单片微型计算机键盘接口设计

介绍了单片机系统中矩阵式键盘的特点和工作原理，以及大规模集成电路8255A。给出了8255A和MCS-51单片机的接口电路，以及实际应用中的软件设计框图等。     

4位单片微型计算机μPD750008子系列

一、引言 NEC公司已经公布了75XL系列的第一个系列——μPD750008子系列(见照片1),它是世界上第一个4位单片微型计算机75X系列的替代者。 作为在消费品和工业领域实现高性能和低价格应用装置的一种解决办法,单片微型计算机已经获得占压倒优势的支持。 现有的NEC 75X系列由多达60种模型组成,并有很宽的应用范围。     

突破传统的摄像芯片技术——CMOS单片摄像机

突破传统的摄像芯片技术———ＣＭＯＳ单片摄像机深康达电子技术有限公司（Ｔｅｌ：０７５５３２２１４８９）沈洁传统的单片摄像机是采用ＣＣＤ（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌｅｄＤｃｖｉｃｅｅ电荷耦合器件）加上信号放大处理电路才能输出视频信号，故所采用的芯片数较多...     

CMOS单片集成恒带宽放大模块

基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．     

射频电路的单片集成¹

射频电路是无线通讯中的一个关键部分,其性能的好坏将直接影响到整个系统的性能,本文介绍了用CMOS工艺实现射频电路单片集成的可能性,难点,目前的情况和前景以及最终实现射频IP（Intellectual Property)的意义。并提出了一条适合国内发展射频电路集成的途径。     

一种适合于ASIC应用的新的工艺技术—CMOS逻辑VLSIE^2PROM的单片集成

我们开发了一种新的工艺技术，实现了在ＣＭＯＳ ＶＬＳＩ制造中嵌入Ｅ＾２ＰＲＯＭ的制造技术。在此新工艺中，制造的是单层多晶硅的Ｅ＾２ＰＲＯＭ。与传统的双层多晶硅Ｅ＾２ＰＲＯＭ的工艺相比，减少了２５％的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层，可以缩小在ＣＭＯＳＶＬＳＩ中嵌入的Ｅ＾２ＰＲＯＭ的器件尺寸。器件工作电压范围宽为１．５－６Ｖ，静态电流低于１００ｎＡ。     

单片集成CMOS二阶OTA-C连续时间模拟滤波器

以本文提出的电流提升运算跨导放大器(以下简称OTA)作有源器件,采用3微米P阱CMOS工艺制成了全集成二阶OTA-C连续时间模拟滤波器.测试结果表明:该滤波器的中心频率(带通)可由片外电信号调节,其可谓范围从18千赫至160千赫;滤波器具有恒定Q值,且其值决定于两个MOS电容值之比;当输入1伏峰值的正弦信号时,输出信号的总谐波失真(THD)不大于0.36％;选用合适的信号输入端,该滤波器还可以实现低通、带通、高通和带阻四种传递函数.     

光电子与硅芯片能单片集成吗？

ＧａＡｓ光电子器件与微电子器件的集成呈现出了一些兼容性问题,这些问题会严重影响硅ＣＭＯＳ的性能。     

单片微型计算机在电子工业专用设备控制中的应用

本文通过对单片微型计算机性能及特点的分析,并通过几个已被用于专用设备控制的实例,阐述了MCS—48系列单片机在电子工业专用设备控制应用的可行性,而且对单片机的软件抗干扰措施进行了简单讨论。     

一种基于标准CMOS工艺的新型单片集成紫外图像传感器

我们提出了一种基于标准CMOS工艺的浮栅紫外图像传感器。传感器单元是由一个非常紧凑的紫外线灵敏器件构成。整个紫外图像传感器有一CMOS像素单元阵列、高压开关、读出电路和数字控制等部分组成。在一0.18μm标准工艺上实现了1个1616的图像传感器芯片。我们对传感器单元和阵列进行了测试,测试结果表明传感器的灵敏度为0.072 V/(mJ/cm2),并且可以获得紫外图像。此紫外图像传感器适合于大规模集成的生物医药和太空探测等领域。     

单片集成CMOS电阻真空传感器

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～105Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.     

单片集成三轴加速度传感器

基于硅压阻效应原理,单片集成三轴加速度传感器通过双惯性质量块和六梁结构组成敏感结构,其中四个L型梁对称布置用来测量x和y轴加速度;中间的对称双梁测量z轴加速度。通过工艺兼容技术,在同一芯片上制作出MEMS敏感结构和CMOS信号处理电路。利用ANSYS软件对所设计的结构进行了应力模拟分析,并对产品的加工工艺进行了描述。通过对研制出的单片集成三轴加速度传感器进行性能测试,验证了模拟分析的合理性,最终产品满足设计要求。所研制的产品具有体积小、可靠性高、易于批量生产等优点,可广泛应用于导航系统、汽车工业以及消费电子产品等领域。     

微波单片集成电路的一种中心设计方法

本文系统地提出了一种微波单片集成电路的中心设计方法,有效地提高了单片电路的成品率,改善了电路性能;同时,占机时少,收敛速度快。试用结果表明,该方法是有效和可靠的,具有应用前景。     

手提电话用半导体走向单片化、模块化

手提电话终端己在小型轻便、高性能、复合化及低耗电方面有所发展,其中尤以小型轻便更为明显,最近仅为57克重的终端已投放市场. 随着移动通信服务的完善及Internet的普及,手提电话终端将不仅具有电话机的功能,还具收发数据和电子邮件的功能,也可以作为移动终端使用.并且还具有将接收的声音设定为喜欢的声音及音乐,受到高中生的喜爱.     

30GHz单片接收机

已经研制成功30GHz接收机用的几种单片集成电路.低噪声放大器芯片在14dB增益时噪声系数为7.dB,中频放大器在30dB控制范围内,增益为13dB.混频器和移相器变频损耗和插入损耗分别为10.5dB和1.6dB.     

单片集成CMOS电阻真空传感器

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～10^5Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.