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在数据和图象信号等的数字处理方面,由于与数据压缩有关,一般认为需要设计字长短、精度高的数字滤波器(以下简称为DF)以及具有适于自适应处理结构的DF。本文提出了稳定式频率取样数字滤波器(以下简称为FSDF)的方案,作为符合上述目的的DF。这种DF具有梳齿形滤波器与谐振回路群串联的结构;与各谐振回路输出端相接的乘法器,其系数可简单地根据所希望的传输特性在频率轴上的样品值,用离散的傅里叶变换求出。另外,已定的极点配置使由于系数量化以及谐振回路中所发生的极限环的影响而产生的输出误差为最小。极点这样配置的FSDF比雷德等人提出的FSDF精度高,而且在字长短的情况下特别有效。 相似文献
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Ahmed A. Busnaina 《电子产品世界》2006,(1):64
CMOS的未来已经在产业界和学术界引起了极大的关注.CMOS有望在未来15年内继续生存下去.大多数人会认为这是由于制造工艺实现了等比例缩小的缘故.但是问题的范围要远远超出等比例缩小.研究结果表明,在室温下,CMOS等比例缩小超越ITRS(国际半导体技术发展路线图)后所遇到的理论上的最终极限,将是1.5nm的特征尺寸、0.017eV的开关能量以及0.04ps的开关速度. 相似文献
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目前,越来越多的公司在采用SOI(绝缘体上硅)作为半导体生产的材料.在3月上海举行的SEMICON China期间,法国Soitec公司COO(首席运营官)Pascal Mauberger先生介绍了近期SOI的发展动向. 相似文献
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提出了设计用于均衡诸如模拟系统的幅度和相位顺应等频域特性的数字滤波器,介绍了一种统一频域均衡法。研究了基本的滤波器设计原理,给出了识别,近似和优化领域中的几种设计方法和可用软件,简略说明了幅度和相位响应的复近似和同时近似的关系并比较了递归和非发和滤波器所进行的相位近似,文中的第二部分将介绍若干实例并对实际均衡的某些重要方面加以阐明。 相似文献
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采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍采用与CMOS工艺完全相容的双极/MOS混合模式晶体管(BMHMT)构成新型的低温BiCMOS集成电路.理论分析表明该电路与CMOS相比,在电压摆幅相同,静态功耗相近的条件下,具有更大的驱动能力,尤其在较低的工作电压下,其特点更加突出.我们用统一的标准和相同芯片面积设计了39级带负载的BiCMOS和CMOS环形振荡器.实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试,表明在相同工作电压下BiCMOS优于CMOS.若两种电路都采用SOI结构,预计BiCMOS可以获得更好的结果 相似文献
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1引言晶体的主要组成部分是二氧化硅,俗称石英。石英具有非凡的机械和压电特性,使得从19世纪40年代中期以来一直作为基本的时钟器件。如今,只要需要时钟的地方,工程师首先想到的就是晶体,但是随着应用的不断深入,晶体的一些固有的缺陷也随 相似文献
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一个复数网络可以认为是由两个实网络所组成,它们分别传递复数信号的实部和虚部。若网络的阻抗是“一实”的,则能用波数字滤波器来实现。本文介绍用波数字格型滤波器来实现复数滤波器、其输出信号的虚部和实部之间满足希尔伯特(Hilbert)变换关系。由于波数字格型滤波器的衰减响应满足一定的对称性时,可使实现硬件减少,因此它为希尔伯特变换器的一种新的实现方法。 相似文献
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为了帮助同志们了解有关集成电子学方面的知识,熟悉集成电路方面的名词,我们特从日文《电子材料》1972年第六期上翻译一部分技术用语,作“名词浅释”从本期连续刊登,供学习参考。——编者 相似文献
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借助于递减横向几何尺寸和形成浅结的办法,已经研制出新的30ps 硅双极集成电路。采用超自对准工艺技术(SST)已制造出一种具有0.35μm 发射极条宽和1.57μm 基区范围的 NPN 晶体管。该器件在集电极-发射极电压为1V 和 3V 时,f_T 分别为13.7GHz 和17.1GHz。非阈逻辑每门传输延迟时间已做到30ps/门,低电流型逻辑每门传输延迟时间已达50ps/门。 相似文献
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腔体滤波器是现代微波通信系统中重要的组成,频率的计算是滤波器的关键,而频率的计算是比较繁琐的,基于复杂的理论计算。研究出了简洁实用的设计思路和设计公式,通过例题全面介绍了腔体滤波器各种频率的计算和仿真。给出了设计公式和设计步骤。首先根据综合设计得出单腔级数,再运用平板电容和筒状电容准确得到谐振杆长,通过ansoft模拟验证谐振频率,与实例有很好的吻合。 相似文献
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全硅光电子集成电路的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制造工艺,能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响应方面取得重要成果的基础上,叙述了基于多孔硅发光器件的全硅光电子集成电路的进展情况。 相似文献
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