采用有效质量法对Al_yGa_（1－y）As／Al_xGa_（1－x）As单量

介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图．为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算．其中，将超晶格的一些基本观点进行了约化，以期望更方便地应用于单量子阱结构的研究．结果表明，理论值（波长７７５ｎｍ）和实验值相吻合．说明将超晶格基本观点进行了约化后，有效质量方法对单量子阱结构的理论分析和计算是十分有效的方法．     

分子束外延GaAs／AlGaAs量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器，波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下一光功率大于２０ｍＷ。     

超晶格中的电子谱

对多年来超晶格多量子阱中的电子谱滤波及相关研究成果进行了总结、归纳，并研究了纳米面材料的电子滤波，超晶格多量子阱中的电子谱．叙述了周期超晶格和非周期超晶格中的电子透射和反射系数，介绍了外场下超晶格中的电子谱．外界条件可引起超晶格中内建电场的变化，进而引起隧穿电流的变化．     

分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．     

用于光开关和光计算的多层量子阱

本文讨论了超晶格半导体材料(多层量子阱结构)在光开关和光计算中应用的优越性。从其特殊的结构出发,讨论了其非线性机制以及比体单晶材料优越的特点。给出了多层量子阱器件可能用于光计算的集成器件方案。     

超晶格中的电子谱

对多年来超晶格多量子阱中的电子谱滤波及相关研究成果进行了总结、归纳,并研究了纳米面材料的电子滤波,超晶格多量子阱中的电子谱.叙述了周期超晶格和非周期超晶格中的电子透射和反射系数,介绍了外场下超晶格中的电子谱.外界条件可引起超晶格中内建电场的变化,进而引起隧穿电流的变化.     

量子阱中杂质原子的有效哈密顿量的计算

考虑电子与纵光学声子ＬＯ和面光学声子ＳＯ之间的相互作用，讨论在磁场作用下超晶格量子阱中的杂质原子的哈密顿量，并利用Ｌｅｅ．ｅｔａｌ变分法计算其有效哈密顿量。     

浅施主杂质在对称GaAs/AlxGa1-xAs双量子阱中的束缚能

为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/Alxga1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好．体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况,并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值．     

量子阱中杂质原子的有效哈密顿量的计算

考虑电子与纵光学声子LO和面光学声子SO之间的相互作用,讨论在磁场作用下超晶格量子阱中的杂质原子的哈密顿量,并利用 Lcc.et al变分法计算其有效哈密顿量.     

双势垒量子阱中的纵向光学声子模

本文应用具有色散的连续介质流体力学理论，研究双势垒量子阱中的纵向光学声子模。研究，当势垒层宽度大于量子阱宽度时，光学声子模是禁闭在量子阱中的，当势垒层宽度较小时（一般约为或小于量子阱宽度的十分之一），双势垒量子阱中可存在更多支纵向光学声子模，获得了这些波导光学声子模和界面光学声子模和色散关系方程，并用数值方法计算了它们的色散关系。     

超晶格

人工超晶格的概念是1970年美国IBM的科学家Leo Esaki和Ray Tsu根据量子理论首先提出的。超晶格是一代新型的微电子学材料,具有广泛的应用前景。本文阐述了两种基本的半导体超晶格(组份超晶格和掺杂超晶格)的制备、能带结构以及可调制的特性,并对近年来作者应用离子束分析技术于     

GRINSCH—SQW激光器波导特性的数值分析

分析了具有缓变折射率分别限制单量子阱的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂直于激光器结平面方向上的光强近场分布，进而求得有源层的光限制因子Г及各种波导结构参数对Г的影响。     

不同晶面应变纤锌矿GaN/AlN量子阱的价带结构理论研究

为深刻理解应变异质结量子阱结构的物理性质,帮助改进基于宽禁带氮化物半导体器件的设计,本文基于六带应力相关的k·p哈密顿量与自洽薛定谔-泊松方程建立了在场约束效应下极性(0001)、半极性(10■2)及非极性(10■0)晶面的纤锌矿GaN/AlN量子阱价带子带模型,并给出了不同晶面GaN/AlN量子阱在双轴和单轴应力作用下的子带能量色散关系。根据应力对量子阱价带结构的影响,对应力与空穴有效质量之间的微观物理关系进行了综合研究。结果表明,价带结构对晶体取向的改变有很大的依赖性。双轴应力对有效质量的改善效果不大,然而单轴压缩应力通过降低垂直沟道方向的能量使低有效质量区域获得更多的空穴,从而有效降低空穴有效质量,且在不同晶面的结构中都减少了约90%。     

LaAlO3电子结构及顺电特性的第一原理计算

采用基于密度泛函理论的第一原理计算方法,研究了立方相的LaAlO3(LAO)晶体的电子结构及其在外延应力作用下的相变势能面特征和波恩有效电荷值.计算结果表明,在LAO中La-d、Al-s、p及O-p轨道电子占主要作用,Al-O的轨道杂化作用相对比较大.在平面晶格应力的作用下,考量Al-O八面体畸变对相变势能面的贡献,发现其势阱曲线表现出与传统铁电材料经典的双阱曲线不同的单阱曲线,进一步的波恩有效电荷的计算表明,其原因可能是Al-O的轨道杂化作用(电荷转移)没有达到铁电畸变所需的能量,而使LAO成为顺电体.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe的量子Stark效应的变分法研究

用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下，Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律，并根据所得的Ee、Eh和Eb数据，计算出激子吸收峰的Stark移动。计算结果显示，随着外电场强度和 量子阱宽度的增大，量子Stark效应变得更为显著，本文还把计算所得的Stark移动与从激子吸收光谱曲线中得到的实验数据进行了比较，当阱宽等于9nm，电场为100kV/cm时，两者符合得较好。     

准一维有机量子阱特征

有机聚合物Oligomers（低聚体）可惜人聚形成所谓的共聚物，具有准一维量子阱或超晶格结构特征。本文针对聚乙炔（polyacetylene）（PA）和聚对苯撑（poly(p-phenylene）（PPP）组成的三嵌段（triblcok）共聚物xPA／nPPP/γPA的量子阱性质进行了研究，发现均物组分及其界面耦合对共聚物的电子成具有调制作用。     

（ZnSe）n／（ZnS）m反应层超晶格的亚带结构

用Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ－ｋｏｈｎ有效质量理论研究了「００１」「方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构，并与前人的计算结果进行了比较。     

（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

用Ｌｕｔｔｉｎｇ┐Ｋｏｈｎ有效质量理论研究了［０，０，１］方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的光吸收系数，并与前人实验结果比较和讨论．结果表明：光吸收系数与阱宽和垒宽有关     

（ZnSe）_n／（ZnS）_m应变层超晶格的亚带结构

用Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ－ｋｏｈｎ有效质量理论研究了［００１］方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构，并与前人的计算结果进行了比较．     

Ni/BiFeO_3超晶格磁电效应的第一性原理计算

为了探究铁磁/铁电超晶格材料的磁电耦合效应,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Ni/BiFeO_3超晶格的电子结构和磁矩.结果表明,Ni/BiFeO_3超晶格界面处Ni-3d轨道与O-2p轨道发生了强烈的电子杂化作用,Ni和BiFeO_3界面主要通过以O原子为中间媒介的电荷转移进行相互影响.在外加电场作用下,由于铁电极化的存在,超晶格结构上下两个界面存在磁化差异,原子成键和电荷转移重新分布能够引起较强的磁电耦合效应. Ni/BiFeO_3超晶格界面磁电耦合系数约为3. 509×10-~(14)T·cm~2/V.