纳米半导体材料及其纳米器件研究进展

简单介绍纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位,分别讨论半导体纳米结构的制备方法与评价技术;对近年来纳米半导体材料和基于它的固态量子器件研制所取得的进展、存在的问题和发展的趋势作扼要的综述,最后,结合国情和我国在该领域的研究现状,提出发展我国纳米半导体材料的战略设想。     

纳米半导体材料及其纳米器件研究进展(续)

4 纳米器件研制进展和发展趋势人们预测到2012年硅FET的栅长可达到35nm 或许更小,这很可能是一个临界尺寸。这时不仅要遇到高电场下硅和二氧化硅的雪崩击穿、高集成度时的热耗散问题、体性质消失和掺杂不均匀带来的问题、电子隧穿出现薄氧化层的不平坦以及互联延迟等难以克服等困难,而且随集成度提高,价格迅速下降的规律也将不再成立;其次,开发小于100nm工艺技术所耗资金,也恐难以承受。     

纳米器件不同凡响

今年以来，世界纳米技术研究领 域热气腾腾，硕果累累，一系列新颖的纳米元器件脱颖而出，十分引人瞩目。 所谓纳米技术，就是研究纳米尺度——０．１～１００纳米这种微观范围内物质所具有的特异现象和特异功能，并已在这个基础上制造新材料、研究新工艺、生产新器件的方法和手段。纳米技术作为一门新兴的综合性边缘学科，将为２１世纪的信息科学、生命科学、分子生物学、生态科学和材料科学的发展提供一个全新的技术界面。市场调查公司Ｄａｔａｑｕｅｓｔ在一份新发布的预测报告中指出，未来世界科技发展的九大关键技术之一就是纳米技术。…     

一种新型半导体材料—纳米晶硅

一种新型半导体材料──纳米晶硅李建军，魏希文，万明芳（大连理工大学半导体研究室１１６０２３）一、引言继非晶硅、多晶硅、微晶硅之后，纳米晶硅是近几年发展起来的又一种新型半导体材料。纳米固体材料是一种既不同于晶态也不同于非晶态的第三类固体材料，由１～１５...     

半导体超晶格材料和光电子器件的研究和发展

半导体超晶格材料和以这些材料为基础的光电子器件是半导体科学和技术的一个新生长点。 超晶格材料是新一代半导体材料,它为新一代光电子器件奠定了基础。而这些新一代光电子器件正是廿一世纪光电子产业的核心。 半导体超晶格材料的研究和发展,把半导体光电子器件的研究和发展推进到一个崭新的阶段。可以预言,正如廿世纪是电子产业的时代一样,廿一世纪必定是光电子产业的时代。     

用纳米晶材料制作光电子器件的研究

硅纳米晶材料最有希望用于制作有源器件,如调制器、光放大器和发光二极管等.人们观测到纳米晶中发光的蓝移与晶体尺寸成正比,其发光效率通常比体材料的发光效率要高.但是,硅的间接带隙所产生的难以克服的余辉将导致相当长的辐射复合寿命(μs数量级),这将限制硅纳米晶光电子器件的发光亮度和发光效率.如果采用等离子激元增强光发射机理提高硅纳米晶的辐射发射速率,则可将硅量子点材料视为能取代直接带隙化合物半导体材料的光学材料.     

纳米器件与材料的电气测量

对纳米材料与器件的电气测量不仅可以揭示其电学特性,而且可以揭示如纳米粒子状态密度等基本特性.这些基本特性可用于预测和控制其物理特性,如拉伸强度、颜色及导热率.但若想理解这些特性则需要采用高灵敏度的仪器和先进的探测技术以采集电气数据.专为纳米技术研究设计的仪表设备在电气测量中已成为极其重要的科学仪器,但在选择测试系统和工艺方法上仍要求周到细致地分析,从而实现快速、精确的测量.     

纳米半导体材料的制备技术

介绍了纳米半导体材料的定义、性质及其在未来信息技术中的地位,讨论了纳米半导体材料的制备方法。     

纳米发光材料及器件的研究发展

纳米发光材料及相关器件是近年来国际上的一个研究热点。本文对这方面的主要研究方向如硅基纳米发光材料、纳米粉末发光材料、碳纳米管的场发射等研究进展进行了综述。这些纳米材料在光电集成、信息显示等领域具有重要的学术意义和良好的市场前景。     

纳米器件与材料的电气测量

新产品开发,包括那些并非为电子应用设计的开发而言,对纳米材料与器件进行电气测量是必不可少的。使用正确的仪器和工艺方法可以缩短测试时间并可以协助确认有用数据的采集。     

半导体表面安装器件及其应用

本文在扼要介绍表面安装技术的优点、组装工艺过程与组装设备以及它的应用的基础上，论述了半导体表面安装器件的种类、封装形式、包装、标准化及应满足的质量要求。最后，对半导体表面安装器件应用中须注意的问题作了说明。     

半导体和陶瓷敏感器件的发展

本文概述敏感材料及其功能效应,半导体和陶瓷敏感器件的发展。指出集成、薄膜和多功能是敏感器件的主要发展方向。     

半导体材料与器件九十年代最新进展

本文分别从单晶的尺寸、质量、新型器件、微加工及其集成度和性能几方面报导半导体材料与器件九十年代的世界水平。     

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶在光电器件方面的应用研究进展

光电器件是指以光电效应为基础的器件,又被称作光敏器件,伴随社会的不断发展以及科技的不断成熟,光电器件制作工作得到了一定发展。近几年来,如何将Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶应用在光电器件中的研究成了社会研究的热点内容,基于此,本文针对此方面研究工作展开了详细论述,供从业人员参考使用。     

锑化物半导体材料与器件应用研究进展

窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系.概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各种新型功能器件的研发提供的极大发展空间,指出该材料成为美国、日本、德国、以色列等发达国家竞相开展研究的热点领域.概要介绍了锑化物半导体材料的制备工艺、存在的问题和器件应用的一些最新成果,给出了今后该领域的发展趋势.     

SiC半导体材料及其器件应用

分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优势。