导电高分子在固体钽电解电容器中的应用

利用导电高分子研制了一种新型固体钽电解电容器。用化学聚合方法在电容器介质氧化膜Ta2O5表面形成PEDT导电膜作为电容器的阴极而取代传统的MnQ阴极，因此新型电容器具有低阻抗、可靠性高、易于片式化等优点，且具有良好的高频特性。     

固体钽电容器瞬时击穿的计数显示装置——可靠性试验的实验电路

固体钽电解电容器正常使用时也可能出现瞬时击穿,它严重地影响电子设备的可靠工作,因此迫切需要开展对固体钽电容器瞬时击穿统计规律和机理的研究。本文介绍对固体钽电容器瞬时击穿观测的初步结果,并提出计测和显示电容器瞬时击穿的实验电路。一般说来,这个电路也可用来研究金属化有机介质电容器的自愈现象和介质薄膜的击穿现象。     

受限空间内化学被覆导电聚合物薄膜研究

研究了在多孔Ta/Ta2O+阳极微孔内表面原位化学聚合聚3,4-乙烯二氧噻吩导电聚合物薄膜的制备方法,结合有机片式固体钽电解电容器等效串联电阻值的变化,对聚合过程在受限空间里的高分子链形成机理以及在弱吸附情况下微孔内的薄膜导电性能的变化进行了分析,结果表明,在受限的空间里聚合反应生成的聚合物薄膜电导率会由于受限能的影响而降低,其影响程度相似于聚合溶液浓度的变化对聚合物薄膜电导率的影响。     

多路数字式固体钽电容器瞬时击穿监视电路

固体钽电容器主要用在高可靠电子设备中。但是,瞬时击穿是这种电容器的一个严重的弱点。本文介绍适用于生产厂和科研单位对有可靠性要求的产品作冲击、高频振动时,监测其瞬时击穿的电路。它能可靠地记录击穿次数,一旦电容器失效,电路立即报警,并显示失效试样的地址。电路还可以用于固体钽电容器的筛选和用来研究具有“自愈”特性的电容器的“自愈”现象。     

金属化有机薄膜

郑州华翔电子有限公司是国内唯一一家专业从事电容器金属化有机薄膜研究开发和生产的企业．该公司生产的片式元件用超薄超窄金属化有机薄膜是电容器用主要材料。电容器是电子信息产业中不可替代的功能性元器件，超薄超窄金属化膜生产技术是当今世界最先进的生产技术，是在传统金属化膜生产技术的基础上发展起来的，是高真空蒸镀、超低温(-1600℃)保持、激光测厚、恒张力控制与扩展、金属材料高温汽化、金属分子时效、     

去应力退火对DZ125合金再结晶行为的影响

为了获得具有优异高温力学性能的定向凝固高温合金,减少定向凝固叶片在生产过程中产生再结晶的现象,对经过喷丸后的DZ125合金进行了去应力退火处理,随后对其进行了不同温度下的热处理.利用扫描电子显微镜观察了DZ125合金的微观组织.结果表明,当表征喷丸强度的Almen值为0.25 mm时,依次进行870℃/500 h去应力退火与1 000℃/4 h热处理后,DZ125合金中仍存在少量胞状再结晶.经过1 150℃/4 h热处理后,胞状再结晶层厚度约降低30%;经过1 230℃/4 h热处理后,等轴状再结晶层厚度总体约降低了30%.当Almen值为0.17 mm时,在870℃下进行不同时间的去应力退火处理与1 230℃/4 h热处理后发现,随着退火时间的增加,再结晶层厚度逐渐降低,当退火时间为500 h时,再结晶层厚度约降低50%.     

电容器用钽粉的高比容化

简要地叙述了固体钽电解电容器高比容化、小型化趋势和生产高比容钽粉的方法.目前,1.5×104(μF.V)/g的高比容钽粉被小批量地使用,比容为(20～25)×104(F.V)/g的高比容钽粉正在开发中;宁夏东方钽业开发的(8～15)×104(μF.V)/g钽粉的含Fe、Ni和Cr的总量在25×10-6以下,Na含量低于5×10-6.钽粉是多孔的球形团聚颗粒,且具有很好的流动性,有合适的松装密度,粒径>180μm和<44μm的细粉含量少,比容高,直流漏电流低.这些钽粉可以满足制造钽缩小壳号的固体电解电容器,如一电容器厂家用FTW 100K钽粉制作的P壳号10V—15μF无引线模塑片状电容器,等效串联电阻(ESR)是行业中同型号电容器最低的,在100Hz下,它的ESR=3.5～5Ω,比市场上的其他电容器的平均水平低20%～40%.     

