方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性，由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性。由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

离子注入的方块电阻规范

本文给出了制备离子注入的规范参考样品（SRM）的方法。这将为离子注入设备及测试设备的检测和验证提供可靠的手段，规范参考样品应该是硅片，硅片经由特定的杂质，确定的能量和剂量注入，且其平均方块电阻和均匀性都有明确的说明。这里提到的规范阐明了许多协作组织的工作经验，同时回顾了已往的研究成果。并考虑来自注入机厂商和使用厂家的结果。最后给出了在工艺过程中对各种重要参数起关键作用的灵敏度曲线的制备方法。     

圆片测试中探针接触电阻的影响与改善方法

介绍了影响探针接触电阻的几个因素,探讨了在测试过程中探针表面的变化以及接触电阻变大的原因、接触电阻对测试的影响。提出了几种控制接触电阻的办法,从材料、探针卡制作方面控制接触电阻的产生,在测试生产过程中通过定期清针、吹氮气等方式减少针尖损耗并减小接触电阻,在测试技术上采用双针开尔文连接和其他一些优化方式避免接触电阻对电参数测试的影响。通过以上方式有效提高了测试准确性和测试过程的顺畅性。     

pH对化学镀镍-磷法制作的埋嵌电阻方块电阻影响的研究

文章主要介绍了pH对通过化学镀镍-磷法制作埋嵌电阻时镍-磷合金层方块电阻的影响。在温度相同的条件下,当镀液的pH不同时,探究了两种基材表面上镍-磷合金层方块电阻与反应时间的关系,并分析了适合用于制作埋嵌电阻的镍-磷合金层方块电阻值,以及最佳的化学镀镍-磷反应pH值。从实验结果可知,当反应时间相同时,随着pH的减小两种基材表面上镍-磷合金层的方块电阻将会逐渐大;适合用于埋嵌电阻制作的化学镀镍-磷反应pH为3.4~3.7,反应时间为3min~8min,方块电阻为15Ω/□～200Ω/□。     

钨化学气相淀积工艺方块电阻均匀性的研究

钨化学气相淀积因为其在接触孔/通孔填充中出色的台阶覆盖能力而在半导体工业中被广泛应用,在量产中经常会出现监控片的方块电阻均匀性超规格。本文主要研究了加热器、气体输送、氟化铝、机械传片定位、真空微漏等因素对方块电阻均匀性的影响,特别周期性等离子清洗产生的氟化铝对晶圆边缘的抑制反应是影响腔体维护频率的主要原因,并提出改善均匀性的有效办法。     

高方块电阻发射区单晶硅太阳电池的性能优化

通过提高发射区的方块电阻和优化发射区的磷杂质浓度纵向分布,制备了性能优良的单晶硅太阳电池。I-V测量分析表明:高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池短路电流密度、开路电压和填充因子分别提高了0.32mA/cm2,1.19mV和0.22%,因此转换效率提高了0.22%。内量子效率分析表明:高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池短路电流密度的提高是由于短波光谱响应增强了。SEM分析表明:高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池在发射区硅表面沉积的Ag晶粒分布数量更多、一致性更好,从而更容易收集光生电流传输到Ag栅线,改善了太阳电池的性能。     

Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响

采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜.首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4h制备一系列Mg2Si半导体薄膜.采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响.结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si (220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si (220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52 μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度.最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响.     

基于EIT技术的微区薄层电阻测试系统研究

分析了各种半导体材料电阻率测量方法的优缺点及适用性,利用电阻抗成像技术(EIT),探究了一种用来检测Si片内微区薄层电阻率均匀性的无接触测试技术.实现这种测试技术的硬件电路系统主要由激励模块恒流源、驱动模块多路模拟开关、信号处理模块前置放大电路、A/D转换器件和DSP(数字信号处理器)芯片、计算机等构成.分别介绍了各模块的构成与功能,并略述了用一种图像重建算法等位线反投影法进行阻抗分布图像的重建.     

晶圆级导通电阻测试精度的改进方法

针对晶圆级导通电阻测试误差过高,满足不了低压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)毫欧级导通电阻的测试精度要求,给产品晶圆测试规范的制定及品质监控带来困扰的问题,提出了晶圆级导通电阻测试精度的改进方法。基于开尔文法电阻测试理论,具体分析了晶圆级导通电阻测试原理,且得出其测试精度不高的根本原因是减薄背金后粗糙不平的硅片背面与测试机的承片台的非充分接触而引入了毫欧级接触电阻。提出3种相应改进测试精度的方法,单相邻芯片辅助的测试方法、双相邻芯片辅助的测试方法和正面漏极测试窗的测试方法。经过验证,3种方法均能将毫欧级导通电阻测试误差控制到小于10%,实现低压MOSFET晶圆级导通电阻参数的有效监测。     

