铝基复合材料基底镀厚膜TiN的附着力研究

利用直流磁过滤多弧离子镀技术在铝基复合材料基片上镀制大于25μm的TiN厚膜.对厚膜TiN的附着力及其与各种工艺条件的关系.采用扫描电镜对厚膜TiN的微观结构及划痕形貌进行了分析.研究结果表明:基片的清洗、基片的温度、孤电流、脉冲偏压和镀层界面组织结构等都影响厚膜TiN的附着力;弧电流为70A、脉冲偏压为100V、占空比为70%、温度为200℃时,厚膜TiN的临界载荷达到4.5kg/mm~2,远大于指标要求4kg/mm~2;镀层界面的融合有利于提高厚膜TiN的附着力.     

真空蒸镀热反射玻璃电清洗工艺研究

分析了蒸镀反射膜时电清洗玻璃的必要性,提出了在真空室体中设置栅极并加以负高压,采用氨气产生等离子场并用其轰击清洗玻璃表面的方法。实验确定了蒸镀热反射膜（ｎｉ／ｃｒ）时的最佳轰击清洗时间。     

不同基体真空蒸镀铝膜的附着力研究

采用电阻加热式真空蒸镀法在玻璃、H13钢、塑料和纯铜基体上镀制铝膜,并对其附着力进行了测试和分析.结果表明:铝膜对基体的附着力随蒸镀时间的延长而增加,二者基本上呈线性关系;在相同镀制工艺条件下,铝膜对玻璃、H13钢、纯铜和塑料基体的附着力依次增强;在50~350℃之间退火后,铝膜对纯铜基体的附着力高于退火前,且随退火温度的升高而增大.     

表面覆盖氮化硼膜的金刚石膜的场发射特性

利用热丝化学气相沉积（HFCVD）方法在Si衬底上生长了4μm厚的金刚石膜,然后利用射频磁控溅射方法在金刚石膜上沉积了100nm厚的六角氮化硼（h—BN）薄膜．在超高真空系统中测试了覆盖氮化硼（BN）薄膜前后金刚石膜的场发射特性,结果表明覆盖BN薄膜后的金刚石膜的场发射特性明显提高,开启电场由14V／μm升到8V／μm．F—N曲线表明,覆盖BN薄膜后的金刚石膜在强电场区域的场增强因子有所降低,这可能归因于场发射点随着电场的增强而改变．     

离子轰击对HDPE膜表面性能的影响

采用真空镀膜机中的轰击设备,在低真空度下对高密度聚乙烯（HDPE）膜进行离子轰击,通过原子力显微镜（AFM）、接触角测试仪及衰减全反射-傅里叶变换红外光谱仪（ATR-FTIR）对膜表面性能进行表征,采用胶带法对得到的真空蒸镀复合膜（Ag／HDPE）进行镀层与基材间粘接牢度的测试．结果表明,随着轰击时间的延长,HDPE膜的表面粗糙度、表面羰基指数和极性都随之增加;轰击预处理后的HDPE基膜与无机Ag镀层间的粘接牢度得到很大程度的提高．     

酞菁铜薄膜光电晶体管的制备与特性

无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(Cu Pc)/铝(Al)/酞菁铜(Cu Pc)/铜(Cu)的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的I-V特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3 V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系数为266.2.     

磁控溅射工艺对涤纶基布的耐磨性探究

通过使用金属铜和金属铝两种不同金属材料在涤纶基布表面沉积纳米铜膜、纳米铝膜,制备镀膜涤纶织物,并对纳米铜膜和纳米铝膜的耐磨性进行研究,探讨不同纳米金属薄膜与涤纶基布的结合性能影响以及溅射参数对薄膜结合性能的影响。结果表明:在相同条件下,纳米铜膜与涤纶基布的结合性能优于纳米铝膜,对同一种纳米金属薄膜而言,随着时间的增长以及功率的增长,涤纶薄膜织物的耐磨性提高。工作气压小于2Pa时,织物耐磨性随气压增长而提升,大于2Pa时,耐磨性反而降低。     

单层膜厚对钙锶铋钛钕薄膜结构及性能的影响

采用Sol—Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt／Ti/SiO2／Si基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕（C0.4S0.6NT）铁电薄膜。研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响。研究结果表明：适当的单层膜厚有利于薄膜在（200）方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能。单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24．155μC／cm^2、148．412kV／cm,具有较高的应用价值。     

