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Ag-MgF2复合金属陶瓷薄膜的结构与光学特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以真空烧结的Ag-MgF2粉体为蒸发材料,用真空蒸镀法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜,X射线衍射、红外以及紫外-可见光谱研究表明:薄膜为由纳米fcc-Ag晶粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2基体中构成.在400~1600cm-1波数范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜具有400~600cm-1的MgF2晶体特征吸收带和Ag-MgF2复合结构产生的730~1250cm-1的吸收谱带;在200~800nm波长范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜对波长为220~800nm的光波均具有很低的反射率和很强的吸收,对波长为340~580nm的光波吸收率高达85%以上;而在紫外光区,Ag-MgF2薄膜则具有高反射率(>51%). 相似文献
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Cu—MgF2金属陶瓷薄膜的微结构与光学特性 总被引:3,自引:0,他引:3
报道了用真空蒸发法制备的 Cu - Mg F2 金属陶瓷薄膜的微结构与光学特性的测试结果。在220 n m ~800 n m 波段,薄膜的反射率很低,仅为1 % ~2 .5 % ;透射率则在200 n m ~650 n m之间随波长增大近似呈抛物线上升,至650 n m 处达到最大值46 % ;吸光度随波长增大呈指数下降,在400 cm - 1 ~4 000 c m - 1 红外波段,薄膜的吸收率较高,约65 % 。研究结果表明, Cu - Mg F2 金属陶瓷薄膜可用于紫外—红外光区的减反射膜层以及太阳能转换器件的膜层。 相似文献
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Ag-MgF_2金属陶瓷体的烧结条件与微观结构 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了Ag -MgF2 金属陶瓷体的烧结条件与微观结构之间的关系。X射线衍射分析表明 ,当真空烧结炉中有氧气氛存在时 ( 3 0Pa的低真空 ) ,如烧结温度T≥ 60 0℃ ,Ag -MgF2 体系将转变为Ag -MgF2 -MgO ;当烧结温度达到 12 5 0℃时Ag -MgF2 体系转变成为Ag -MgO。在高真空中 ( <10 -3Pa)烧结时 ,Ag -MgF2 体系将保持不变。烧结后的Ag -MgF2金属陶瓷体的空隙率 ,在 3 0 %~ 5 5 % (质量分数 )Ag范围内出现极大值。 相似文献
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Ag-MgF2金属陶瓷薄膜的制备及其微观结构研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用真空双蒸发源交替蒸发法和单蒸发源混合瞬时蒸发法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜。透射电镜、电子衍射、X射线衍射以及X射线光电子能谱分析结果表明,薄膜由晶态超微粒Ag镶嵌于主要为非晶态的MgF2中构成。Ag-MgF2形成的金属陶瓷复合晶体结构所对应的主要谱峰为d=0.26102,0.23540,0.20393nm。用真空单蒸发源混合瞬时蒸发法制备的Ag-MgF2薄膜表面元素的结合能大于双蒸发源交替蒸发法制备的薄膜表面元素的结合能。 相似文献
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Sn2S3薄膜制备及结构与光学特性 总被引:2,自引:1,他引:1
采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备Sn2S3薄膜.研究不同Sn和s配比及热处理条件对薄膜的结构及光学特性的影响.结果显示:采用Sn:S为1:1.2(at%)混合粉末制备出的薄膜,在T=430℃,t=40min氮气保护热处理后,可得到结构良好的n型Sn2S3纳米多晶薄膜.薄膜表面致密较平整,颗粒分布均匀,平均晶粒尺寸为60.37m.Sn2S3薄膜的直接光学带隙约为2.0eV. 相似文献
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测量了真空热蒸发沉积法制备的Ag MgF2 纳米金属陶瓷薄膜在近紫外到可见光区的吸收光谱、光学常数和介电函数 ,观察到在 42 7nm处有明显的表面等离子激元共振吸收峰。消光系数与介电函数的虚部谱形类似。讨论了共振吸收峰位置与金属微粒尺寸的关系 相似文献
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Al2O3/Ni金属陶瓷显微结构和力学性能的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用包裹工艺和热压工艺制备了Al2O3/Ni金属陶瓷.在1450°C热压Ni包裹Al2O3复合粉体得到相对密度>98%的金属陶瓷,当温度>1400°C时,随着Ni含量的增加致密度下降.Ni颗粒位于三角晶界,随着含量的增加,断裂方式由沿晶转为穿晶断裂;在A12O3基体中引入Ni颗粒能够降低晶粒尺寸,提高强度和韧性.与单相Al2O3的力学性能相比,综合力学性能较好的NA4金属陶瓷的抗弯强度和断裂韧性分别提高了19%和35%,分析了金属陶瓷的增强增韧机制. 相似文献
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ZrO2:CdS薄膜的光物理性质 总被引:1,自引:0,他引:1
利用吸收和荧光光谱研究了ZrO2:CdS薄膜的光物理特性.实验观察到了随颗粒尺寸的减小CdS的吸收带边的蓝移现象.研究了不同激发条件下的荧光光谱,发现了薄膜中CdS的微弱的荧光发射.并且分析了介质效应对CdS光学特性的影响. 相似文献
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采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜,采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征。结果表明,Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜,并具有(112)面的择优取向,所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm,光学带隙为1.51eV。 相似文献