一种复合钨海绵体钡钨阴极

通过分析影响钡钨阴极蒸发的各种因素,结合实际生产中的工艺要求,介绍了一种复合钨海绵体钡钨阴极制造工艺,能够有效降低钡钨阴极蒸发。     

钡钨阴极制备工艺探讨

对钡钨阴极的制备工艺进行了探讨,并对阴极基底的表面和内部结构与阴极盐成分的检测方法进行了介绍。并在进行大量试验后,得到一种较好的钡钨阴极制造工艺。     

新型三元混合基钡钨阴极的发射性能研究

研究了三元混合基底的制备及对钡钨阴极发射性能影响,结果表明所研究的W-Ir-Rh、W-Ir-Ru、W-Ir-Re三元混合基钡钨阴极的发射与传统的覆膜纯W基钡钨阴极的发射水平近于相当,但其制备工艺更简单,排气和激活时出气更少,能够加速管子的处理工艺.     

铝酸盐钡钨阴极的排铜与浸渍工艺的实验

为了满足氩、氪离子激光器的功率及各方面性能要求的提高，我们研制了浸渍型铝酸盐钡钨阴极。排铜与浸渍工艺是浸渍钡钨阴极在烧氢炉中进行的关键性工序，若规范制定不当则严重影响阴极的使用性能。我们进行了多次实验．摸索出了可行的规范，得到了满意的浸渍表面。     

新型压制钡钨阴极性能的研究

研究了新型压制钡钨阴极的发射性能 ,并且分别用KYKY - 2 80 0扫描电子显微镜 (SEM)和美国BIR公司ACTIS工业CT微焦点系统来分析所研制的新型压制钡钨阴极的表面形貌和内部结构 ,并对比了传统的钡钨阴极 ,来说明简化覆膜浸渍钡钨阴极生产工艺的可行性。     

浅谈浸渍式钨酸盐阴极的制造

介绍了浸渍式钨酸盐钡钨阴极制造的工艺流程，并对钨海绵的压制、磨削夹具的设计、钨酸盐的制备、钨酸盐的浸渍等几个关键工艺进行了详细的探讨，指出只有严格按照相关工艺操作，才能制备出性能良好的阴极。     

新型二元混合基钡钨阴极的发射性能研究

研究了二元混合基底的制备及对钡钨阴极发射性能影响,结果表明所研究的W-Ir（MMM）、W-Re（CMM）二元混合基钡钨阴极有比传统覆膜纯W基钡钨阴极更低的逸出功,具备更好的发射性能;从所研究的两种混合基钡钨阴极发射来看,覆膜阴极和未覆膜阴极发射效果没有明显差异。     

大电流阴极的发射性能研究

研究了新型钡钨阴极发射性能，并且分别用扫描电子显微镜(SEM)和工业CT微焦点系统来分析所研制的新型钡钨阴极的表面形貌和内部微细结构。该阴极不仅简化了传统浸渍钡钨阴极生产工艺，而且发射性能要优于传统工艺阴极。     

一种大发射热阴极

很久以来,许多研究阴极的工作者都试图把稀土金属氧化物掺和在氧化钡中,制成稀土金属钡盐,作为钡钨阴极的发射物质,以改进一般铝酸盐钡钨阴极的性能。这些努力已取得一定的成效,特别是含氧化钪的钡钨阴极取得了更为引人注目的进展。但迄今为止,只见到有关这种阴极的发射性能的报道而尚未见到有关它的其他性能以及应用情况的报道。 几年来,我们也开展了含稀土元素的钡钨阴极特别是钪酸盐钡钨阴极的研究。最近,     

真空电子技术

0462 2003020094新型压制钡钨阴极性能的研究/张红卫,白振纲,俞世吉,丁耀根(中国科学院电子学研究所)11真空电子技术.一2002,(3)一67一69研究了新型压制钡钨阴极的发射性能,并且分别用KYKY一2800扫描电子显微镜(5 EM)和美国BIR公司ACTIS工业CT微焦点系统来分析所研制的新型压制钡钨阴极的表面形貌和内部结构,并对比了传统的钡钨阴极,来说明简化覆膜浸渍钡钨阴极生产工艺的可行性.图5参1(冈,J)到了一组具有原子分辨率的F EM像.该像可能是从单壁碳纳米管束中突出的一根(16,0)锯齿型单壁碳纳米管开口端的发射形成的.理论计算了FEM图…     

