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飞兆半导体推出MLP封装的UltraFET系列器件飞兆半导体公司成功扩展其功率开关器件解决方案,推出采用超紧凑型(3mmx3mm)模塑无脚封装(MLP)的100V、200V和220V N沟道UltraFET器件,最适合用于工作站、电信和网络设备中的隔离式DC/DC转换器的初级端开关,能满足提高系统效率和节省线路板空间等必须的设计目标。飞兆半导体的200V器件FDMC2610具有业界最低的米勒电荷(3.6nC对比4nC)和最低的导通阻抗(200mΩ对比240mΩ)。这些特性使该器件的品质系数(FOM)降低了27%,并且在DC/DC转换器应用中实现出色的热性能和开关性能。该款200V器件…     

飞兆推出最小尺寸MOSFET器件，持续电流突破1A

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件——FDC6020C，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。该器件将两个NOSFET集成在一个超小型的SuperSOT-6FLMP封装(倒装导模封装)中。     

飞兆推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件

飞兆半导体公司推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6FLMP封装(倒装导模封装)中，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(VGS=2．5V)可简化采用3．3V总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。     

飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性，     

凌特推出电源排序器LTC2924

飞兆半导体(Fairchild)推出小尺寸且互补对称MOSFET解决方案FDC6020C，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC／DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6 FLMP封装(倒装导模封装)中。     

飞兆半导体推出采用SC-75封装的MicroFETTM功率开关

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出MicroFET功率开关产品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z,适用于充电、异步DC/DC和负载开关等低功耗(＜30V)应用.这些功率开关可在低至1.5V的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75%的RDS(ON)和降低66%的热阻.FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飞兆半导体先进的PowerTrench技术,封装为2.0mm × 1.6mm SC-75,较3mm×3mm SSOT-6封装及SC-70封装体积分别减小65%和20%.     

FDPC8011S：N沟道模块

飞兆半导体公刊推出一款25V、3．3mm×3．3mm低侧高双功率芯片非对称N沟道模块FDPC8011S,帮助设计人员应对这一系统挑战。专为更高的开关频率的应用而开发,在一个采用全Clip封姨内集成1．4mΩSyncFETTM技术和一个5．4mΩ控制MOSFET、低质最因子的N沟道MOSFET,     

80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET解决方案，为微型“点”功率应用和负载点(POL)DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。FDC6020C将两个MOSFET集成于一个超小型的SuperSOT-6 FLMP封装中．具有良好的热性能和高效率特性．适用于机顶盒、数玛相机和硬盘驱动器等产品；     

FODM8801：光耦合器

飞兆半导体公司推出FODM8801光耦合器,该器件是OptoHiT系列高温光电晶体管光耦合器的成员。这些器件使用飞兆半导体专有的OPTOPLANAR共面封装技术,可在高工作温度下实现高抗噪能力和可靠隔离。     

飞兆半导体推出第二代XSTM DrMOS应用解决方案

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）最近推出第二代XSTM DrMOS系列FDMF6708N,这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案,用于大电流、高频率同步降压DC—DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管,采用热性能增强型6x6mm。PQFNIntelDrMOSv4．0标准封装。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

飞兆半导体推出全新高电压SuperFET MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种高电压MOSFET器件,采用飞兆半导体新型SuperFET技术,能大幅降低开关电源(SMPS)和功率因子校正(PFC)应用的系统功率损耗,提高功效和可靠性。飞兆半导体的专有SuperFET技术利用多次外延层来构成补偿区域,以改善导通阻抗性能。全新的FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET有低FOM值(FOM=RDS(on)x Qgd),与拥有相同RDS(on)水平的产品相比,FCP11N60具有最佳的FOM。     

高可靠性的半导体BGA封装

引言BGA (球栅阵列) 封装MOSFET器件的发展是一项技术突破。采用此技术生产的MOSFET器件热传导性能优异,电流通过能力大、封装尺寸小、栅极电荷少,且导通电阻RDS(on)值低。飞兆半导体公司的PowerTrench工艺与先进的BGA技术结合,可生产出封装尺寸大大减小的器件,而小封装尺寸正是设计人员为了满足当今更小型设备的功耗需求,所关注的主要问题。本文将讨论电路板布局、装配和重新焊接中所需考虑的特殊设计因素。飞兆公司的BGA构造飞兆公司BGA封装由一块硅裸片构成,利用高温焊料连接在铜引线框架上,如图1所示。飞兆BGA上的焊锡球是…     

在感应加热应用中提升效率和系统可靠性

使用感应加热技术可以实现节能并提高系统的可靠性。飞兆半导体公司(Fairchild)最近推出了全新1200V Field Stop Trench(场截止沟道)IGBT系列器件——FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效     

Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ

正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款8 V N沟道Trench-FET~功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2 mm×2 mm的热增强型PowerPAK~(?)SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5 V、2.5 V、1.8 V、1.5 V和1.2 V下具有9.4 mΩ2、10·5mΩ、12.5 mΩ、18 mΩ和36 mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2 mm×2 mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。     

飞兆半导体推出1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

1200V IGBT能够降低微波炉、电磁电饭煲和其它电磁炉的系统工作温度飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高     

FDMF6708N：MOSFET方案

飞兆半导体公司推出第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，用于大电流、高频率同步降压DC／DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管。     

飞兆和英飞凌进一步扩展功率MOSFET兼容协议

飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrenchR非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOSFET产品系列的组成部分,为电源设计人员提供了适用于关键任务的高效信息处理设计的全面解决方案。     

光电器件

高温光耦合器系列FODM8801光耦合器是OptoHiT系列高温光电晶体管光耦合器的成员。这些器件使用飞兆半导体专有的OPTOPLANAR共面封装(coplanar packaging)技术,可在高工作温度下实现高抗噪能力和可靠隔离。     

飞兆半导体采用1OOVBOOSTPAK解决方案降低LED应用系统成本

飞兆半导体通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视／显示器背光、LED照明和DC—DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。