玻璃基底上NiTi薄膜制备及特性

研究了真空蒸镀制备的玻璃基底上的ＮｉＴｉ薄膜的特性，并进行了成分分析、Ｘ射线衍射分析、电阻经时变化及电阻－温度特性测定。结果表明：真空蒸镀所得的ＮｉＴｉ膜中Ｔｉ的物质的量分数比蒸发源镀材降低约０．０７；基底温度低于３５０℃时，ＮｉＴｉ膜的电阻－温度曲线呈线性变化；采用镀后热处理，可使ＮｉＴｉ膜晶化，且出现Ｒ相变。同时，ＮｉＴｉ膜相变温度、相变量，电阻经时变化特性与基底温度及热处理工艺有关。     

Ti基体上形成微弧氧化膜组成和结构的研究

在甘油磷酸钙和醋酸钙电解液中采用直流电源对纯Ti进行了微弧氧化。采用微弧氧化方法所制备的氧化膜具有粗糙多孔的结构,且微孔直径随着电压的增加而增大。AES分析表明在基体与氧化膜界面发生了扩散,从基体钛到氧化膜的表面氧的浓度逐渐增大,钛的浓度逐渐减小。XPS分析表明氧化膜的组成随着所施加的微弧氧化电压而改变,微弧氧化电压为200V时TiO2、Ti2O3和TiO占Ti的原子百分比分别为72．61％、22．08％和5.31％;当微弧氧化电压为350V时氧化膜表面Ti元素只由TiO2、Ti2O3组成,且占Ti的原子百分比分别为85．48％、14．52％。     

铝合金基板上磁控溅射离子镀氮化钛膜层的研究

对自行研制的一台磁控溅射离子镀实验裴置的放电特性进行了测试,并用该装置在硬铝(LY16)基板上进行了沉积氮化钛膜层的工艺试验,系统地研究了各工艺参数对膜层性能的影响。试验结果表明:在较低温度(120～140℃)条件下,用磁控溅射离子镀工艺可以在铝合金基体上得到组织致密质量较好的膜层,其硬度值可以达到Hv2200kg/mm~2,且仍能保持基体时效强化的强度。     

Surface characteristics and structure of oxide films containing Ca and P on Ti substrate

The oxide films were obtained in an electrolyte of calcium glyeerphosphate (Ca-GP) and calcium acetate (CA) by mieroare oxidation (MAO). The oxide films displayed a porous and rough structure on the film surface, and the roughness tended to increase with inereasing voltage of mieroare oxidation. The oxide film exhibited a uniform coating and tends to be well boned to the substrate. The thiekness of oxide films depended on the final voltage at a eonstant concentration of eleetrolyte solution. Ca and P were also incorporated into the oxide film during the mieroarc oxidation process, It was found that the electrolyte of ealeium glyeerphosphate ( Ca-GP) and ealeium acetate (CA) was suitable for microarc oxidation to form oxide film eontaining Ca and P on Ti substrate. The eoneentration of Ca and P were 11.6 at% and 6. 4 at% , respectively, when microare oxidation was performed in the electrolyte of 0. 06 M Ca-GP and 0. 25 M CA at current density 50 A/m^2 and final voltage 350 V. The composition of the Ca, P and Ti changed during depth profiling. The crystalline phases were only anatase when final voltage was below 300 V and rutile was presented when voltage was up to 350V. The microstructure, phase structure and phase composition were investigated by scanning electron microscopy (SEM) , atomic foree microscope (AFM) , energy dispersive X-ray mieroanalyser (EDX) , and X-ray diffraction (XRD),     

Effect of Mg-film thickness on the formation of semiconductor Mg2Si films prepared by resistive thermal evaporation method

Mg fi lms of various thicknesses were deposited on Si(111) substrates at room temperature by resistive thermal evaporation method, and then the Mg/Si samples were annealed at 40 ℃ for 4 h. The effects of Mg fi lm thickness on the formation and structure of Mg2Si fi lms were investigated. The results showed that the crystallization quality of Mg2Si fi lms was strongly infl uenced by the thickness of Mg fi lm. The XRD peak intensity of Mg2Si(220) gradually increased initially and then decreased with increasing Mg fi lm thickness. The XRD peak intensity of Mg2Si(220) reached its maximum when the Mg fi lm of 380 nm was used. The thickness of the Mg2Si fi lm annealed at 400 ℃ for 4 h was approximately 3 times of the Mg fi lm.     

