有机铁电P(VDF-TrFE)膜的铁电开关特性

借助原子力显微镜优异的空间分辨能力和微观压电铁电测定技术,研究了有机铁电P（VDF—TrFE）膜的微观铁电开关特性．结果表明,当激励电压的峰值高于材料矫顽电压时,观测到双峰振动现象,双峰振动的出现源自于铁电开关过程;当激励电压幅值略高于材料矫顽电压时,探测到振动双峰的发展过程和局域蝴蝶洄线的不对称生长,蝴蝶洄线左翼的生长速度明显滞后于右翼．当极化时间足够长时,两翼的生长达到饱和,呈现出对称结构．电极结构的不对称性（金、铝电极）导致陷阱电荷注入铁电膜内部的速率不同,从而产生不对称的蝴蝶洄线生长过程．空间电荷在有机聚合物铁电性形成过程中有重要的贡献．     

有机铁电薄膜的研究进展

有机铁电薄膜材料因具有光电效应、压电效应、铁电等性能,可广泛应用于电子器件而备受关注.综述了聚偏氟乙烯[Poly(vinylidene fluoride)]及其共聚物铁电材料的结构和性能,从有机铁电薄膜的3种疲劳机理和降低疲劳的措施出发,综述了近年来国内外在铁电薄膜电疲劳研究方面所取得的进展,总结了有机铁电薄膜的应用,提出了今后可能开展的工作.     

PMN-PT驰豫铁电单晶及其超声换能器性能研究

测试了PMN－PT（67／33）切型铁电单晶的机电性能,分析了该晶体与常用压电材料在微观结构和机电性能上差异。对该压电单晶未调末调制下纵向长度伸缩振动模超声换能器性能进行了理论分析。讨论了压电单晶的机械和介电损耗对超声换能器性能的规律。     

钙钛矿型铁电薄膜疲劳性能研究进展

钙钛矿型铁电薄膜由于在非易失存储器方面的应用而受到广泛研究,但疲劳问题是影响其应用的主要障碍。简要综述了近年来国外在钙钛矿型铁电薄膜疲劳机制和消除疲劳措施等方面的研究进展。     

Au与p-CZT接触的界面势垒研究

用同步光电子能谱研究了NH4F/H2O2钝化p-CZT表面效应, 钝化处理晶体表面后,表面态能峰消失.用未钝化和钝化两种工艺方法来对比p-CZT晶体表面的钝化效果.同时用同步光电子能谱研究了Au与p-CZT接触的界面势垒.其中界面势垒可以由价带区域的新能级EV-C 和新能级与Fermi能级的差决定.未钝化和钝化的Au/p-CZT的界面势垒分别为(0.88±0.1)eV和(1.17±0.1)eV.     

底电极对PLT铁电薄膜结构与电性能的影响

用Ｘ射线衍射和扫描电镜对不同厚度Ｔｉ的Ｐｔ／Ｔｉ电极的物要与形貌进行了分析。用金属有机化合物分解法通过多次匀胶，制备了０．７２－０．８７μｍ厚的ＰＬＴ铁电薄膜。并对其形貌，相结合介电和铁电性能与直流电阻特性进行对比研究，结果表明：不同厚度Ｔｉ的Ｐｔ／Ｔｉ电极对ＰＬＴ铁电薄膜的各种有明显的影响。     

衬底对PZT铁电薄膜显微结构的影响

利用ＸＲＤ和ＳＥＭ观察了在不同衬底材料上用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＰＺＴ铁电陶瓷薄膜的显微结构，发ＰＺＴ薄膜的结晶性能受衬底材料的影响极大。ＰＺＴ薄膜在金属铂片上能够很结晶。而在单晶硅片上则很难结晶，其在镀铂硅片上的结晶难易程度介于金属铂片与单晶硅片之间，在衬底上制备ＰＴ过渡层可以促进ＰＺＴ薄膜的结晶。     

相界势垒对高B值高电导率NTC热敏材料电特性的影响

在高Ｂ值，高电导率的ＮＴＣ热敏材料中，Ｘ－ｒａｙ衍射，ＸＰＳ分析表明有三相：ＮｉＭ２Ｏ４，ＣｕＭｎ２Ｏ４和Ｍｎ３Ｏ４组成。三相之间比例的相对变化对共电导率有较大影响，Ｂ值的变化主要来自相界势垒的贡献。     

铁铝焊接界面组织与性能的研究

为了研究热处理对铁铝焊接界面组织和性能的影响,本文采用电容储能焊得到铁铝焊接接头,并对部分焊接接头进行热处理。利用显微镜、X射线能谱仪和显微维氏硬度仪对未热处理和热处理的焊接接头界面处的微观组织、化学成分和性能进行对比和分析。结果表明:热处理后焊接接头界面处有Fe-Al金属间化合物生成;热处理后的焊接接头融合区的铝含量比未热处理的低;焊接接头界面处由于铁铝原子的互扩散,硬度较铁、铝基体有所提高;热处理的焊接接头界面处的硬度高于未热处理的界面处硬度。热处理促使金属间化合物的生成,有利于改善焊接接头性能。     

两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机络合物，分别称为ＭＣＡ＋ＴＣＮＱ放ＢＢＤＣ＋ＴＣＮＱ。它们可在真空中制备成薄膜。在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于１００ｎｓ，因此可作为一次写入的存储器材料，根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在１．６ｃｍ＾２的ＳｉＯ２平面上做出６４Ｍｂ的存储器。     

