两通道正则正交的主分量滤波器组设计

本文研究了两通道正则正交的主分量滤波器组设计.给出了正则乘积滤波器的参数表示,设计转化成标准的LSIP问题并且提出了一种适合于单参数和双参数可行解迭代算法.     

基于OB2354L的机顶盒开关电源设计

本文介绍了一种用OB2354L设计的三路输出机顶盒开关电源,并给出了详细的变压器参数,给出了测试结果,该电源经批量使用满足设计要求.     

模块电源中平面变压器的设计与应用

本文基于开关电源中变压器的工作原理和平面变压器自身特点,对模块型开关电源中的平面变压器的设计、加工、工艺和应用进行了全面研究.明确指出平面变压器在各种常见电路拓扑中的适用性问题,给出了平面变压器设计的参数计算过程,并进行了具体实例的参数计算.介绍了电路板绕组设计、平面变压器装配和电源整机工艺设计,给出了平面变压器和电源整机实际设计与应用案例,并对整机进行性能测试,验证了设计的可行性及合理性.     

PI参数自整定扫描探针显微镜控制器的设计

为了解决传统扫描探针显微镜(SPM)控制器中参数难以设定的难题,提出了一种SPM的PI参数自整定控制器的设计,并给出了控制器的硬件结构和软件设计.该控制器基于DSP,通过引入扫描式参数优化算法来实现.结果表明,该控制器能自动完成PI参数的测算,并给出最优的PI参数,提高了SPM扫描图像的质量.     

微带抽头线发夹型带通滤波器的设计及优化

介绍一种用ADS( Advanced Design System)软件进行设计和优化微带抽头线发夹型带通滤波器.详细地给出了设计步骤及其各个参数的确定.以一个中心频率为4.8 GHz,带宽为200 MHz的微带带通滤波器的设计及优化为例,给出了仿真结果,并进一步给出了Momentum仿真结果.     

高功率脉冲半导体激光电源的研制

本文介绍了一种高功率脉冲半导体激光电源的设计,分析了工作原理,提供了设计方案,并给出了具体的设计参数.     

超薄体MOSFET的结构优化

对UTB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在UTB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(GexSi1-x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的UTB器件.     

基于最优负载瞬态特性的单相全桥逆变器解耦设计

针对单相全桥工频逆变器设计过程欠缺规范的问题,该文提出了一种以动态设计指标为条件解耦设计主电路滤波参数和控制器参数的公式化分步设计法.以阻性负载跃变量为条件,分析了单相全桥工频逆变器在两种极端情况下的最优负载瞬态响应过程,推导了最优负载瞬态特性关于滤波参数的数学表达式,并给出了表达式适用范围-输出电压跌落量低于10%,且结合逆变器的动态设计指标提出了一种滤波器参数设计方法,再以滑模控制为例,结合动态设计指标给出了一种滑模控制器设计方法.仿真实验结果验证了最优负载瞬态响应过程的存在性,最优负载瞬态特性表达式的正确性和有效性,也验证了解耦设计法的正确性和有效性.该解耦设计法具有良好的理论价值和工程价值.     

超薄体MOSFET的结构优化

对U TB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在U TB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(Gex Si1 - x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的U TB器件     

基于FPGA的参数可调高斯白噪声发生器的设计

提出了一种基于FPGA的参数可调高斯白噪声发生器,给出了设计的总体方案、算法实现和设计要点.上位机可以通过通用异步收发接口进行实时参数配置和系统误码率统计.实测数据表明该方法可以满足实际通信系统的误码率测试.