钠还原钽粉微观形态的观察及物理性能的调控

用扫描电镜和透射电镜观察了氟钽酸钾钠还原生产的钽粉的形貌和内部微观结构,它是一种以团聚体为基本粒子的粉末.通过生产工艺条件的调节和控制,生产出物理性能、电气性能适合于制作高性能的固体钽电解电容器的钽粉.     

高温测量及其校准技术研究现状与发展趋势

热电偶、热电阻及辐射温度计等温度传感器在技术上已经成熟,可广泛应用于军事和民用领域.但在极端环境下,有许多研究对象需要测量的是高温,由于有高压、高旋、高冲击、强噪声等环境因子引入,会对测试系统产生强耦合干扰,导致测不了、测不准、活不了问题的存在,给传感测试技术领域带来极大挑战.通过总结分析不同测温技术的优缺点和技术难点,针对高温参数测不了难题,从高动态层面提出了超声波导测温、原子发射光谱测温、光纤黑体腔测温3种方法,实现了2 200℃的高温测试;针对测不准难题,从高精度层面提出了光机电算一体化的溯源性瞬态表面温度动态校准系统,实现了2 000℃高温的精确动态测量;针对活不了难题,从高可靠层面研究了3 000℃极端环境下的存储测试与防护方法.     

宽温度铝电解电容器工作电解液的研究

本文阐述并给出了一种新型宽温度范围(-55～+125℃)的铝电解电容器的工作电解液。这种工作电解液与一般的乙二醇——硼酸系统工作电解液不同。它是以乙二醇和二甲基甲酰胺为主溶剂,以己二酸铵为溶质,以多元醇为热稳定剂的非水系工作电解液。 本文对新型工作电解液和一般工作电解液进行了比较。研究了甘露醇、二甲基甲酰胺等组分对电解液电导率和闪火电压的影响,提供了新型工作电解液浸制的电容器的温度特性、高温负荷特性和高温贮藏特性。 文章最后给出了用五种工作电解液浸制成的五种铝电解电容器特性曲线。     

High voltage detection circuit for power over the ethernet

A novel high voltage detection circuit with a high accuracy and low temperature coefficient for Power over the Ethernet (PoE) application is presented. The proposed detection circuit uses a bandgap comparator to detect the input voltage without an extra comparator and a voltage reference circuit, which reduces the chip area and detection time. In order to overcome the effect of the Ethernet resistor and avoid the circulating change of the detection circuit between the detection state and classification state, the proposed circuit uses a feedback circuit to realize the hysteresis function. The proposed detection circuit is implemented in 0.5μm65 V BCD process which occupies an active area of 590μm×310 μm. The measured results show that the temperature coefficient of the threshold voltage is 26.5×10^-6／℃ over the temperature range of -40℃ to 125℃. According to the measured results of 20 chips, the average value of the threshold voltage is 11.9V±0.25V, with a standard deviation of 0.138V.     

一种高精度低温漂带隙基准源的设计

该文参考了带隙基准电压源领域的现阶段技术,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路、补偿电路,设计了一种高精度、低温漂的多输出带隙基准电路。首先简述了传统带隙电压基准的基本原理,然后详细阐述了具体的各电路设计过程。该基准电压源可广泛应用于电源管理芯片等对能耗要求极高的芯片中。     

Design of a low temperature coefficient bandgap reference with a wide temperature range

In order to meet the requirements of different applications and markets for the accuracy and reliability of IoT chips,a low temperature coefficient bandgap reference with a wide temperature range is proposed.On the basis of the traditional Banba bandgap reference structure,the circuit utilizes high-order temperature compensation technology and piecewise temperature compensation technology to improve the curvature of the output reference voltage.The temperature coefficient of the circuit is reduced.At the same time,the operating temperature range of the circuit is extended.The circuit performances are verified in the TSMC 180 nm CMOS process.Test results show that the temperature coefficient of the circuit is as low as 7.2×10^-6/℃ in the range of-40 ℃ to 160 ℃.The power supply rejection ratio at a low frequency is -48.52 dB.The static current under the 1.8 V power supply voltage is 68.38 μA,and the core area of the chip is 0.025 mm².     