退火处理对PZT-5H铁电陶瓷性能的影响

研究了退火处理对PZT-5H陶瓷铁电、压电性能以及抗老化和抗电疲劳性能的影响。结果表明，250℃退火处理可以有效地提高PZT-5H铁电陶瓷的饱和和剩余极化强度、压电常数和抗老化性、抗电疲劳性性能。分析表明，PZT-5铁电陶瓷性能的改善可能与热处理改变晶粒微区状态和消除内应力等因素有关。     

硅基三元系PMnN-PZT铁电薄膜制备与研究

利用磁控溅射方法在单晶Si基底上沉积三元系铁电薄膜6%PMnN-94%PZT(6%Pb(Mn1/3,Nb2/3)O3-94%Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3),采用淬火方法对薄膜进行处理,以促进薄膜钙钛矿结构形成。同时,在相同条件下制备非掺杂PZT(52/48)薄膜以对比薄膜掺杂效果。运用X射线衍射(XRD)技术分析薄膜晶向及晶体结构,运用Sawyer Tower电路测试薄膜铁电性能,运用激光测振仪测试薄膜的压电系数。实验结果表明,所沉积薄膜为多晶钙钛矿结构铁电薄膜,薄膜铁电剩余极化Pr=23.7μC/cm2,饱和极化Ps=40μC/cm2,矫顽场电压2Ec=139kV/cm,横向压电系数e11=-13.2C/m2,薄膜的铁电及压电性能优良。     

PBLZT弛豫铁电陶瓷的动态及偏压介电和压电特性

测量了３ｍｏｌ％Ｂａ掺杂的ＰＬＺＴ１０／６５／３５弛豫铁电陶瓷的电滞回线、横向场诱应变、偏压下的介电常数和压电常数,并根据电滞回线和场诱应变曲线的斜率计算了动态介电常数和压电常数．实验表明,电场＜８ｋＶ／ｃｍ时,动态介电常数比偏压介电常数大很多,电场＞８ｋＶ／ｃｍ时,差值随电场增大而减小;电场在３～１５ｋＶ／ｃｍ之间时,动态压电常数比偏压压电常数大很多,电场＜３ｋＶ／ｃｍ及＞１５ｋＶ／ｃｍ时,动态压电常数和偏压压电常数相差不大．     

界面改性对钛酸铅／环氧树脂压电复合材料性能的影响

采用ＫＨ－５５０对钛酸铅粉末进行表面处理。通过对ＰＴ／环氧树脂和处理ＰＴ／环氧树旨两种压电复合材料的压电应变常数,耐热性和耐冲击强度的测定和对比,研究了界面改性对压电复合材料的压电性能的影响。结果表明：通过界面改性,可以明显提高复合材料的耐热性和耐击穿强度,耐对饱和极化时的压电应变常数无影响。     

缺位型强电流铁电阴极材料的研究

采用一种新型的缺位型铁电陶瓷作为阴极材料,获得１８７Ａ／ｃｍ＾２的强电流发射密度。通过缺位型与非缺位型材料的发射电流的对比,从理论上分析了缺位对于电子发射的影响,从材料学角度出发,总结出提高发专注密度的三种有效方法：即增强阴极表面半导体性,增大内偏置电场的增大材料的介电常数。     

铅掺杂对BST铁电薄膜性能的影响

为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol%Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的Tmax值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.     

ZrO2复合对PLZT铁电陶瓷电致疲劳性能的改善

研究了复合ＺｒＯ２对ＰＬＺＴ铁电陶瓷性能的影响,随着ＺｒＯ２的添加,复合材料体系的铁电性能有一定的减弱,但是电致疲劳性能却得到明显的改善。断口的显微结构观察表明,随着ＺｒＯ３的添加,断口由部分沿晶断裂模式向穿晶断裂模式转化,证明了ＺｒＯ２的引入提高了晶界强度,从而改善了材料的电致疲劳特性。     

衬底对PZT铁电薄膜显微结构的影响

利用ＸＲＤ和ＳＥＭ观察了在不同衬底材料上用Ｓｏ１－Ｇｅｌ法制备的ＰＺＴ铁电陶瓷薄膜的显微结构。发现ＰＺＴ薄膜的结晶性能受衬底材料的影响极大。ＰＺＴ薄膜在金属铂片上能够很好地结晶，而在单晶硅片上则很难结晶，其在镀铂硅片上的结晶难易程度介于金属铂片与单晶硅片之间。在衬底上制备ＰＴ过渡层可以促进ＰＺＴ薄膜的结晶。     

梯度功能铁电陶瓷致动器的电致失效研究

本文研究了以介电常数ε呈梯度变化时铅镁铌铁电陶瓷(ε-FGPMN)致动器的电致失效力学机理,通过梯度参数的优化设计,有效地降低了材料开裂的能量释放率,使得多层共烧铁电致动器的临界层厚度有明显的减小,满足微电子元件微型化发展需要.     

有机发光器件(OLED)中的界面研究

有机电致发光器件由于其成本低、重量轻、低阈值电压、高亮度、无需背光源而自身发光、宽视角并易于加工等优点成为现代平板显示的研究热点.经过了二十余年的发展,OLED的器件性能得到大幅度改善.然而,距离实用化还有一定差距,如发光效率低以及器件寿命短等问题,成为制约其推广应用的技术瓶颈.OLED的器件性能在很大程度上由其器件中的界面结构所决定.简要介绍OLED中的界面研究进展,围绕金属/有机界面、有机/有机界面、阳极/有机界面以及层内部材料界面展开叙述,讨论界面结构与OLED器件性能之间的关系,并以多种技术手段和方法研究OLED界面分子结构、能带结构、激发态特性及反应等获得的主要结果,在此基础上预测OLED界面研究的发展趋势.