米波段PIN电调衰减器,迄今虽未见有产品报道;但实验型毫米波段的PIN电调衰减器已有报道,其结构均是采用鳍线插入单脊或双脊波导中.对毫米波段匹配型PIN衰减器,文献[1]作了尝试;采用了双向鳍线结构,将衰减管与匹配管分别接于鳍线的两面;这种结构的衰减器,其缺点是衰减量受到限制.这是由于微波能量不可能集中到双向鳍线的一个侧面的衰减管上.文献[1]所报导的典型结果是:工作频带为28—40千兆赫,零偏插损     

电控遮挡式光衰减器的设计与实现

利用一种新的简易的方法,实现了一种高精度连续可调的遮挡式光衰减器,它由光纤准直器、分路器,光电PIN管、控制电路、步进电机、挡光片组成.通过准直器对光的扩束和挡光片的精加工,保证了遮挡式光衰减器的可行性;光路反馈系统的控制,提高了衰减器的可靠性和精度.该技术容易实现,具有很大的使用价值和广泛的市场前景.     

频率合成器、功率合成器、均衡器、衰减器

Y99-61799-601 0007680宽带微波 PIN 二极管衰减器=Broadband microwavePIN diode attenuators[会,英]/Iordaneseu,S.&Simion.G.//Proceedings of 1998 International Semicon-ductor Conference,Vol.2.—601～604(UG)介绍了装有 ROV211芯片式 PIN 二极管的可变衰减器的分析和设计结果,也分析了这种开关式 PIN二极管衰减器的非线性效应。这种衰减器是一种软微波型衬底上的混合式微波集成电路。对于两倍频程带宽,其插入损耗小于2dB,动态范围为27dB。参6     

微带巴仑双极PIN管电调衰减器分析与设计

本文分析了一种具有微带已仑结构的双极PIN管电调衰减器，该衰减器结构合理，衰减动态范围大，并可以实现双极衰减特性。文中给出了设计方法和实验结果。实验表明，该衰减器在2.10～2.30GHZ电调范围±5V内最大衰减可达35dB。     

高速匹配型PIN衰减器

<正> 为了适应当前电子系统工程中所提出的要求,南京电子器件研究所开展了宽带快速受控匹配型PIN衰减器的研制工作。 众所周知,受控速度低的PIN衰减器,一般电性能指标均较为优良,尤其插入损耗可以做得较小,在C,X,Ku波段内可分别小于0.6dB,0.8dB,1.0dB。然而,当要求受控速度高时,尤其控制速度在纳秒数量级时,PIN衰减器的研制不仅对PIN二极管有较高要求,而且还须精心考虑偏置电路与要求提供快速激励源。此外,对PIN衰减器本身的研制也带来一定的困难,主要表现在:由于PIN二极管的Ⅰ层减薄引起微波插入损耗增大和承受功率降低。为此,宽带快速受控匹配型PIN衰减器的研制工作重点放在减小插入损耗,提高受控速度,增大动态范围等几个方面。 在部件设计中采用了CAD技术。编制了三个分析程序和一个综合程序,对快速受控匹配型PIN衰减器进行了优化设计,其典型性能列于表1,实物外形见本期封底照片。     

应用于硅基等离子天线的横向PIN二极管的研究

介绍了横向PIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,用一维理论分析了载流子大注入情况下横向PIN二极管本征区载流子浓度分布.对横向PIN二极管进行了物理建模,仿真分析了本征区长度、二氧化硅埋层、电极长度、结区掺杂浓度及表面电荷对横向PIN二极管本征区载流子浓度的影响,总结了横向PIN二极管的一般设计规则.     

基于SOI的低功耗低偏振相关损耗的可调光衰减器

基于硅的等离子体色散效应,构建了大尺寸SOI基光波导电光可调光衰减器(VOA)仿真模型,系统模拟分析了结构参数对VOA衰减及偏振相关特性的影响,优化设计出了低功耗、低偏振相关损耗的VOA器件,仿真结果表明,该VOA在20 dB衰减下的功耗仅为24 mW,偏振相关损耗为0.41 dB.     

大功率短波发射机射频自动增益控制分析与探讨

本文在阐述了PIN二极管工作原理的基础上,介绍了TSW2500进口发射机中使用的射频衰减器控制系统,通过控制馈入的直流电流信号大小来改变PIN管的导通程度,使PIN二极管成为一个射频可变电阻,衰减器在较宽的频带范围内实现了较好的匹配和较平坦的衰减。     

标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文)

基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号.分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16.7dB与-15.7dB,锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0.42A/W与6.51GHz.     

一种毫米波梳状鳍线电调衰减器的研究与实现

为实现毫米波信号功率电平控制,设计出一种电调衰减器,衰减器传输线为波导鳍线形式,通过在鳍线槽缝中并联PIN二极管实现衰减,另外,为了抑制波导与鳍线夹缝中的能量泄露,采用了一种新型纵向的梳状结构进行改善。整个电路结构紧凑,易于加工实现,经过仿真、优化并实测,在Ka波段1 GHz 带宽内插损不超过2 dB,最大衰减量可达32 dB,衰减性能良好。     

光纤型光可变衰减器的研究与设计

通过分析和利用光纤弯曲带来的辐射损耗 ,提出由此制作的光可变衰减器 ,结构简单 ,成本低廉 ,具有较强的适用价值。     

A PIN diode controlled variable attenuator using a 0-dB branch-line coupler

We describe a simple PIN diode controlled variable attenuator that employs a 0-dB branch line directional coupler. The response of the attenuator was measured between 1.3 GHz and 2.6 GHz. At the center frequency, the attenuation monotonically varied from 0.7 dB to 23 dB with the control voltage, and the distributed branch-line coupler structure resulted in low input reflection. Our attenuator is easier to design, smaller in area than a double hybrid coupled attenuator, and has comparable or better reflection and attenuation performance characteristics.     

