InGaAs／InAlAs多量子阱电吸收光调制器

在国内首次设计并制作了脊波导结构的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在３．０Ｖ的驱动电压下实现了２０ｄＢ以上的消光比，光３ｄＢ带宽达到了３ＧＨｚ，对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析，结果表明器件电容限制了带宽的提高，这主要是由于ＳｉＯ２刻蚀液的钻蚀导致ＳｉＯ２绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作     

塑料防腐特性及包装应用

从结构上研究分析了塑料的防腐特性,探讨了塑料防腐包装几种常见形式,并对一些材料及制作工艺进行了介绍。     

高速动车组牵引变压器线圈制作装备浅析

本文对当今高速动车组牵引变压器的线圈制作工艺及装备选型进行了介绍及分析。给出了变压器线圈制作的工艺及装备选型分析过程．并将选用的装备与普通装备进行对比分析。实践证明,选用的装备使用情况良好。     

交换网络的优化实现

介绍了程控交换机（SPCE中的空分交换网络和时分交换网络，说明了网络实现中所使用的元器件和数字逻辑电路，并提出了一种典型的时分交换网络的优化实现方案，然后通过比较CMOS器件和BiCMOS器件，总结了利用BiCMOS新工艺器件构成SPCE换网络部件的优势，最后设计了几个用于SPAC中的CMOS／BiCMOS接口／驱动器。     

谈陶瓷酒瓶发展中的误区

探讨当前陶瓷材料与酒产品结合过程中出现的部分不和谐现象,从造型设计、制作工艺、制作成本、环保四个方面分析其中的误区。     

浇注式互感器APG制造工艺研究

本文主要研究环氧浇注式互感器APG制造工艺过程，对该工艺过程采用的原材料、模具、工艺流程及工艺参数等进行了系统的介绍。重点分析了工艺过程中影响互感器局部放电量试验的因素，主要从器身制作以及浇注成型两个工艺过程进行分析。     

SR.D数字声影片洗印制作工艺

本文论述了我国第一部ＳＲ．Ｄ数字声影片《鸦片战争》的洗印制作与工艺，对ＳＲ．Ｄ数字声影片在洗印制作过程中的一些技术问题进行了探讨。     

热镀锌生产线大直径工艺辊的堆焊

热镀锌用大直径工艺辊表面涂层易被锌渣压溃,从而划伤带钢表面.由于尺寸原因,目前国内无法对其表面进行淬火.采用表面堆焊硬质材料后再喷涂制备复合涂层可解决这一问题.确定了堆焊材料和焊接工艺,并进行了大直径工艺辊的实物制作,分析了制作过程中存在的问题,指出了今后技术改进的方向.     

利用量子阱部分无序技术实现的激光器／调制器腔内集成

利用选择性部分无序技术获得了单片外延片上不同区域的多量子阱在结构与性质上的差异，在国内首次利用该法处理的外延片制作了脊波导结构激光器／调制器集成器件，实现了调制器单元对输出光强的调制。在５．６Ｖ调制电压下获得了大于２０ｄＢ的消光比。     

光刻和蚀刻基本工艺过程及缺陷来源分析

介绍玻璃多刻线样板制作过程中光刻和蚀刻工艺过程,并针对制作过程中光刻和蚀刻工艺过程中各种缺陷产生的种类及来源进行基本的分析,提出一些减少这些缺陷的措施。