溅射二氧化铈氧敏薄膜的XPS研究

本文用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，利用Ｘ射线光电子能谱研究了不同处理条件对ＣｅＯ２－ｘ薄膜电子组态的影响，特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ｃｅ３ｄＸＰＳ谱的高斯拟合，计算了Ｃｅ＾３＋浓度并给出了判定Ｃｅ＾４＋还原的标志。研究结果表明，在空气中经１１７３Ｋ高温退火后可得到结晶完好的多晶ＣｅＯ２薄膜，而薄膜的化学价态没有变化，退火前后薄膜表面总有少量Ｃｅ＾３＋存在（１５％）     

退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

新型氧敏CeO2—x薄膜的制备及结构研究

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜。通过改变Ｏ２／Ａｒ比，制备出不同组分和结构的ＣｅＯ２－ｘ薄膜。用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱了Ｃｅ２＋的浓度。ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经空气中高温退火后，形成了立方体ＣａＦ２型小晶粒，晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚。     

10.4—12.5μm单层红外增透膜的研究

红外光学薄膜的种类不但少，而且机械强度较差，尤其在中红外波段更是如此。根据薄膜光学理论计算了ＺｎＳ／Ｇｅ／ＺｎＳ、ＣｄＴｅ／Ｇｅ／ＣｄＴｅ和ＺｎＳｅ／Ｇｅ／ＺｎＳｅ三种ＡＲＣ组合的反射率和透射率。详细分析研究了吸收和色散对ＺｎＳ／Ｇｅ／ＺｎＳ极值透射率和反射率以及极值波长的影响。计算结果表明，ＺｎＳ／Ｇｅ／ＺｎＳ组合的光谱特性最好，吸收和色散对薄膜的光谱特性有一定影响。相对而言ＺｎＳ薄膜的机械强度较好。在理论计算的基础上，利用离子束辅助沉积方法制备ＺｎＳ薄膜，检测分析了薄膜的光谱性能，考察了薄膜的耐久性。     

用溅射法合成Nd—Fe—B薄膜中的交换耦合作用的研究

采用ＤＣ对向靶溅射系统制备了Ｎｄ１４Ｆｅ８６－γＢγ薄膜,随着γ值的增大,薄膜中产生了复杂的Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ相,随机分布的软磁相与硬磁相之间存在着ＥｘｃｈａｎｇｅＳｐｒｉｎｇＥｆｆｅｃｔ,并对此进行了分析和讨论,得出了利用这种随机分布结构中的ＥｘｃｈａｎｇｅＳｐｒｉｎｇＥｆｆｅｃｔ是提高Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ薄膜最大磁能积的有效途径。     

Cu和Nb对非晶态Fe—Si—B合金等温晶化过程的影响

采用示差扫描量热卡计（ＤＳＣＩ）得到了非晶态Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ合金加入Ｃｕ和Ｎｂ后的等温晶化放热曲线，结合Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析，明确了Ｃｕ和Ｎｂ在形成纳米α－Ｆｅ（Ｓｉ）晶体相时的作用。此外，非晶态Ｆｅ７６．５Ｓｉ１３．５Ｂ９Ｃｕ１Ｎｂ３等温化的α－Ｆｅ（Ｓｉ）放热峰呈明显的非对称形状。     

自蔓延高温合成TiC—Al2O3—Fe系金属陶瓷的致密化研究

采用ＳＨＳ／ＰＨＩＰ工艺制备了致密的ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－Ｆｅ系金属陶瓷，研究了延迟时间，高压特续时间，压力及Ｆｅ含量对合成ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－Ｆｅ金属陶瓷实度的影响，结果表明，采用ＳＨＳ／ＰＨＩＰ技术制备了ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－Ｆｅ系金属陶瓷时，合成产物中气体的排放，液相的存在及组成相之间的润湿性是制备密实材料的关键。     

Se化Cu2ln2O5法制备CulnSe2薄膜的机理及性能研究

黄铜矿型ＣｕｌｎＳｅ２（ＣＩＳ）多晶薄膜具有优良的光伏特性。在对现有制备工艺进行了对比分析的基础上,首次采用ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了Ｃｕ２ｌｎ２Ｏ５（ＣＩＯ）薄膜,经Ｓｅ化获得了结构均匀、表面平整、组成接近于化学计量比的ＣＩＳ薄膜电阻率介于１０＾５～１０＾６Ω．ｃｍ之间,与国外采用其它高成本工艺制备的薄膜性能相当。基于上述实验,对Ｓｅ化ＣＩＯ法制备ＣＩＳ半导体薄膜的机理及材料的光伏性能进行了分析。     

对向靶溅射高饱和磁化强度（Fe,Ti）—N薄膜

本实验用对向靶溅射仪分别在Ｓｉ（１００），ＮａＣｌ单昌衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜，研究了氮气分压和衬底温度对结构与磁性的影响。氮气分压为０．０４－０．０７Ｐａ，衬底温度淡１００－１５０℃时，有利于Ｆｅ１６Ｎ２相的形成，在此条件下制备的（Ｆｅ，Ｔｉ）－Ｎ薄膜的饱和磁化强度为２．３－２。．４６Ｔ，超过纯Ｆｅ的饱和磁化强度值。     

