激光测距传感器芯片功能异常分析

半导体芯片是所有封装半导体器件的核心功能部件，涉及芯片失效的分析是一项复杂且精细的工作，而对于特定使用性能的芯片，分析方法更是千差万别。本研究基于常见芯片发生异常的主要分析手段，介绍了激光测距传感器功能异常的失效分析方法，通过电性能测试及电路板的测试分析，缩小失效发生的功能区域，用I-U曲线测试确定失效的重现方法，最后使用光诱导电阻变化技术（OBIRCH）进行失效的定位，结合晶圆的去层化处理和聚焦离子束（Plasma FIB）微切，用扫描电子显微镜获得失效点的具体位置和形貌，确定失效原因为金属层连接通孔烧融，通孔熔断与造成芯片失效的机理一致，从而为芯片设计、生产工艺优化甚至客户的应用提供了有效的信息。     

有机涂层防护性能与失效评价研究进展

简要综述了近年来评价有机涂层防护与失效的宏观与微观电化学方法。介绍了直流电化学极化、电化学阻抗谱(EIS)、电化学噪声(ENM)等宏观电化学测试方法,此类方法主要反映涂装材料的整体防护特性和老化失效规律;而微区电化学测量方法,如局部电化学阻抗(LEIS)、扫描开尔文探针(SKP)、扫描振动电极(SVET)、扫描电化学显微镜(SECM)和原子力显微镜(AFM)等,主要用于涂层局部或微缺陷的检测,以及界面层物理化学变化规律的研究。简述了应用这些方法所取得的成果,对进一步研究涂层失效具有一定指导意义。     

铁路电气化用铜合金定位线夹失效分析

对失效铜合金定位线夹取样,用光学显微镜和扫描电子显微镜分析了定位线夹失效部位金相组织及断口形貌特征,得出了定位线夹失效的原因。它能为改进生产工艺提供依据。     

含低速冲击损伤复合材料层合板的压缩失效

通过含低速冲击损伤的两种平面编织复合材料层合板（G803／5224、G827／5224层合板）的压缩试验,研究了低速冲击损伤对复合材料层合板失效行为的影响。试验后采用超声c扫描检测、外观检查与断口侧面宏观观察方法对损伤与失效特征进行了对比分析。结果表明,两种含低速冲击损伤层合板被压缩时,G803／5224层合板冲击背面首先发生子层微屈曲,微屈曲沿着垂直于压缩方向扩展,最后剪切分层失效;G827／5224层合板冲击背面首先发生子层屈曲分层,屈曲分层也是沿着垂直于压缩方向扩展,最后剪切屈曲失效。两种层合板低速冲击后压缩的失效模式与光滑板压缩失效模式基本相同。     

锻铝控制臂失效分析

某车型采用锻造铝合金控制臂,控制臂在下线路试动检过程中发生断裂。利用直读光谱分析仪、电子万能试验机、金相显微镜等设备和CAE模拟分析软件,对材料的理化性能和零件的成形过程进行分析。结果表明:材料的化学成分和力学性能均满足相关技术要求;零件金相组织无热处理过烧现象,但零件内部存在明显的锻造缺陷;锻造过程中由于弯曲工序定位不准确,产生折叠缺陷,锻造折叠缺陷最终导致本次控制臂断裂失效;通过在锻造弯曲工序中增加定位挡板和调节螺栓的方式,将预弯坯料偏离定位点的间距控制在5 mm以内,可以有效地避免锻造折叠缺陷的产生;在零件质检工序对所有零件进行表面荧光渗透探伤,可以防止问题零件的流出。     

声发射技术在热障涂层失效机理中的研究进展及展望

热障涂层（TBCs）具有优异的高温抗氧化、高温力学和抗热腐蚀性能而备受关注,广泛应用于航空发动机和燃气轮机热端部件中。热障涂层服役环境的恶劣和涂层体系结构的复杂,极易导致涂层发生界面分层或剥落失效,因此通过对热障涂层的裂纹萌生和扩展问题进行实时监测,对于失效机理研究显得尤为重要。简述光激发荧光压电光谱（PLPS）、红外热成像（IRT）、阻抗谱（IS）的原理及其在热障涂层失效行为研究中的应用,重点介绍声发射技术在热障涂层失效机理方面的研究成果。基于声发射的热障涂层失效过程的信号分析和深度处理,结合声发射技术在热障涂层中的参数分析和波形分析,对热障涂层失效过程及失效形态进行模式识别,通过损伤程度的定量评估来进行热障涂层的寿命预测。对声发射技术在热障涂层失效预测及寿命评估指明了方向,并创新性地对未来声发射技术在热障涂层的疲劳损伤方面研究趋势提出展望。     

SOI CMOS电路稳态寿命试验后漏电失效分析

针对SOI COMS电路稳态寿命试验后输入漏电流超标开展失效分析,分别对异常掉电致击穿、离子沾污、内部气氛不佳、芯片外表面污染、静电放电（ESD）等因素进行排查分析。定位电路失效原因为ESD防护用具状态不佳,导致试验过程中产生的ESD使电路输入端口二极管发生栅氧击穿。通过ESD测试设备模拟和原试验过程模拟2种方式,对失效模式进行复现验证。结果表明:SOI CMOS电路在试验过程中,即使试验员按要求佩戴防静电腕带和绝缘指套,若防静电腕带或绝缘指套状态不佳,仍易引发样品ESD失效;失效模式通常为电路输入端口微安级漏电,且该漏电在高温退火后会有部分恢复。建议在试验过程中选用全金属防静电腕带和防静电专用指套;若选用尼龙编制腕带,须定期更换。     