高性能分段温度曲率补偿基准电压源设计

针对带隙基准电压源温漂高、电源抑制比(PSRR)低的问题,提出一种新颖的分段曲率补偿技术.该电路将基准源工作的全温度范围划分为3个区间,对各段温度区间进行不同的温度补偿,同时引入电流环负反馈结构,提高电路在低频时的电源抑制比,实现在-40～150℃内,温度系数为1.24×10-6,在DC时电源抑制比为-137dB.该电路采用TSMC0.6μmBCD工艺设计实现,芯片面积为0.5mm2,关断电流小于0.1μA,工作静态功耗为125μW.投片测试结果验证了电路设计的正确性,当电源电压为2.5～6.0V时,该基准源输出电压摆幅仅为0.220mV.     

一种二阶曲率补偿的高精度带隙基准电压源

提出了一种输出电压可调的带隙基准电路．通过对双极晶体管基极-发射极电压的二阶温度补偿,大大改善了带隙基准的温度特性,并增加嵌套密勒补偿,进一步提高了系统的稳定性．基于0.6μm CMOS工艺,利用Hspice进行了仿真验证,结果表明,在-40～120℃温度范围内,0.8V基准电压的温度系数为6.1×10^-6／℃,低频时电源抑制比为-82dB,正常工作时静态工作电流小于6.5μA．     

空气气氛中二氯甲烷的高温氧化特性

利用管式流动反应器研究了在常压空气中二氯甲烷的高温氧化特性,实验温度为700～1 000   ℃,停留时间为1.5～2.5 s.结果表明,当温度低于800 ℃时,停留时间显著影响二氯甲烷的氧化产物分布;当温度高于800 ℃时,二氯甲烷的氧化产物分布主要受温度影响.二氯甲烷首先被氧化为CO和HCl,然后CO在HCl的抑制作用下被缓慢氧化.分解二氯甲烷的适宜温度为900～1 000 ℃.当温度低于900 ℃时,仅通过延长停留时间不能把CO充分氧化为CO₂;温度超过1 000 ℃会促进HCl的分解,增加Cl₂的生成量.     

高压LDMOS导通电阻的高温特性

这篇文章提出了高压LDMOS的高温等效电路,并在此基础上讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在25℃-300℃范围内随温度变化规律.根据本文分析,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温及限温度,导通电阻与温度的关系是(T/T1)z(Z=1.5～2.5).     

电泳-电沉积法制备Ni—Fe2O3复合镀层及其氧化性能研究

先采用电泳沉积工艺在Ni基体上均匀沉积Fe2O3膜,然后采用电镀技术在Fe2O3膜中沉积金属Ni,得到含Fe2O3质量分数较高的Ni-Fe2O3复合镀层。分析了沉积电压对电泳沉积Fe2O3膜厚度的影响,研究了镀层的高温氧化性能,并对其氧化机理进行了探讨。使用傅里叶红外光谱、扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪对镀层的截面形貌、成分等进行了研究。结果表明：通过改变阴阳两极之间的电场强度或调整两极之间的距离,电泳沉积Fe2O3的厚度会发生很大的变化;经过一定温度热处理后,电泳沉积层中的有机物去除干净;使用电泳一电沉积法制备的Ni-Fe2O3镀层与基体之间的结合界面紧密、完整;复合沉积层在1000℃高温条件下氧化后可以得到镍铁尖晶石结构的物质。     

High precision voltage reference generator for 16-bit 100MS/s ADC

An output adjustable voltage reference generator for the 16-bit 100MS/s pipelined ADC is presented. An adjustable output voltage, fast-setting, high precision reference voltage buffer is designed by using current summing and floating current control techniques. In order to further improve the PSRR and reduce the output impedance, the push pull output and replica circuit structure is introduced. The prototype 16-bit 100MS/s ADC is fabricated by 0.18μm 1.8V 1P6M CMOS technology.Test results show that the voltage reference generator consumes an area of 1.3mm×2.0mm, and the power consumption is 23mW. The average temperature coefficient of the output voltage is 16×10^-6℃^-1 in the range of -55℃ to 125℃. The 16-bit 100MS/s ADC achieves the SNR of 76.3dBFS and SFDR of 89.2dBc, with 10.1MHz input at the full sampling speed, and it consumes the power of 300mW and occupies an area of 3.5mm×5.0mm.