多腔薄膜梳状滤波器的偏振特性研究

用特征矩阵法研究了多腔薄膜梳状滤波器在C波段的偏振特性.结果表明,当入射角较小时,s偏振光和p偏振光有相同或相近的透射特性;当入射角较大时,可以使透射光成为完全的p偏振光,而且在入射角发生很小的变化时,可以使p偏振光通带的中心波长的透射率发生很大的变化;当入射角很大后,s偏振光的透射峰比p偏振光的透射峰的变化快很多.研究表明,多腔薄膜梳状滤波器可以在与偏振和微小的角度变化有关的领域中发挥重要作用.     

多腔薄膜梳状滤波器的透射峰随入射角的变化规律

利用特征矩阵法研究了多腔薄膜梳状滤波器在C波段的透射峰在入射角微小变化中的变化规律,结果表明：在入射角缓慢增大的过程中,各透射峰的位置逐渐向短波方向移动,各透射峰的形状周期性地变化;随着入射角的增大,透射峰个数减少,透射峰变宽,透射峰的位置和形状变化加快,以至于极小的入射角变化就会使透射峰的位置和形状产生很大的变化。     

相位分离梳状滤波器

本文讨论了64μs梳状滤波器对正交N、L信号的分离作用。滤波器的锯齿状相位特性将频谱重叠的N、L信号分离开,这是一种相位分离梳状滤波器。     

梳状滤波器与彩色电视技术

介绍了梳状滤波器在几种类型电视中的应用情况。     

新型PAL／NTSC梳状滤波器

本文介绍莫托罗拉公司开发的新型ＮＴＳＣ／ＰＡＬ梳状滤波器，它使用数字处理技术将亮色分离产生的爬行和串色问题减到最小。     

梳状滤波器中的百叶窗效应

本文论述了梳状滤波器工作特性不良时百叶窗效应的形成原因，分析了梳状滤波器中延迟信号和直通信号幅度不等，相位差不是１８０°以及其准副载波相位关系不精确时对形成百叶窗效应所产生的影响，得出了减免百叶窗效应所采取相应措施的结论。     

基于梳状滤波器的FIR数字滤波器设计

根据子滤波器抽头级联法,采用梳状滤波器作为子滤波器,设计了一种新型FIR数字滤波器.通过C语言编程的方法来选择子滤波器阶数,使原型滤波器的过渡带宽度最宽.采用经过变换的通带和阻带边界频率来进行原型滤波器的设计,使得原型滤波器的阶数比传统实现方法低很多.采用该方法实现的FIR滤波器乘法器个数比传统方法少很多,硬件实现更为简单,大幅减小了硬件开销.该方法已成功用于回声消除和噪声抑制芯片,FIR滤波器的面积约为传统方法的50%,用180 nm 3.3 V/1.8 V 6层金属混合信号CMOS工艺流片,结果表明,对于过渡带较窄的滤波器,该方法非常有效.     

全光波分复用梳状滤波器的研究

利用耦合模理论分析了全光纤Mach-Zehnder干涉结构的梳状滤波器的输出功率谱和滤波特性。用熔融拉锥设备和特定的制作工艺,研制成中心波长间隔为0.8nm的全光纤梳状滤波器.它具有附加损耗小,偏振不灵敏,工艺重复性好等优点.     

薄膜应力测量方法研究

总结了薄膜应力的一些测量方法。将经常使用的方法归纳为激光宏观变形分析法和X射线分析法。介绍了利用测量基片弯曲曲率的激光宏观变形分析法(包括激光干涉法和激光束偏转法)和品格变形的X射线衍射法等测量薄膜应力的理论依据及其测量原理,计算了各种测量方法的测量精度,X射线分析法的精度最高,其次是激光干涉法,而激光束偏转法的精度最低,分析了激光分析法和X射线分析法的优缺点。     

薄膜太阳电池研究综述

薄膜太阳电池是最具发展潜力的新型能源之一,对缓解能源危机、保护人类生存环境提供了一种新的切实可行的方法。综述了目前国际上研究较多的几种薄膜太阳电池的最新进展,包括硅基薄膜(非晶硅、多晶硅)、多元化合物类(碲化镉、铜铟硒、铜铟镓硒、铜锌锡硫等)、有机薄膜太阳电池以及染料敏化太阳电池等。分析并总结了其在成本、转换效率等方面的优劣。为更有效地降低成本及提高电池效率,新技术、新结构的不断创新应该是未来薄膜太阳电池的发展趋势。     

p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究

以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性.实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV·cm2),其界面特性达到了制备高质量p-si TFT栅绝缘层的性能要求.     

复合绝缘层交流薄膜电致发光显示屏的综合设计

从交流薄膜电致发光显示屏的稳定性与可靠性角度出发，兼顾其发光亮以及驱动电路对屏的要求，对ＡＣＴＦＥＬ矩阵显示屏的结构进行了综合优化设计。从理论上分析了复合绝缘层ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５击穿方式的转变条件并计算了其合理的厚度比例，ＺｎＳ：Ｍｎ发光层的厚度和衬底ＩＴＯ方块电阻的取值范围。     

脉冲激光淀积MgF2薄膜的制备及性质研究

本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜，并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析，X射线光电子能谱分析显示MgF2样品具有很好的化学组分配比，F／Mg原子比在1．9～2．1之间，接近于体材料；在可见光波段其光学透过率为60％～80％，在红外波段更是达到了90％以上，由KK变换计算MgF2的折射率大约为1．39，也接近于体材料的折射率1.38。     

有机功能薄膜的光学存储特性

研究了间硝基苯叉丙二腈 /邻苯二胺 (m- NBMN/ DAB)有机复合功能薄膜的光学存储特性。利用自制的光学信息写入系统研究了 m- NBMN/ DAB有机薄膜的静态存储特性 ,发现在 780 nm激光脉冲的作用下 m- NBMN/ DAB有机薄膜具有光学双稳态特性 ,并且在大气中加热薄膜可实现信息擦除。利用高分辨率扫描电子显微镜 (HRSEM)和红外吸收光谱 (IR)研究了 m- NBMN/ DAB复合薄膜的结构和光谱特性 ,对其光学存储机制进行了初步分析     

薄膜晶体管研究进展

薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。     

薄膜电致发光技术

薄膜电致发光(thinfilmelectroluminescece,TFEL)具有主动发光、全固体化、耐冲击、视角大、反应快、工作温度范围宽以及图像清晰度高等诸多优点,曾经被认为是一种很有前景的平板显示技术。但是,由于这种显示技术存在的固有问题和其它与之的竞争显示技术的快速发展的影响,使得TFEL虽经过30多年的发展,但一直不能实现大规模产业化。本文对TFEL技术和产业化做一个介绍。     

AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究

利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm~2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力。带AlN薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm~2。