TiN涂层电化学腐蚀行为研究Ⅰ.TiN涂层的保护性能与失效机制

利用电化学方法以及扫描电镜 (SEM )、扫描隧道显微镜 (STM )等技术 ,研究了离子镀TiN薄膜涂层在 0 5mol/LNaCl和 1mol/LH2 SO4溶液中的保护性能和失效机制 .结果表明 :TiN涂层可以提高材料在中性和酸性溶液中的耐蚀性能 ,TiN涂层的保护机制为物理屏障作用 ;镀层的微观结构缺陷是涂层失效的主要原因 ,涂层下金属的腐蚀行为与孔蚀类似     

GaAs器件和MMIC的失效分析

从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓（GaAs）器件和单片微波集成电路（MMIC）退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因：过电烧毁、静电损伤、器件分层、设计和工艺缺陷等进行举例分析,为生产和使用过程中控制其主要的失效模式及失效机理提供参考和依据。     

TiN涂层电化学腐蚀行为研究I．TiN涂层的保护性能与失效机制

利用电化学方法以及扫描电镜(SEM)、扫描隧道显微镜(STM)等技术，研究了离子镀TiN薄膜涂层在0．5mol NaCl和lmol/L H2SO4溶液中的保护性能和失效机制、结果表明：TiN涂层可以提高材料在中性和酸性溶液中的耐蚀性能，TiN涂层的保护机制为物理屏障作用；镀层的微观结构缺陷是涂层失效的主要原因，涂层下金属的腐蚀行为与孔蚀类似。     

Electrochemical corrosion of silicon carbide ceramics

Recently, SiC‐based ceramics have been found to exhibit corrosion damage patterns, which can only be explained by electrochemical processes. Therefore, the current work focusses on the electrochemical test procedures to determine the corrosion behaviour of solid state sintered silicon carbide (SSiC) ceramics in acidic and alkaline media. The corrosion current densities have been determined from linear voltammetric scans. At anodic polarization potentials, electrochemically induced etching patterns were observed in alkaline solution. The formation of pores and crevices during electrochemical oxidation in acidic solution could be monitored by field emission scanning electron microscopy (FESEM) in addition to transmission electron microscopy (TEM). Impedance spectra measured after anodic polarization could be described by the assumption of a pore model equivalent circuit.     

焊接柔性加工单元中熔池的实时控制

机器人焊接过程中熔池实时控制系统是焊接柔性加工单元 (WFMC)中保证良好焊接质量的一个重要子系统。文中建立了WFMC中焊接质量实时控制子系统并实现了该子系统与WFMC中央监控计算机的实时可靠通讯。在获得了焊接熔池特征参数的基础上 ,建立了焊接过程熔池正面参数和焊缝背面参数的神经网络模型。模型根据熔池正面参数可实时预测焊缝背面宽度。并设计了神经元自学习比例求和微分(PSD)控制器 ,通过调整脉冲峰值电流 ,实现了机器人脉冲钨极气体保护焊 (GTAW )过程中通过正面熔池传感对焊接焊缝背面宽度的实时控制。控制试验证明控制器可有效地对焊接过程进行控制     

Leakage conduction mechanism of top-contact organic thin film transistors

This paper presents an analysis of the leakage conduction mechanism of top-contact organic thin film transistors. According to the experimental result, the author found that the dominant leakage conduction mechanism of top-contact devices is the Schottky emission and the gate leakage current dramatically increases with an increase in applied voltage. It is important to identify the gate leakage effect for understanding the actual device operation mechanism and enhancing the device performance.     

Trapping and Detrapping Effects on Current Conduction Mechanisms at Interface of Au/HfO2 High-k Films

主要研究了经不同温度退火后 HfO2 高k栅介质薄膜的电流电压特性,结果表明,在栅极入射下,漏电流与 Au/HfO2 界面处的陷阱密度密切相关,在高电场下,Au/HfO2/p-Si 结构的主要导电机制为 Schottky发射和 Poole-Frenkel 发射。研究了电压应力对栅介质薄膜稳定性的影响,由于局部导电通道的形成,经时电介质击穿(TDDB)现象被观察到     

磁饱和后的涡流检测信号的非涡流效应

系统地进行了实验规划和验证,最后应用等效源法对实验结果进行了分析。分析表明,钢管在磁饱和状态下的涡流检测信号并不是由涡流效应产生的,而是由漏磁场引起的。缺陷的漏磁信号可视为一等效电流源,产生的扰动磁场被调制在高频载波上而引起涡流仪的信号显示。     

电源极性对氧化剂加注车工作的影响

分析了海防导弹氧化剂加注车在更换车头型号后，因 蓄电池极性的改变导致特装部分电路工作失常的原因及其解决的办法.     

聚焦离子束双束系统在微机电系统失效分析中的应用

MEMS惯性传感器是一种将运动物理量转换成电信号的传感器,其工作原理涉及物理学、机械学、微电子学科等.随着MEMS芯片尺寸的不断缩小和性能的不断提高,传统的半导体失效分析方法已很难满足MEMS器件失效分析的需求.本研究结合MEMS器件的工作原理和FIB双束系统的特点,通过聚焦FIB双束系统分析MEMS芯片中3种常见的失...