提拉法制备铟锡氧化物透明隔热薄膜的研究

将纳米铟锡氧化物（ITO）粉体分散到乙醇溶液中制得ITO乙醇浆料,再添加成膜剂,制备纳米1TO涂料,通过提拉法镀膜制得透明隔热ITO薄膜．研究了ITO膜的性能,分析了提拉法参数与薄膜力学性能、光学性能、微观结构和隔热效果的关系．研究表明：提拉镀ITO膜具有很好的透明隔热性能,对可见光的透过率大于85％,对近红外透过率低于35％,膜的耐有机溶剂性好,提拉次数对膜的厚度、红外透过率以及宏观隔热性能成正比关系,提拉温度对膜性能的影响较为复杂,提拉温度为35℃时,膜的厚度最厚,综合性能较好．     

脉冲电弧离子源镀膜均匀性研究

薄膜厚度的均匀性是影响沉积方法应用的一个重要因素，利用脉冲电弧离子镀技术在硅基片上沉积类金刚石薄膜，并用轮廓仪对薄膜的厚度进行测量，研究了不同参数对薄膜均匀性的影响。结果表明：离子源阴极和基片的距离、主回路工作电压以及沉积频率都不同程度地影响薄均匀性，文章还就不同类型离子源对薄膜均匀性的影响进行了探讨。     

电泳-电沉积法制备Ni—Fe2O3复合镀层及其氧化性能研究

先采用电泳沉积工艺在Ni基体上均匀沉积Fe2O3膜,然后采用电镀技术在Fe2O3膜中沉积金属Ni,得到含Fe2O3质量分数较高的Ni-Fe2O3复合镀层。分析了沉积电压对电泳沉积Fe2O3膜厚度的影响,研究了镀层的高温氧化性能,并对其氧化机理进行了探讨。使用傅里叶红外光谱、扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪对镀层的截面形貌、成分等进行了研究。结果表明：通过改变阴阳两极之间的电场强度或调整两极之间的距离,电泳沉积Fe2O3的厚度会发生很大的变化;经过一定温度热处理后,电泳沉积层中的有机物去除干净;使用电泳一电沉积法制备的Ni-Fe2O3镀层与基体之间的结合界面紧密、完整;复合沉积层在1000℃高温条件下氧化后可以得到镍铁尖晶石结构的物质。     

TiO2修饰层对ZnO薄膜结构及发光性质的影响

为了增强ZnO薄膜的发光性能,采用溶胶-凝胶法分别制备3层ZnO基和6层ZnO基底上覆不同层数TiO₂修饰层的透明薄膜,利用X射线衍射仪、紫外-可见光分光光谱仪和荧光光谱仪对薄膜样品的晶体结构、光致发光性能和可见光透过率进行研究。结果表明:所有混合镀膜样品,其结晶性均受到阻碍,所得样品呈现出明显的非晶状态;TiO₂修饰层层数对ZnO薄膜的紫外发光强度有很大的影响,空气退火时3层基的TiO₂修饰层最佳层数为1层,6层基的最佳层数为3层,而真空退火时修饰层的最佳层数均为2层;ZnO薄膜紫外发光强度最多可增强近10倍;所有样品可见光波段平均透过率均达到80%以上,修饰层和退火方式对薄膜透过率影响不大。     

脉冲多弧离子镀制备类金刚石薄膜的结构分析

利用脉冲多弧离子镀技术在硅基底上沉积类金刚石薄膜．喇曼光谱和Ｘ 射线衍射分析表明：类金刚石薄膜是无定形结构;利用扫描电镜发现：类金刚石薄膜表面不光滑,石墨颗粒的大小和密度随厚度增加而增加,但薄膜致密．     

介质钝化对铝薄膜温度分布的影响

本文采用有限差分法,数值研究了具有介质钝化层的铝薄膜上的瞬态温度分布,着重研究了介质膜种类及厚度对这一分布的影响。结果指出,采用高热导率的Si_3N_4(或Al_2O_3)介质膜钝化,可以大幅度地降低铝薄膜的峰值温度及温度梯度。这对提高铝膜的电徙动寿命及抗电流浪涌能力是非常有益的。     

离子轰击辅助电子束蒸发制备含有纳米石墨结构的非晶碳膜

采用离子轰击辅助电子束蒸发技术制备了含有纳米石墨结构的碳膜。利用XRD、Ralnan和AFM等方法分析了碳膜的厚度、结构、相成分和形貌。结果表明制备的碳膜是一种具有纳米石墨结构的非晶碳膜。随着离子轰击能量的增大,碳膜的厚度随之减小,纳米石墨结构sp2团簇的尺寸变大,碳膜表面粗糙度增大,并找到了最佳的离子轰击能量。通过对Raman光谱分析发现,在最佳离子轰击能量下形成的纳米石墨结构sp2团簇尺寸大小约为2nm。