Al—Cu薄膜结构对电子迁移的影响

通过实验了解Ａｌ－Ｃｕ固溶体多晶薄膜的析出效应。这种多晶薄膜的析出动力学对于大块的有衬底的Ａｌ－Ｃｕ薄膜和无衬底的单晶薄膜是不同的。用俄歇电子能谱在４５－７５ｅＶ能内测量的Ａｌ（ＬＶＶ）峰和Ｃｕ（Ｍ２，３ＶＶ）峰分别为６７．８ｅＶ和６０．０ｅＶ。     

MOCVD法制备复合氧化物功能薄膜及其表征

以金属β－二酮螯合物为原物质,采用新颖的一单一固态混合源ＭＯＣＶＤ技术,较低温度下在不同衬底上成功地制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＣｅＯ２（ＣＹＯ）薄膜和Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｒＣｅＯ３（ＳＣＹ－Ｏ）为主相的薄膜。ＣＹＯ薄膜为萤石结构的多晶体,厚度约为２μｍ。     

一种制备r—Fe2O3薄膜的新方法

采用一种简单的新工艺分别在硅片和氧化铝陶瓷基片上制备了ｒ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜。该工艺分３步完成：首先利用Ｆｅ（ＮＯ２）３酒精溶液通过浸渍涂布工艺制备ａ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，其次ａ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜在氢气流中、３２０￣３５０℃之间热处理３０ｍｉｎ被还原为Ｆｅ３Ｏ４薄膜，最后Ｆｅ３Ｏ４薄膜在空气中２５０℃左右热处理３０ｍｉｎ被氧化为ｒ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜。ＸＲＤ和ＳＥＭ分析结果表明该ｒ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜呈尖晶石物相和     

掺锡对α—Fe2O3薄膜微结构和气敏特性的影响研究

本文用常压化学气相淀积法（ＡＰＣＶＤ）制备了α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和表面形貌（ＳＥＭ）分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明，用ＡＰＣＶＤ工艺制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜对烟者极为敏感并且具有良好的选择性；本研究还对所制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜进行了有效的掺杂，对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Ｓｎ的掺入对α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用ＡＰ     

Fe—Mn—Si形状记忆合金中元素对材料耐蚀性的影响

研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金中元素对材料耐腐蚀性能及形状记忆性能的影响。结果表明：在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中，随着Ｍｎ，Ｓｉ含量的增加，其耐腐蚀性能略有提高，但Ｍｎ含量过高会导致合金形状记忆性能下降。而在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中加入适量的Ｃｒ，可明显提高该合金的耐腐蚀性能，并使之具有良好的形状记忆性能。     

黄铜矿型CuInSe2光电材料的研究现状及展望

概述了太阳电池发展的历史背影，ＣｕＩｎＳｅ（ＣＩＳ）光电材料的研究现状，制备新工艺及ＣＩＳ技术展望。ＣＩＳ是很有前途的光电材料，属黄铜矿型结构，吸收系数高，多晶薄膜具有优良的光电特性。     

Fe—Mn—Si—Cr—Ni形状记忆合金超弹性的研究

用拉伸实验研究了Ｆｅ－１５．２Ｍｎ－６Ｓｉ－８．３Ｃｒ－７Ｎｉ、Ｆｅ－１６Ｍｎ－５Ｓｉ－９Ｃｒ－４Ｎｉ和３１７Ｌ不锈钢的应力应谜面工线。结果表明,铁基形状记忆合金存在显著的超弹必     

新型硫卤玻璃的光电性质

研究了含有一价碱金属卤化物的Ｇａ２Ｓ３－ＧｅＳ２－ＫＣｌ和Ｇａ２Ｓ３－ＧｅＳ２－ＫＢｒ系统玻璃的制备与某些典型玻璃的光学、电学和离子交换性质。结果表明：正是诉透过范围从０．４２－１１．５μｍ,玻璃的电导率在２３℃时为１０＾－１０－１０＾－１１Ｓ／ｃｍ;２７０℃时为１０＾－５－１０＾－８Ｓ／ｃｍ。通过采用特殊的工艺和熔盐成功地对这类玻璃进行了离子交换,其交换深度可从几个μｍ到１０００μｍ左右。此类玻     

Bi4Ti3O12铁电薄膜的I—V特性测量及导电机理

Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄的Ｉ－Ｖ特性表现为欧姆性质，在中强场下，薄膜的导电机理遵从ＳＣＬＣ理论。     

铁基巨磁阻抗薄膜的研究

溅射方法制备的非晶Ｆｅ６８Ｃｕ０．５Ｃｒ４Ｖ５Ｓｉ１３．５Ｂ９薄膜,通过适宜的退火处理得到具有纳米ａ－Ｆｅ（Ｓｉ）和非晶母相的混合结构和最佳的软磁性能,相应的巨磁阻抗值最高可达７２％。本着重研究了热处理条件、薄膜组织结构、较磁性能以及驱动电流频率对Ｆｅ６８Ｃｕ０．５Ｃｒ４Ｓｉ１３．５Ｂ９薄膜磁致阻抗的影响。     

SmDyFeCo磁光薄膜的磁特性研究

采用射频磁控溅射方法制备了ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶磁光薄膜，研究了氩气压，溅射功率对ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜磁特性的影响。实验表明，和ＤｙＦｅＣｏ非晶薄膜相比，ＳｍＤｙＦｅＣｏ非晶薄膜的矫顽力Ｈｃ随温度变化更为缓慢，并且具有更大的垂直磁各向异性常数，因而具有更好的记录特性，本征磁光克尔角可达０．３１，可以作为一种实用化的磁光记录介质。