钡钨阴极－热子组合件制备工艺

文章详细阐述了钡钨阴极－热子组合件的制备工艺，对其应用和可靠性做了必要的检测。     

改性含钪薄膜阴极的研究

采用Sc6WO12+W代替传统的Sc2WO3+W材料制备溅射靶,利用三极直流溅射方法制备含钪薄膜阴极。这种方法不需要在覆膜过程中通入氧气或采取其它的复杂氧化工艺,不仅简化了操作也提高了阴极制备的稳定性和一致性。本文研究了这种阴极的发射特性和功函数分布情况。这种阴极在1000℃时能提供86A/cm2的发射电流密度,表现出良好的发射性能。     

用于浸渍阴极的钨海绵基体制备

微波真空电子器件广泛应用于卫星通信及未来军事前沿的高功率微波武器等方面,这些器件需要电流发射稳定、蒸发小、寿命长的浸渍阴极,进而对浸渍阴极钨海绵基体制备工艺提出了很高要求。本文首先利用分级技术对钨粉进行了分级,制备出流动性好颗粒均匀的钨粉。采用气体纯化与检测系统,可以除掉氢气中残余的氧和水,使氢气的露点降至-90℃以下,为制备无氧化的钨海绵基体提供良好的烧结气氛。采用真空去铜技术,制备出表面非常光洁,没有任何污渍和杂质沉淀的阴极基体,利用X射线能量色散谱(EDX)分析了制备的阴极基体断面,结果表明新方法达到了传统化学去铜及再高温去铜后的效果,新方法更节省时间,更环保。通过调节烧结时间和烧结气氛可以制备出微波器件所需的孔度适宜、闭孔率低的阴极基体,为制备低蒸发、长寿命微波器件的阴极打下基础。     

电子发射材料粉体物性指数的研究

为了选用具有优良流动性的钨粉,我们采用日本MT-1000多功能型粉体物性测定仪研究电子发射材料粉体物性指数,并且给出该材料的流动性评价。这有助于我们在生产阴极时,选用具有优良流动性的钨粉,从而进一步稳定阴极生产工艺。     

亚微米结构新型含钪扩散阴极性能的研究

本文研究具有氧化钪掺杂钨基体钪酸盐阴极的性能.为了改进氧化钪的分布均匀性及提高阴极表面钪的扩散补充能力,分别采用液固掺杂和液液掺杂的方法制备了Sc2O3掺杂W粉基材,研究了利用这种钨粉制作多孔钨基体的工艺技术和多孔体的微观结构.研究表明在改进压制、烧结技术的基础上,可以获得具有适当孔度的亚微米结构多孔基体,氧化钪在基体中的分布得到进一步改善,在这种基体中铝酸盐的浸渍率可以达到常规浸渍阴极的要求.发射试验结果表明,这种阴极在850 ℃的工作温度下空间电荷限制的电流密度超过30 A/cm2,在超过2000 h的寿命实验过程中发射仍持续上升,因而在要求高电流密度和一定寿命的微波电子管中具有光明的应用前景.研究还证实多孔体的结构越趋细微,越有利于阴极的发射均匀性和耐离子轰击的性能改善.     

钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究

为获得电子发射性能优异的含钪钡热钨阴极．采用液固掺杂、掺杂钨粉还原、等静压制、高温烧结、浸渍发射物质等工艺．制备出钪钨基体钡钨热阴极。对该阴极的发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1050℃、1100℃时,脉冲发射电流密度分别为53．6A／cm^2、65．7A／cm^2、79A／cm^2。分析认为．由于氧化钪均匀地覆盖在钨颗粒的表面,氧化钪与钨接触面增多,使氧化钪与钨的结合力增大,因此该阴极具有均匀性良好的热电子发射,较好的抗离子轰击能力．     

氧化钪掺杂钨基扩散阴极的结构、表面与发射特性的研究

以钪盐的水溶液与氧化钨液-固掺杂法制备了氧化钪掺杂钨基扩散阴极，利用扫描电镜、能谱分析仪和原位俄歇电子谱仪等现代分析技术研究了烧结体的形貌、Sc的分布及阴极的表面特性。用自行研制的微机控制全自动电子发射测量装置检测了阴极发射性能。研究表明，与Sc2O3与W机械混合制备的混合基含Sc阴极相比，采用液固掺杂法制备的阴极，Sc2O3分布均匀，阴极耐高温和抗离子轰击能力强，发射性能优异。     

微波炉用磁控管碳化钍钨阴极断裂失效分析

本文采用扫描电镜、X射线残余应力分析仪、金相显微镜等工具分析了微波炉用磁控管碳化钍钨阴极的断裂失效机理，碳化后钍钨阴极较粗大的晶粒与内应力是其断裂的主要原因。