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以CdO、CdC_3、CdCl_2作Cd的前驱物,分别与Na_2S·9H_2O和Se粉在室温条件下,采用固相研磨法制备CdS_(1-x)Se_x。XRD结果表明,合成产物与Cd的前驱物有关,即以CdO作Cd的前驱物时,得到的产物是CdS_(0.54)Se_(0.46);而以CdCO_3或CdCl_2作Cd的前驱物时,得到的产物是CdS_(0.75)Se_(0.25)。吸收谱(U-3310 Spectrophotometer)和荧光谱(AFS AFS-230E)的测试结果进一步证实了CdS_(0.54)Se_(0.46)和CdS_(0.75)Se_(0.25)产物,最后对室温固相反应合成CdS_(1-x)Se_x的机理进行了探讨。 相似文献
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硫化镉是一种非常重要的光电半导体材料,它的性能极大地依赖于其合成方法。采用不同的合成方法,所得CdS纳米材料的粒径、粒度均匀性、纯度及相结构也各不相同,进而对其属性产生较大影响。对CdS纳米材料的合成方法进行了综述,主要包括固相法、液相法和气相法。 相似文献
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分别采用低温固相化学法和共沉淀法合成掺杂ZnO粉体,并用这两种粉体在不同温度下烧结制备了ZnO压敏电阻。借助XRD、SEM、TEM、BET等检测手段对粉体产物的性能进行了表征,采用XRD、SEM等手段对ZnO压敏陶瓷的物相、结构进行了分析,并对两种方法制备的粉体及压敏电阻的性能进行了比较研究。结果表明:采用低温固相化学法合成的粉体平均粒径为23.95 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 080℃,其电位梯度为791.64 V/mm,非线性系数是24.36;采用共沉淀法合成的粉体平均粒径为188 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 130℃,其电位梯度为330.99 V/mm、非线性系数是19.70,低温固相化学法制备的ZnO压敏电阻性能优于共沉淀法制备的ZnO压敏电阻。 相似文献
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以牛血清白蛋白为稳定剂,采用CdSO4.8H2O、硫脲和NaOH之间的室温固相反应制备了高分散立方晶相粒径为4~5 nm的CdS纳米颗粒。用X射线洐射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)对CdS纳米颗粒的相组成,形貌和粒径等进行了表征。以甲基橙降解脱色为探针反应,研究了自然光照条件下,CdS纳米颗粒的光催化活性,即光催化剂用量,试液的pH值,光照及时间等与甲基橙脱色率的关系。在最佳光催化剂用量为0.2 g,最佳pH值为1时,太阳光照射1 min,甲基橙降解率可达99%以上,表明由室温固相反应制备的CdS纳米颗粒,具有优异的光催化活性。 相似文献
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本文通过三种方法合成硫代亚磷酸锰,即高温固相法、室温固相法、溶液法,分析并比较不同方法得到的硫代亚磷酸锰的性能。通过XRD测试证明,室温固相法合成硫代亚磷酸锰时反应是按照理论预计的反应方程式进行.而且得到的硫代亚磷酸锰的结构与高温固相法合成的硫代亚磷酸锰基本相同。室温固相法合成硫代亚磷酸锰的优点是反应时间短、能耗低、可以批量制备。 相似文献
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CdS/CdSe核壳结构半导体纳米晶结构及光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用共沉淀法在水相中将CdS外延生长于CdSe半导体纳米晶(CdSe NCs)表面,制备了结晶形态较好的CdSc/CdS核壳结构半导体纳米晶(CdSe/CdS C/S NCs),并改善了CdSe NCs的荧光性能.通过X射线衍射,透射电镜和选区电子衍射分析证明了核壳结构的形成,并通过紫外可见光吸收光谱和荧光光谱分析证明了核壳结构对CdSe NCs荧光性能的改善.此外,实验结果表明:控制CdSe核合成中Cd前驱体溶液pH值能获得粒径分布较窄的CdSe/CdS C/S NCs;采用不同浓度比的Cd和Se前驱体溶液可以有效调节核壳结构半导体纳米晶的粒径;选择合适的CdSe与CdS摩尔比及壳层中Cd与S摩尔比能改善CdSe/CdS C/S NCs的荧光性能. 相似文献
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《应用化工》2022,(5)
以二甲基咪唑为有机配体,ZnO为Zn源,采用固相法制备了系列沸石咪唑酯骨架结构材料ZIF-8(S),并用XRD、FTIR、N_2吸附、SEM等手段进行了表征。主要考察了固相法制备ZIF-8的合成条件,并与常规溶剂法合成的ZIF-8(MeOH)进行了比较研究。结果表明,采用固相法可成功制备出高结晶度纯相的ZIF-8,且所制备的ZIF-8(S)与在甲醇体系中合成的ZIF-8(MeOH)相比,结晶度高,晶体粒度大,但由于其较小的外表面积,在丙二腈与苯甲醛的Knoevenagel缩合反应中的催化活性相对较低,对简单高效、环境友好的固相合成法制备ZIF-8的性能与应用研究具有重要意义。 相似文献