香港电子业——贸易拉动，ODM跟进

电子业是香港最大的出口产业，占香港2004年总出口的45％，其中，零组件的出口占香港电子产业出口的1／3，主要为电脑零件、大量的集成电路以及微控制器等元器件。2005年1月-7月，香港电子产品的出口量与同期相比增长了17％。其主要出口产品分为三大类：音频视频、IT设备及IC，在2005年的增长分别为10％、35％和11％。与同期相比，对美国的出口量增长了10％，对欧洲的出口量增长了23％，而对于中国内陆的出口则增长了20％。     

产业政策研究领域深度观察

1 2008年全球通信设备产业及政策特点 1.1新兴市场成为2008年全球通信设备产业增长引擎 2008年,新兴市场通信设备需求的高速增长引人注目。根据Gartner公司数据,不含终端全球电信设备市场达到销售收入995．2亿美元,同比增长5．1％。其中,收入占43％的拉美、中东非洲、亚太地区（不含日本）等新兴地区的增长快速,2008年增速达到8．7％,成为带动增长的重要力量。收入占57％的北美、西欧、中东欧以及日本等传统主要区域市场,2008年增速仅为2．5％。     

亚信2007年第四季度及年度财报

2月15日,亚信公司对外宣布了截止2007年12月31日的第四季度及年度财报。财报显示,亚信2007年第四季度总收入达4080万美元,同比增长27％,环比增长26％。毛利率为48％,去年同期为42％,上一季度为50％。毛利润占净收入的56％,去年同期为54％,上一季度为55％。毛利润占净收入的百分比在过去几个季度保持稳定。亚信第四季度净收入达3510万美元,超过预期,同比增长38％,环比增长19％。亚信2007年第四季度运营利润为500万美元,同比增长253％,环比增长60％。这一增长主要是由于收入和运营利润的增长。第四季度运营利润占净收入14％,去年同期为6％,上一季度为11％。     

Q2全球TV芯片市场表现亮眼

DisplaySearch近期关于第二季全球电视芯片出货报告指出,第二季全球电视芯片出货量达2,980万颗,比上一季增长7．8％,与去年同期相比增长了21％。主要的增长因素来自电视整机厂商对于季节性市场变化需求,以及北美与东欧地区平面电视销售的亮眼成绩。     

中国劳动生产率大幅下滑

自全球金融危机以来,中国的经济增长愈加依赖投资增长。2009～2013年资本形成总额在GDP中的比重平均为47．8％,明显高于2004～2008年间的均值42．3％。根据我们的测算,2000～2008年中国的资本存量与GDP的比率保持相对稳定（230％左右）,2008年后大幅上升,到2013年已达到275％。市场普遍认为如此高的投资增速是无法持续的。雪上加霜的是,投资高速增长的同时伴随着投资回报率的大幅下滑。在本文中,我们从三个指标说明中国劳动生产率的下滑,以及可能的解决方案。     

世界EDA业温和增长

据报道，电子设计自动化（ＥＤＡ）产业自１９９４年起连年增长，１９９９年比上年增长３％，达３４亿美元，预计２０００年这一增长趋势也不会改变。按地区增长分析，１９９９年北美增长了２．８％，西欧７．８％，日本５．６％，其余地区１５．５％。新的工具将推动产业的增长。工程人员不足、采用０．１８微米工艺后芯片复杂度提高以及互联网火爆、上市时间缩短等都将对设计人员大规模设计生产率的提高产生很大影响。新产品的推出将缓解上述问题，并牵引ＥＤＡ产业继续增长。１９９９年第４季度的销售额超过了９亿美元，是历史上的第二新…     

中兴通讯连续两个季度净利为正增长

近日,中兴通讯股份有限公司发布截止2013年6月30日半年报业绩快报。 2013年上半年,中兴通讯实现营业收入为人民币377．08亿元,较上年同期下降11．57％,主要是中国市场的GSM、UMTS产品以及国内外GSM手机、数据卡收入下降所致;利润总额为人民币7．04亿元,较上年同期增长7．33％;归属于本公司股东的净利润为人民币3．02亿元,较上年同期增长23．47％。这是在2012年亏损后,中兴通讯连续两个季度实现净利润为正,并保持同比增长。     

2006 Q2中国手机市场单季销量再创新高

赛迪顾问研究数据显示．2006年第二季度中国市场共销售手机2893．5万部．同比增长32．2％．环比增长15．8％销售额同比增长25．5％．环比增长10．5％．达到406．9亿．单季销量、销售额双双再创历史新高。从国内外厂商竞争格局来看．二季度国产手机份额继续下滑。赛迪顾问分析认为．除了国外厂商纷纷加大低端市场拓展力度以及对三、四级渠道的渗透以外，贴牌机、杂牌机的存在也是一个原因。     

