采用有效质量法对AlyGa1—yAs／AlxGa1—xAs单量子阱半导体激光…

介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图，为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算。其中，将超晶格的一些基本观点进行了约化，以期望更于应用于单量子阱结构的研究。结果表明，理论值和实验值相吻合，说明将超晶格基本观点进行了约化后，有效质量方法对单量子阱结构的理论分析和计算是十分有效的方法。     

（ZnSe）_n／（ZnS）_m应变层超晶格的亚带结构

用Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ－ｋｏｈｎ有效质量理论研究了［００１］方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构，并与前人的计算结果进行了比较．     

（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

用Ｌｕｔｔｉｎｇ┐Ｋｏｈｎ有效质量理论研究了［０，０，１］方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的光吸收系数，并与前人实验结果比较和讨论．结果表明：光吸收系数与阱宽和垒宽有关     

分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．     

（ZnSe）n／（ZnS）m反应层超晶格的亚带结构

用Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ－ｋｏｈｎ有效质量理论研究了「００１」「方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／（ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构，并与前人的计算结果进行了比较。     

分子束外延GaAs／AlGaAs量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器，波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下一光功率大于２０ｍＷ。     

超晶格中的电子谱

对多年来超晶格多量子阱中的电子谱滤波及相关研究成果进行了总结、归纳，并研究了纳米面材料的电子滤波，超晶格多量子阱中的电子谱．叙述了周期超晶格和非周期超晶格中的电子透射和反射系数，介绍了外场下超晶格中的电子谱．外界条件可引起超晶格中内建电场的变化，进而引起隧穿电流的变化．     

量子阱中杂质原子的有效哈密顿量的计算

考虑电子与纵光学声子ＬＯ和面光学声子ＳＯ之间的相互作用，讨论在磁场作用下超晶格量子阱中的杂质原子的哈密顿量，并利用Ｌｅｅ．ｅｔａｌ变分法计算其有效哈密顿量。     

（Dy_（0．65）Tb_（0．25）Pr_（0．1））_2（Fe_（1－x）A

报道了（Ｄｙ０．６５Ｔｂ０．２５Ｐｒ０．１）２（Ｆｅ１－ｘＡｌｘ）１７赝二元化合物的结构及居里温度随合Ａｌ量变化的一些观测结果，并运用Ｘ射线衍射强度理论，计算了该种化合物的衍射强度，确定了Ａｌ原子在晶体中所占的晶位，由此，定性地说明了居里温度升高的原因。     

准一维有机量子阱特征

有机聚合物Oligomers（低聚体）可惜人聚形成所谓的共聚物，具有准一维量子阱或超晶格结构特征。本文针对聚乙炔（polyacetylene）（PA）和聚对苯撑（poly(p-phenylene）（PPP）组成的三嵌段（triblcok）共聚物xPA／nPPP/γPA的量子阱性质进行了研究，发现均物组分及其界面耦合对共聚物的电子成具有调制作用。     

InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算

为了进一步优化半导体激光器的性能,讨论了影响激光器中许多参数的能带结构.以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,利用有限差分法对考虑价带混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量精确求解,得到导带和价带的能带结构图.计算结果表明,应变改变了传统无应变量子阱激光器中轻的导带有效质量与非常重的价带有效质量之间的巨大不对称性,更有利于提高激光器的性能.     

关于钢筋混凝土构件裂缝截面纵向受拉钢筋有效影响区计算方法的探讨

本文根据试验研究及理论分析,讨论了单根受拉钢筋有效影响区的主要影响因素,提出了钢筋砼构件中裂缝截面纵向受拉钢筋有效影响区的计算方法。通过对大量钢筋砼构件裂缝宽度试验资料的验算结果表明,本文方法是合理的。     

预应力混凝土托架受扭试验研究

对预应力混凝土托架承受扭矩的性能通过受扭试验及理论分析,表明托架系整体抗扭。理论分析的方法比《预应力混凝土托架设计规程》所提出的方法,概念清晰、方法简捷。     

Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-yAlyAs超晶格势阱中类氢杂质基态的束缚能

介绍刘振鹏提出的关于有限深势阱类氢杂质态的三维薛定谔方程化为利于计算机求数值解的一维薛定谔方程的基本思想,并应用该方法计算了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ－ＧａＡｓ－Ｇａ１－ｙＡｌｙＡｓ超晶格类氢杂质态的基态束缚能,给出了ｘ＝０．３,ｙ＝０．６,及ｘ＝０．６,ｙ＝０．３时,杂质在不同位置的基态束缚能结果。该结果比Ｔａｎａｋａ的结果精确。     

四齿轮间隙消除机构的调整量控制分析

在传动机构上装备齿侧间隙消除机构是机械结构中实现零侧隙传动的常用方式,文中介绍的四齿轮间隙消除机构即属此种方式。为实现齿轮间隙调整量的有效控制,从该机构的基本结构入手,利用等价结构对调整原理进行了分析,得出了齿轮问隙调整量关系式。     

软件质量的综合评价

针对软件产品和软件开发的特点,提出了软件质量全面综合评价体系和软件质量指标评价体系以及软件质量的评价方法——三维空间法、达标法、评分法、评级法和模糊评判法。着重论述了模糊评判法所用的指标体系、理论基础、系统模型、系统的结构和功能、指标权重的赋值过程以及实际应用等     

用图上作业法确定场地平整中的最佳设计平面

本文利用数学模型,对场地平整中准则方程的系数及三个参数c、i_x、i_y,给出了图上作业法和部分公式,从而使最佳设计平面的计算更直观、简便。     

双层亚铁磁体超晶格的能谱

对双层亚铁磁超晶格的能谱进行理论研究.采用海森堡模型，利用线性自旋波近似、傅立叶变换和格林函数技术计算出色散关系和外磁场的临界值Bc.结果表明，系统的各个参数如：自旋量子数、层间交换耦合系数、层内交换耦合系数、各向异性参数、外磁场都对系统的磁性有着重要的影响.研究发现，当两个层的自旋量子数相等时，两个能谱简并，当两个层的自旋量子数不相等时，能谱分裂.一般情况下，两支能谱随着层间交换耦合系数、层内交换耦合系数和各项异性参数的增强而差值加大.外磁场的临界值Bc随各向异性参数D1和D2数值的增加而增强，随自旋量子数的增加而增加.层间交换耦合系数与层内交换耦合系数对外磁场的临界值Bc不产生影响.     

超晶格半导体材料和整数量子霍尔效应

本文简要地综述了超晶格半导体材料GaAs-Al_xGa_(1-x)As的物理特性及其在激光和大规模集成电路中的应用,评述了整数量子霍尔效应的主要理论。     

模糊事故树法在加氢裂化装置安全评价中的应用

传统事故树分析法应用于实际量化分析时,相当一部分基本事件的概率本身是不确定的、模糊的,因此获得故障的精确概率比较困难,违背了精确概率选取的前提。为了处理传统事故树分析法中基本事件概率的模糊和不确定问题,引入了模糊数学理论的概念,对缺乏统计资料的基本事件进行模糊处理。运用一种能解决模糊性并且意义明确的三角模糊数来描述基本事件的模糊概率,逐层求得各事件发生的模糊概率分布,同时通过模糊数的中值法求出各基本事件的模糊重要度,得到顶上事件故障影响因素的排序,找出导致事故的主要因素,提出能从根本上预防、从关键点控制顶上事件发生的有效措施。