新型微波等离子体源

微波等离子体的一个重要发展是电子回旋共振(ECR)放电,本文介绍ECR放电技术的现状和报告一种新型ECR等离子体源—横磁瓶ECR等离子体源,并叙述其原理和结构。     

新型电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀技术

刻蚀技术是制作微电子、光电子和声电器件十分重要的工艺.射频、微波电子回旋共振(ECR)等离子体刻蚀技术比传统的湿法刻蚀和反应性离子刻蚀等方法有较多的优点,已用于薄膜和半导体基片材料的刻蚀.本文主要就这些新的ECR等离子体刻蚀技术以及它们对几种材料的刻蚀特性予以探讨.     

微波电子回旋共振等离子体刻蚀技术

本文介绍各种类型ＥＣＲ等离子体源和工艺研究，以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。     

电子回旋共振等离子体的刻蚀技术

用电子回旋共振等离子体进行了硅基材料的刻蚀技术研究,进行了沟槽刻蚀实验,得到了较为陡直的侧壁.制作了精细图形,等离子体损伤较低.     

p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性。     

用ECR等离子体CVD沉积的氮化硅膜特性

本文研究了用电子回旋共振(ECR)等离子体化学气相沉积(CVD)的氮化硅膜的性能与沉积条件之间的相互关系。通过控制流比(SiH_4/N_2)和总流率(SiH_4 N_2)而不管微波功率如何,可以使BHF(缓冲氟)蚀刻率减至最小。在上述条件下沉积的膜的折射率约为2.0。在SiH_4(10sccm)和N_2(10sccm)条件下沉积的薄膜,其电击穿强度大于8MV/cm,电容率(1MHz)为6.4—6.9,内应力大于7×10~9dyn/cm~2。通过控制沉积条件可成功地沉积压应力、张应力和无应力薄膜。本文还研究了退火膜的特性。退火温度直到～400℃时,內应力几乎不变,但超过～400℃时,便明显地转变为张力。     

N型4H-SiC ECR氢等离子体处理研究

采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体对n型4H-SiC(0001)表面进行处理,并利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程进行实时监控。在200°C～700°C温度范围内获得的RHEED图像成条纹状且对比清晰,表明SiC表面原子排列规则,单晶取向性好,计算表明表面未发生重构。用X射线光电子能谱(XPS)技术对表面成分进行分析,结果显示,表面C/C-H污染物被去除、氧含量降低。     

微波ECR大面积磁场的模拟与设计

针对ECR大面积磁场的模拟和设计。在了解ECR磁场的构成的基础上,通过模型推理和实测修正得到小磁块的场强分布函数,进而得到叠加磁场的场强分布函数。然后通过编程,用软件实现对ECR大面积磁场的模拟,进一步优化了磁场的设计,证实该磁场可用于实现高质量ECR等离子体源。     

快回旋电子束波吸收微波能量过程的分析与计算

分析了矩形谐振腔中快回旋电子束波共振吸收微波能量的物理机理,编制了跟踪单个电子、用4阶精度龙格-库塔法求解的半自洽程序,并据此计算了微波整流器谐振腔部分的转换效率η和谐振腔输出端电子束动能的离散性。结果表明,当共振条件ωc=ω满足时,电子束非常有效地吸收微波能量,η≈99%;如果要求电子输出动能的离散性小于3%,则电子束的半径应不超过5mm。     

微波功率模块微波特性的研究

集成固态/真空电子技术的微波功率模块(MPM)是新一代电子武器装备的"超级微波元器件".文中对MPM微波特性进行了研究,由于行波管(TWT)良好的色散特性,使MPM具有宽频带和功率、带宽乘积的优点;又由于固态放大器(SSA)低噪声性能,使MPM具有低噪声特性;高稳定的集成电源(IPC)决定了MPM具有低相位噪声与低杂散的频谱特性,合理的增益分配也使得MPM具有良好噪声特性.文中具体分析了集成电源(IPC)性能对频谱特性的影响,SSA与TWT噪声特性、增益分配对MPM噪声特性的影响,MPM幅相一致性和功率合成效率问题,并给出了仿真曲线,通过对某X波段MPM微波特性测试,验证了MPM优越的性能,也充分表明了MPM具有广泛的应用前景.     

高功率微波在自生等离子体中的传输特性

分析了自生等离子体的形成过程,研究了高功率微波在自生等离子体中传输时的反射、吸收和透射特性,并进行了数值模拟。讨论了大气传输过程中反射系数和透射系数的变化情况,从而对高功率微波发射参数进行合理设置。结果表明在一定条件下高功率微波发射参数存在一个合适的脉宽和场强。     

硅微波功率DMOSFET发展现状

简要地评述了硅微波功率ＤＭＯＳＦＥＴ （ＬＤＭＯＳ, ＶＤＭＯＳ） 的发展概况, 叙述了硅微波功率ＤＭＯＳ的基本结构和一些重要的制造技术。对微波功率ＤＭＯＳ的性能、特点与ＢＪＴ进行了比较, 并对其应用、发展方向及前景进行了探讨。     

微波功率模块电磁兼容关键问题分析

论述了微波功率模块（MPM）的特点及应用领域，对MPM内部集成高压开关电源调节器、微波射频系统以及MPM总体的电磁兼容性设计进行了分析，并提出了设计方法与技术途径以及为实现MPM稳定、可靠工作需要解决的电磁兼容关键性问题，提出了MPM的电磁兼容性设计要点。     

硅微波功率晶体管内匹配设计技术研究

着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过优化设计，对Ｐ波段百瓦级硅微波功率晶体管的内匹配网络进行了分析和计算并通过了样品试验     

自动发信功率控制（ATPC）在微波电路设计时的几项考虑

自动发信功率控制（ATPC）是SDH微波系统的一项重要技术，它是微波发信机的输出功率在ATPC的控制范围内自动地跟踪接收电平的变化而变化。当传播发生严重衰落时，启动ATPC，对电路传输性能和可用度有一定的改善作用。从ATPC的特点、优点、分类及其工作原理分析入手，并结合已建成的SDH微波电路运行情况，提出ATPC在微波电路设计时应考虑的事项。     

微波GaAs FET功率放大器的一种建模与互调计算方法

本文提出了一种利用测量ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ特性对微波ＧａＡｓＦＥＴ大信号建模的方法．此外，利用测量或理论求得的ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ非线性特性，可进一步分析放大器的增益、互调性能，避免多音（射频）激励下进行测量或理论分析的麻烦．结果表明，理论与实验甚为一致．     

大面积均匀微波等离子体源的电磁场计算及优化设计

本文对大面积均匀微波等离子体源的放电室中的电磁场进行了理论分析，导出放电室的直径、高度与微波窗口厚度三者之间的关系，给出一些典型参数时的电场强度分布图，提出了胶体高度可调的必要性，为该种形式源的优化设计提供了理论依据。