内外要闻

2002年欧美公司加大信息技术投入美林公司近日公布的预测报告指出，2002年美欧公司信息技术预算将增长3％，2003年则可能增长8％至9％。美林公司共调查了美国和欧洲的110位CIO，其中75位来自美国，其余来自欧洲。美林公司报告的结论是：欧美公司的信息技术预算将在2002年有“温和的增长”。美国的CIO预测预算将增长2％，而欧洲的CIO预测增长4％。信息技术预算将在以下领域有较大增长：安全、ERP软件、网络开发以及信息存储等。点评：互联时代，企业信息化工程刻不容缓。它远非企业“触网”般简单，而是一个包括安全、供应链、存储等在…     

在高速增长的中国硅片市场中寻找本土企业的发展机会

2007年,中国太阳能电池产业快速增长以及中国集成电路产业在芯片生产线建设方面仍保持旺盛的势头。受下游应用市场快速发展的带动,2007年中国硅片市场需求额达到2121亿元,比2006年增长了107．7％。这其中太阳能领域对于硅片需求额年增长率达到154．4％,占到整体市场的74．6％是中国硅材料市场上的消耗主体。相对于太阳能领域对硅片需求的迅猛增长态势,半导体领域对于硅片的需求额增长率为348％。     

Switching in m.i.s.m. and m.i.s.i.m. structures

Switching has been observed in metal?thin-insulator?n-p+ structures, where the thin insulator is SiO2, or polycrystalline silicon. In this letter two alternative structures are discussed in which the n-p+ junction is replaced by a Schottky barrier. In the second device proposed two thin-insulator structures back-to-back are shown to exhibit bidirectional switching.     

GaAs m.a.o.s.f.e.t. memory transistor

A new non-volatile memory device is reported. This device is a GaAs m.o.s.f.e.t. with charge storage in the gate in which is a double oxide structure of aluminium oxide and GaAs native oxide, both oxides are grown anodically. The fabrication of the device is described and the results of initial measurements on the charging and charge retention properties are presented.     

U.H.F. low-noise GaAs m.e.s.f.e.t. amplifier for colour t.v. broadcasting translator

Low-noise amplifiers for u.h.f. colour t.v. broadcasting translator use have been successfully developed by using 1 ?m gate GaAs m.e.s.f.e.t.s. The obtained performances revealed that a GaAs m.e.s.f.e.t. has low-noise and low intermodulation distortion characteristics, even in the 500?800 MHz frequency range, compared with a Si bipolar transistor.     

Current-kink noise of n-channel enhancement e.s.f.i.-m.o.s. s.o.s. transistors

An experimental study of the low-frequency-noise properties of n-channel epitaxial silicon films on insulator m.o.s. s.o.s. transistors has been performed. The measurements show an excessive noise contribution at drain voltages corresponding to the current-kink effect for temperatures ranging from 4.2 to 300 K.     

Noise behaviour of the m.o.s.f.e.t. at v.h.f. and u.h.f.

The optimum noise figures of an m.o.s.f.e.t. at u.h.f. and at pinch-off are calculated using a simplified equivalent circuit. The noise parameters are also determined experimentally. Theory and experiment are shown to be in good agreement. Noise parameters of the m.o.s.f.e.t. for the frequency range 0.1?0.8 GHz are given.     

Wide-range monolithic bipolar?j.f.e.t. c.c.o.

A new monolithic current-controlled oscillator (c.c.o.) has been realised in a j.f.e.t.-bipolar technology. Its main advantages are a highly-linear seven decade frequency range and easy temperature compensation for frequency and output voltage.     

V.H.F. and u.h.f. Gunn-effect oscillators

In this letter, the use of the Gunn device as a broadband negative resistance, somewhat analogous to a tunnel diode, is explored. v.h.f. and u.h.f. oscillators are described; the frequency is determined by an external resonant circuit and is very nearly independent of the parameters of the Gunn-effect sample.     

Power m.o.s.f.e.t. linear h.f. amplifiers

N-channel silicon m.o.s. transistors for h.f. power applications have been fabricated which are optimised for linear amplification. These devices exhibit 2 W output power and 11 dB power gain at 630 MHz in class-A operation. The intercept point for third-order intermodulation distortion is 48dBm, which is considerably more than the same data obtainable with bipolar transistors.     

More active RC filters using the d.v.c.c.s./d.v.c.v.s.

Novel configurations using a differential-voltage-controlled current source, differential-voltage-controlled voltage source (d.v.c.c.s./d.v.c.v.s.) as the active building block are described. The configurations assume that the active building block is divided into two independent parts initially.     

New n-channel m.o.s.f.e.t.s

By using plasma c.v.d. and lift-off, an n-channel m.o.s.f.e.t. with effective channel length of 0.4 ?m has been fabricated. Its main fabrication processes and obtained electrical characteristics are described.