光控毫米波介质波导衰减器和移相器研究

本文介绍了两种光控介质波导衰减器和移相器.一种是用高阻硅制成的介质波导.计算表明,由于高阻硅中非平衡载流子的扩散长度较长,由光照产生的电子-空穴对将分布在整个介质波导内,因此这种衰减器有较好的线性.另一种是用高阻硅薄片覆盖在陶瓷介质波导上组成的.用带修正的有效介电常数法计算了这种由两层高介电常数材料制成的介质波导的轴向传输常数、衰减常数和相位常数.实验测量了这两种结构的衰减量、相移量,并与理论计算作了比较.     

自由光通信中PIN探测器光阈值特性研究

研究自由光通信中PIN探测器在1 064 nm波长下的阈值特性。为了观察PIN光电探测器的激光损伤阈值对光通信的影响,利用Nd:YAG激光器、衰减器、示波器和PIN探测器等仪器模拟无线空间光通信系统。实验以PIN探测器在1 064 nm波段为样本。通过调整衰减器的衰减系数,从而观察探测器达到强光饱和时通信波形的眼图变化,判断探测器是否能够继续通信。通过实验发现:探测器达到深度饱和时,系统通信出现脉宽展宽现象,并出现严重的码间串扰无法满足通信指标。通过实验阈值,建立空间数学模型。观察距离、束散角和辐照夹角对致盲激光器功率的影响。     

Voltage-controlled PIN diode attenuator with a temperature-compensation circuit

This paper presents a voltage-controlled PIN diode attenuator and its temperature-compensation circuit composed of a thermistor and simple operational amplifier circuits. After carefully investigating the temperature characteristics of PIN diode attenuators, we designed voltage-controlled PIN diode attenuators showing the linear attenuation characteristics of 16 dB with input voltage within the operating temperature range. The fabricated attenuator has demonstrated the improvement of attenuation variation from 15 to 0.5 dB in the temperature range from -15 to 65/spl deg/C.     

光子晶体波导可调光衰减器

提出一种直接用光子晶体(PC)波导实现的新型可调光衰减器(VOA)。基于填充液晶的光子晶体方向带隙的可调节性,通过调节液晶指向矢的旋转角实现对光子晶体波导衰减量进行控制。采用时域有限差分法(FDTD)对其原理和结构参量进行了分析。数值模拟结果表明,随着液晶旋转角从0°～90°改变,填充液晶的光子晶体波导可以实现光通量在0.5～25.4dB的动态衰减,它插入到普通光子晶体波导之间的额外损耗只有0.2dB,尺寸仅为微米量级。     

基于磁流体和无芯光纤的磁场传感器

用无芯光纤(NCF)作为单模-多模-单模(SMS)结构中的多模光波导,并将其浸没在密封于毛细管内的磁流体(MF)中,形成了一种新型的全光纤化磁场传感器。传感器可利用磁场变化时其透射谱中谷值波长的移动或峰值波长处的透射率变化对相应的磁场变化进行测量。完成了传感器的制作并进行了实验研究,在传感器长约9cm时,实验得到的磁场灵敏度分别达到了78pm/Oe和0.129dB/Oe。除了作为磁场传感器,本文装置还可以用来作为磁控可调光衰减器或光调制器。     

硅光子器件及其集成技术的研究

主要探讨了偏振分集光路、可调光衰减器、波导耦合型锗光电探测器等硅光器件的研究进展,分析了其结构及技术参数,随后探讨了VOA-PD单片集成技术以及VMUX单片集成技术两种硅基单片集成技术,指出硅光子器件的性能指标已经能满足现代光纤通信系统的要求。     

太赫兹波导固定衰减器的设计

随着太赫兹技术的迅速发展,太赫兹系统中使用的波导衰减器也成为研究热点。波导衰减器可以对太赫兹信号实现精确衰减和控制功率传输,在解决损耗、辐射和干扰等一系列问题中,具有特殊意义和不可替代的地位。而目前的波导衰减器将衰减片平行于电场放置在矩形波导内,破坏矩形波导传输线,容易造成射频泄露。本文基于吸收式波导衰减器工作原理,提出了一种衰减片垂直于矩形波导电场的波导固定衰减器,通过将衰减片贴在波导内壁,保证传输线完整。使用高频电磁仿真软件HFSS,通过改变衰减片的形状、位置等参数,优化回波损耗、衰减精确度等指标,最终完成110~170 GHz波导固定衰减器的研制。在110~170 GHz频率范围内,衰减器的回波损耗小于-27.5 dB,在20 dB的衰减时,衰减精确度小于±2 dB。