基于浮动源的氮化镓器件导通电阻测试技术研究

首先,介绍了氮化镓器件的基本特征,以一款氮化镓功率器件为例,介绍了其基本结构、应用场景和关键参数,并研究了其导通电阻的测试;其次,介绍了浮动源的特点,研究了使用浮动源测试氮化镓器件导通电阻的方法,在测试方案的软件、硬件设计上提出了一些建议;然后,将所提出的测试方案运用于实际测试,结果表明,得到的测试数据与理论值吻合地较好,证明了测试方案的有效性;最后,对测试过程中常见的问题进行了分析,对于提高氮化镓器件导通电阻测试精度具有一定的参考价值。     

范德堡和条状结构埋层电阻的测试及研究

薄层电阻经常被用于PCM以及SPICE模型的关键电阻测试。在正常情况下呈现欧姆特性。同时我们可以看到,随偏压的变化,JFET器件中的埋层电阻也发生相应的变化。本文研究了条形电阻和范德堡两种标准结构的电阻,同时利用2D、3D器件模拟,给出了优化电阻测试的路径和方法。     

厚膜电阻的大范围连续可调设计

介绍了厚膜电阻微调系数和大范围连续可调的基本概念,指出常规厚膜电阻微调系数不超过2,采用帽状电阻可以在一定程度上提高微调系数,但由于受到电阻尺寸的限制,仍不能满足10倍以上的大范围连续可调要求。文中探讨了利用串并联微调来设计大范围连续可调电阻的可行性及基本方法。与单个电阻相比,电阻的串并联微调结构对微调系数具有明显的放大作用,从而使大范围连续可调的实现成为可能。当微调系数超过10时,可通过两个帽状电阻的串并联来实现大范围连续可调,三个矩形电阻的串并联结构可使阻值连续可调范围达30倍以上．     

浅谈绝缘电阻的测试方法及影响测试的因素

绝缘电阻是反映电线电缆产品绝缘特性的主要指标，它反映了线缆产品承受电击穿或热击穿能力的大小，与绝缘的介质损耗以及绝缘材料在工作状态下的逐步劣化等均存在着极为密切的关系。产品的绝缘电阻主要取决于所选用绝缘材料体积电阻率的Pv，但工艺水平对绝缘电阻的影响很大，因此测定绝缘电阻是监督材料质量和工艺水平的一种方法。测定绝缘电阻可以发现工艺的缺陷，同时也是研究绝缘材料的品质和特性，研究绝缘结构以及产品在各种运行条件下的使用性能等各方面的重要手段，对于已投入运行的产品，绝缘电阻是判断产品品质变化的重要依据之一。绝缘电阻测量准确与否直接影响产品品质的判定，因此要注重绝缘电阻的测量问题。下面介绍几种常用的测试电线电缆绝缘电阻的方法：     

温差电器件接触电阻和接触热阻的测试及分析

接触电阻和接触热阻是影响温差电器件性能的两个重要的工艺参数，直接反映器件制造的工艺水平。因此，对器件的接触电阻和接触热阻进行测试分析，将能够定量地了解现行工艺对器件温差电性能的影响程度。本文首先介绍接触电阻的测试方法和实验结果，然后利用所测的数据，再通过对器件输出功率特性的测试，间接地导出器件的接触热阻。据笔者所知，这是温差电器件接触热阻实测数值的首次报道。     

大动态范围电阻列阵器件的最新进展（下）

4最近的测量结果 在以前的一些文章里[1-6],他们已经讨论了许多列阵的属性.某些最近的测量结果,使我们对列阵性能的了解得到了进一步的改善.大多数的测量是在室温工作的#3列阵上进行的.     

静电对绝缘电阻测试的影响及改善方法

文章通过介绍人体静电放电和绝缘电阻测试系统的电路模型,分析了人体静电的充放电过程对周围纳安、皮安级电流测试影响的原理,探讨绝缘电阻微电流测试中示值不稳定的原因,介绍几种在绝缘电阻和微电流测量中减少静电场干扰的实用方法。     

高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法

实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/SiO2表面的陷阱产生以及热电子的注入和俘获导致了高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下产生不同的导通电阻衰退.文中同时提出了一种改进方法:用场氧代替厚栅氧作为高压pLEDMoS器件的栅氧,MEDICI模拟结果显示该方法可以明显降低/减缓高压pLEDMOS导通电阻的衰退.     

高压pLEDMOS器件在不同应力条件下导通电阻的衰退及改进方法

实验测试结果揭示高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下,导通电阻的衰退结果不同,半导体器件专业软件MEDICI模拟结果表明Si/SiO2表面的陷阱产生以及热电子的注入和俘获导致了高压pLEDMOS器件在不同的应力条件下产生不同的导通电阻衰退.文中同时提出了一种改进方法:用场氧代替厚栅氧作为高压pLEDMoS器件的栅氧,MEDICI模拟结果显示该方法可以明显降低/减缓高压pLEDMOS导通电阻的衰退.