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1.
Wang Changhe 《微纳电子技术》1995,(4)
本文介绍了GaAsMESFET和HEMT的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理,分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系,其中,器件参数包括物理参数N_D、N_s、V_s,μ和电参数I_DS、g_m、V_p、G等。 相似文献
2.
在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上,着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应,包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应,并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括:CMOS/体硅电路,CMOS/SOS电路,GaAsMESFET及其电路,电荷耦合器件等。 相似文献
3.
星用微电子器件辐射效应及加固途径分析 总被引:3,自引:1,他引:2
在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上,着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应,包括电离辐射效应,瞬态辐射效应和中子辐射效应,并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法,涉及的器件包括:CMOS/体硅电路,CMOS/SOS电路,GaAsMESFET及其电路,电荷耦合器件等。 相似文献
4.
阐述了功率GaAsMESFET器件热阻测试中温敏参数VGSF和测试电流Im的选取,给出了1~5W器件典型温敏参数的温度测试系数M与测试电流Im的关系。讨论了测试延迟时间tmd对△VGSF测量值的影响和三种校正方法。 相似文献
5.
详细论述了多种辐照源辐射GaAsMESFET器件和电路产生的SEU(单粒子翻转 )效应,辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子不等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生SEU的过程和机制。研究表明:1)在低温生长GaAs阻支的MESFET电路,有较强的抗SEU能力;2)在MESFET中,产生SEU的原因在于辐射导致了漏极收集电荷的增加,而且,电荷惧增强机制扔三种:a)背沟道导通机制,b)双极增益机制;c0 相似文献
6.
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
7.
Gao Jianjun 《微纳电子技术》1994,(6)
介绍了一种晶片条件下FET器件(包括MOSFET,GaAsMESFET和HEMT)寄生元件的剥离技术,并利用此技术获取了器件的本征[Y]参数。 相似文献
8.
9.
不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
Early电压VA和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数,本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下,SiGeHBT中基区Ge含量以及VCE对器件的Early电压VA的影响,并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下,器件的Early电压VA随基区中Ge含量和偏置电压VCE的变化规律,表明Early电压VA是随VCE和Ge含量的增加而增加的.这些结果对SiGeHBT在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导. 相似文献
10.
11.
12.
MESFET和PHEMT大信号建模 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了MESFET和PHEMT大信号建模的现状,提出了在DC和脉冲两种状态下通用于MESFET和PHEMT的有确I-V模型;提出了具有二维C-V模型精度的一维C-V模型格负载线S参数测量提取方法,提出了采用改进Cold FET测量与提取技术进行管壳封装器件建模的方法。本文的大信号模型具有很好的数值收敛性和标准的等效电路。提出了的模型精确地模拟了器件的DC I-V、脉冲I-V、偏置样在S参数、C-V 相似文献
13.
14.
掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性,阈电压和界面态。结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降,采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
15.
用PECVD氮化硅薄膜对GaAs MESFET进行钝化,本文讨论了钝化对器件特性的影响,提出了一种改善GaAs器件表面的方法,结果表明利用该方法和PECVD氮化硅钝化膜改善了器件的栅漏击穿电压。 相似文献
16.
17.
电离辐射引起MOSFET跨导退化的机制 总被引:1,自引:0,他引:1
通过研究60Cor射线对MOSFET跨导的影响,定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Si/SiO2界面态密度增加分别与NMOSFET和PMOSFET跨导衰降之间的依赖关系。试验表明,对于PMOSFET,电离辐射感生氧化物正电荷累和界面太度增加降导致器件跨导退化。对于NMOSFET来说。这种退化只与辐射感生界面态密度增长有关。 相似文献
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研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性、阈电压和界面态.结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降。采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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